公开(公告)号：CN104538395B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN104538374B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510008568.2

申请日：2015-01-08

申请人： 四川矽芯微科技有限公司 ,  四川洪芯微科技有限公司 ,  广东成利泰科技有限公司 ,  电子科技大学 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 李晶 ,  徐谦刚 ,  冯春阳 ,  洪吉忠 ,  赵建明 ,  曾尚文 ,  李健儿 ,  廖智 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  徐彭飞 ,  夏建新

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化好的含有多个PIN二极管的晶圆进行切割，形成芯片尺寸封装的单个PIN二极管。本发明在现有的PIN 二极管工艺生产线上实现多层金属化工艺以及光敏聚酰亚胺封装工艺的整合，实现芯片尺寸小、硅片利用率高、性能良好的芯片尺寸封装PIN二极管的制造，能广泛运用于手机通讯、平板电脑、蓝牙通讯天线的发送和接收开关电路等领域中。本发明适用于制作芯片式封装的PIN二极管。

公开(公告)号：CN104538417A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008847.9

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  冯占卫 ,  廖智 ,  黄平 ,  周伟 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  王威 ,  徐彭飞 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法，所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链，还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管，正向二极管链的两端作为基于二极管链的LED开路保护集成芯片的正负极。当LED组正常工作时，芯片关断。当有LED开路时，芯片中正向串联的二极管链导通以保证与之串联的LED正常工作；当LED两端出现过高反向电压时，芯片中反向二极管导通泄放电流，防止LED灯烧毁。本发明的基于二极管链的LED开路保护集成芯片结构简单、性能稳定、成本低，能广泛应用于LED开路保护和芯片的ESD保护。

公开(公告)号：CN104538395A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n-外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN104538374A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008568.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  李健儿 ,  廖智 ,  黄平 ,  陈勇 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  夏建新

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化好的含有多个PIN二极管的晶圆进行切割，形成芯片尺寸封装的单个PIN二极管。本发明在现有的PIN二极管工艺生产线上实现多层金属化工艺以及光敏聚酰亚胺封装工艺的整合，实现芯片尺寸小、硅片利用率高、性能良好的芯片尺寸封装PIN二极管的制造，能广泛运用于手机通讯、平板电脑、蓝牙通讯天线的发送和接收开关电路等领域中。本发明适用于制作芯片式封装的PIN二极管。

公开(公告)号：CN101017854A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610022726.0

申请日：2006-12-31

申请人： 电子科技大学

发明人： 周伟 ,  靳翀 ,  杜江锋 ,  罗谦 ,  夏建新 ,  于奇 ,  杨谟华

IPC分类号： H01L29/812

摘要： 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件，特别涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管。它是由衬底7上依次形成的成核层6、高电阻半导体层5和能带比高电阻半导体层5宽的势垒层4，以及势垒层4上的源极1、栅极2和漏极3，其中源极1、漏极3与势垒层4形成欧姆接触，栅极2与势垒层4形成肖特基接触。其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极之间有一层高介电系数材料层8，以改善其下高电阻半导体层5和势垒层4内部的电场分布，提高栅漏之间击穿所需的电压，从而扩展了氮化镓基高电子迁移率晶体管的输出功率范围。

公开(公告)号：CN109786295B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201910025495.6

申请日：2019-01-11

申请人： 电子科技大学 ,  四川洪芯微科技有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司

发明人： 徐开凯 ,  胡明稹 ,  戴胜强 ,  廖智 ,  刘宁 ,  张浩 ,  戴建定 ,  马晓洁 ,  赵建明 ,  刘继芝 ,  雷浩东 ,  夏建新

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。

公开(公告)号：CN108039363A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711239512.3

申请日：2017-11-30

申请人： 电子科技大学

发明人： 徐开凯 ,  钱津超 ,  赵建明 ,  于奇 ,  刘继芝 ,  夏建新 ,  周伟

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种光驱动SiC/GaN基半导体器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本发明还公开了制作上述光驱动SiC/GaN基半导体器件的工艺。本发明在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。

公开(公告)号：CN104538315B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510008299.X

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川洪芯微科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  冯春阳 ,  廖智 ,  夏建新 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC分类号： H01L21/50

摘要： 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。

公开(公告)号：CN104797061A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510241586.5

申请日：2015-05-13

申请人： 电子科技大学 ,  四川洪芯微科技有限公司 ,  四川上特科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  冯春阳 ,  李建儿 ,  郑兴隆 ,  赵国 ,  徐彭飞 ,  陈勇 ,  夏建新 ,  廖智

IPC分类号： H05B37/02

摘要： 本发明公开了一种带有双电源驱动的LED照明电路，包括两个电源模块、两个电源监控模块、两组LED灯组、两个恒流控制模块、一个双向控制开关，每个电源模块的正极输出端分别连接对应的电源监控模块的输入端、LED灯组的正极，负极输出端分别连接对应的电源监控模块的输出端，再通过相应二极管分别连接双向控制开关的信号输入端，两个LED灯组的负极分别通过对应的恒流控制模块后连接双向控制开关的信号输入端，两个电源监控模块的监控信号输出端分别对应连接双向控制开关的两个监控信号输入端。本发明采用两组电源双驱动电路，通过控制双向控制开关大大延长了LED照明装置的使用寿命。本发明适用于现有技术中依靠LED灯珠进行照明的领域。