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公开(公告)号：CN114726356A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532868.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/73 , H03K17/732 , H03K17/04 , H02M1/06 , H02M1/32
Abstract: 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，所述可关断晶闸管驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路；所述驱动电源模块分别和所述关断电路以及开通电路电性连接，实现所述驱动电源模块分别向所述关断电路以及开通电路直接充电。从而可以实现各模块独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且本发明针对上述可关断晶闸管驱动电路在驱动上电过程中对电路模块上电时序进行控制，使得可关断晶闸管器件分别具备进行开通和关断动作的能力，然后结束上电操作。极大缩短了器件上电后闭锁的时间。
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公开(公告)号：CN112630677B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011442739.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/40 , G01R19/165 , G01R31/00
Abstract: 本发明提供验证高压直流输电混合换流器功能的测试回路和测试方法，所述测试回路中，主支路包括直流电容充电和放电支路A，主支路直流电容C1，主支路电感Li，晶闸管阀串S1‑SNS和可关断管阀串A1‑ANA；辅助换流支路包括辅助晶闸管和二极管阀串B，辅助换流支路的直流电容C2，辅助换流支路的电感Lc，晶闸管阀串S1‑SNS和可关断管阀串A1‑ANA。本发明提供的测试回路和测试方法在较低功率和电压的试验条件下，对新型高压直流输电混合换流器功能进行试验验证，极大增强试验的可操作性和可靠性、安全性；可灵活的实现多种不同复杂工况下的试验验证和研究，具有很强的可调节性和灵活性。
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公开(公告)号：CN113451387A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010215412.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/74
Abstract: 本发明属于电力半导体器件领域，公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件，缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内，当半导体器件承受击穿电压时，通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场，使得电场击穿所述缓冲区变掺杂结构。本发明采用局部穿通原理实现过压可控击穿，具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。
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公开(公告)号：CN113131925A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110389591.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/0185 , H02M1/32
Abstract: 本发明提供一种集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法，所述窄脉冲处理方法至少包括下面步骤之一：(1)阀控级保护；(2)就地板级保护。本发明的集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法采用阀控级保护，由于在桥臂控制时考虑了因窄脉冲保护而被屏蔽的模块，桥臂输出电压不会失真，电压谐波少，桥臂环流低，有利于换流器控制；采用就地板级保护，不需对阀控程序进行更改，实施便利；对闭锁、功率升降等特殊过程的保护较好。
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公开(公告)号：CN112834894A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110017165.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599587A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011443412.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN109787198B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910100262.8
申请日：2019-01-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种三端口直流断路器的运行方式切换方法，三端口直流断路器包括三个端口，分别用于接入输配电三条线路，且三个端口相连形成三条支路，所述三条支路包括第一支路，所述第一支路包括第一断路器，所述三条支路包括第二支路，所述第二支路包括第二断路器，所述三条支路包括第三支路，所述第三支路包括第三断路器，其特征在于，包括：通过控制所述第一断路器、第二断路器、第三断路器中的一个或多个分闸和/或合闸来控制所述三条支路中一个或多个支路投入运行和/或退出运行，实现所述三端口直流断路器运行方式的切换。本发明的提供的三端口直流断路器的运行方式切换方法，操作简单、安全可靠，能够实现三端口直流输配电的灵活控制。
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公开(公告)号：CN112067877A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010783194.2
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。
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公开(公告)号：CN108666983B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710207392.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种断路器、断路系统、电力系统以及操作方法。本公开涉及断路器以及包括断路器的断路系统。本公开公开了一种断路器，该断路器包括：可关断电路，包括能够在第一方向上导通和关断的第一支路和能够在与第一方向相反的第二方向上导通和关断的第二支路，所述第一支路和第二支路包括共同的功率开关器件，并分别包括与所述功率开关器件耦接的整流功率二极管，其中所述可关断电路包括第一端子和第二端子；缓冲电路，与所述可关断电路耦接，用于在所述断路器的关断过程中缓冲电能量。
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公开(公告)号：CN111509756A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010262599.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于直流输电领域，公开了一种用于混合换流器的高位在线取能装置及方法，混合换流器包括多个桥臂，每一桥臂包括至少一可关断管阀串及至少一晶闸管阀串，每一可关断管阀串包括至少一可关断管，高位在线取能装置电性连接于可关断管，当桥臂保持闭锁且耐受直流线路电压时，可关断管阀串及晶闸管阀串共同耐受直流电压，高位在线取能装置通过可关断管的两端进行取能，为控制保护装置及所述可关断管的驱动电路供电。本发明可以有效的为混合换流器中的可关断管阀串的可关断管驱动电路及控制保护装置等供能，易于工程实现。
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