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公开(公告)号：CN113488529A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110787200.6
申请日：2021-07-13
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于多级场板的超结终端结构，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区，其中终端区主要包括多个第二导电类型重掺杂掺杂柱区、第一导电类型漂移区、截至环、场氧层和多层金属场板；其中多个第二导电类型重掺杂掺杂柱区和第一导电类型漂移区组成超结结构，从而降低导通电阻；将多层金属有序层叠，使多层金属场板和场氧层互补排列，增加了金属场板末端下的场氧层厚度，降低了终端表面峰值电场，使器件终端具有更为平坦的电场分布，达到增加器件终端击穿电压的目的。
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公开(公告)号：CN113380182A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110429901.2
申请日：2021-04-21
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明属于显示技术领域，具体为一种栅控类MOS发光LED像素驱动电路。本发明采用恒流控制发光单元的方式，提升了显示稳定。在本发明的电路中，由于负反馈回路的设置，对共源共栅电流源的电流起到了调节作用，使得发光显示的灰度调节可以由其栅控电压或片外电阻实现。通过在像素单元中插入一个反相器，并将该反相器与驱动晶体管连接，使其集成后的整个驱动电路中行线和每个像素都构成一个独立的扫描缓冲器，增强了像素驱动能力，提升了集成后器件显示的可靠性。本发明适用于各类发光显示设备，尤其是对于微显示设备。
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公开(公告)号：CN104538417A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510008847.9
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法，所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链，还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管，正向二极管链的两端作为基于二极管链的LED开路保护集成芯片的正负极。当LED组正常工作时，芯片关断。当有LED开路时，芯片中正向串联的二极管链导通以保证与之串联的LED正常工作；当LED两端出现过高反向电压时，芯片中反向二极管导通泄放电流，防止LED灯烧毁。本发明的基于二极管链的LED开路保护集成芯片结构简单、性能稳定、成本低，能广泛应用于LED开路保护和芯片的ESD保护。
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公开(公告)号：CN107342286A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要： 一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC-IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN104538417B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510008847.9
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法，所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链，还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管，正向二极管链的两端作为基于二极管链的LED开路保护集成芯片的正负极。当LED组正常工作时，芯片关断。当有LED开路时，芯片中正向串联的二极管链导通以保证与之串联的LED正常工作；当LED两端出现过高反向电压时，芯片中反向二极管导通泄放电流，防止LED灯烧毁。本发明的基于二极管链的LED开路保护集成芯片结构简单、性能稳定、成本低，能广泛应用于LED开路保护和芯片的ESD保护。
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公开(公告)号：CN104158525B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410433626.1
申请日：2014-08-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/78
摘要： 本发明公开了一种基于单根光纤供电与脉冲信号传输的光驱动IGBT装置，包括用于产生光信号的光信号发生器、对光信号进行转换和控制的光控制器、对光信号进行传输的光纤介质，所述光信号发生器的光出射端通过光纤介质连接光控制器的光接收端，光控制器的信号输出端作为驱动输出端驱动外部变流系统。本发明通过光信号来控制IGBT的通断，采用浮电位的形式使控制信号不受受控功率器件的发射极电压的影响，具有结构简单、电气隔离性好、抗干扰能力强、控制方便且易于大功率控制等优点。本发明适用于动车、高铁等电车牵引传动，开关电源、电子开关、及各类电动机的调速等大功率变流系统中。
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公开(公告)号：CN207558815U
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201721639987.7
申请日：2017-11-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/11 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本实用新型在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本实用新型适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。
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