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公开(公告)号：CN110991624A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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公开(公告)号：CN110224593A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910542822.5
申请日：2019-06-21
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H02M3/156 , H03K17/284
摘要： 本发明公开具有内阻自适应的最大功率追踪电路及DC-DC升压电路，最大功率追踪电路采用开关延时生成电路与开关延时综合电路相结合的电路结构，开关延时生成电路将输入电容上的电压与最大功率点电压进行比较，开关延时综合电路实时根据环境能量源的内阻大小自适应生成不同长短的延时时间，以此生成携带了输入内阻大小信息的开关信号；DC-DC升压电路利用最大功率追踪电路所生成的携带了输入内阻大小信息的开关信号S0，不仅能够保证其在输入电压的变化范围较宽时系统仍具有较高的追踪效率，追踪效率最高可达99.64％；而且能够保证其在环境能量源的内阻较大的范围内仍具备较高的能量转换效率，能量转换效率最高可达96.25％。
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公开(公告)号：CN109921633A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910228212.8
申请日：2019-03-25
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开一种具有宽动态范围低失配特性的电荷泵电路，由偏置电路、电流镜电路、充放电电路、轨对轨运算放大器和开关控制反馈电路组成。本发明在传统源极开关型电荷泵中，增加了负反馈回路，不仅提高了稳定度，还增加了输出电压范围；并采用负反馈电路控制电荷泵结构中的运放开关时间，实现了宽动态输入范围与低失配特性，降低了电路的杂散度；本发明电路工作在1.8V电压下，可实现在0.02V～1.78V输出电压范围内充放电电流精确匹配。
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公开(公告)号：CN109525239A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201910067022.2
申请日：2019-01-24
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 本发明公开一种数字输出两级双精度生物医学电容传感器接口电路，由电容时间转换电路和时间数字转换电路组成。采用两级双精度振荡器产生低精度、高精度两路参考信号，对被测电容进行双精度测量，在提高电容测量精度的同时，减少测量时间；同时，可根据被测电容的大小，对外接的参考电容的电容值和外部控制的可编程分频器的分频倍数进行调整，实现非固定、宽范围、高精度的电容检测；逻辑控制单元结构，使双精度参考信号可在分频后的被测信号的一个周期内完成测量，减少测量时间；电容的变化直接转换为数字编码输出，可减少模数转换单元，方便与后续芯片级联，降低电容测量误差。
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公开(公告)号：CN106026996B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610381483.3
申请日：2016-06-01
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本发明能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN108259093A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810054580.0
申请日：2018-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路，通过对输入的频率信号分别进行上升沿和下降沿检测，并可在输入信号的半个周期内将频率转换为电压，提出并采用包络检测电容与采样开关结构，对采样电容进行峰值检测并实时跟踪，产生稳定的直流电压信号进行输出。边沿信号互锁控制工作方式，可使电路实现自动检测，自我恢复到初始状态，当检测到新的频率信号时，不需电路外部施加复位或重启信号，使电路对于跳频信号可实现连续检测，并适用于超宽带高速跳频信号的检测。本发明适用于超宽带跳频通信，可满足高速跳频模式，克服传统频率检测电路检测时间过长、检测频带范围窄、可检测频率不高、输出电压纹波抖动大、功耗高等不足。
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公开(公告)号：CN107967022A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN106527559B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201611234699.3
申请日：2016-12-28
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
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公开(公告)号：CN106843358A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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