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公开(公告)号：CN215815825U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202122418963.1
申请日：2021-10-08
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本实用新型提供了一种适用于半导体传输系统中的装片机构，包括装片室，装片室内设置有装片腔，装片腔内设置有托片台，托片台通过升降气缸驱动连接；装片室上还设置有若干个通路，若干个通路上分别设置有用于通断的真空闸阀；装片腔内还设置有旋转平台，装片室的下部还设置有升降气缸，升降气缸的升降杆活动穿设入装片腔内，且升降杆穿设入所述装片腔内的一端活动穿设过旋转平台以及定位盘后与托片台驱动连接；装片腔的上部还设置有能相对开合的限位机构。本实用新型提供了一种操作便捷、稳定性高的适用于半导体传输系统中的装片机构，能将半导体衬底与托盘实现便捷稳定的装载组合。
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公开(公告)号：CN213925125U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023045759.1
申请日：2020-12-17
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种反应系统，包括：反应器，具有反应腔以及连通反应腔的进气口和抽气口；进气装置，设置在进气口，用于向反应腔供给反应气体；抽气系统，和抽气口连接，用于对反应腔内进行抽气；旋转装置，绕自身轴线可转动地设置在反应器上，旋转装置的一端伸至反应腔内；石墨托盘，设置在旋转装置伸至反应腔的一端，石墨托盘用于承载衬底；预热筒，设置在石墨托盘的外侧；第一加热器，设置在预热筒的外侧；第二加热器，设置在石墨托盘的下方。本实用新型结合了冷壁系统和热壁系统的优点，可以生长出更好的单晶材料，并且通过调节预热筒的温度，实现反应系统在冷壁系统和热壁系统之间来回切换，兼容性好。
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公开(公告)号：CN218989472U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223167038.7
申请日：2022-11-28
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种用于反应腔的进气组件及碳化硅外延设备。该进气组件包括：限位部件、环状的进气部件及反应腔侧壁部件，反应腔侧壁部件的一侧的周向上具有复数间隔设置的限位部件，且复数限位部件的组合成的圆的圆心位于反应腔侧壁部件的轴线上；进气部件套设于反应腔侧壁部件上，且进气部件与反应腔侧壁部件的组合构成环状的匀气环道，限位部件沿进气部件的周向配置，抵住该进气部件；至少一个限位部件上配置有导气部件，该导气部件内具进气通道，该进气通道连通进气管及匀气环道。吹扫气经匀气环道匀气后经进气部件与反应腔侧壁部件间的间隙，并吹入反应腔，在反应腔的侧壁形成保护膜，防止工艺气体在侧壁上发生反应，实现保持侧壁清洁的目的。
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公开(公告)号：CN218910599U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202122835683.0
申请日：2021-11-18
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种单晶薄膜设备用托盘组件及单晶薄膜设备。该托盘组件包括：支撑筒，所述支撑筒上配置有用以连接托盘的突出部，所述突出部上配置有导向面，托盘，所述托盘呈中空的环状，其一侧配置有与所述突出部的导向面相匹配的安装导向面，所述托盘的内侧配置有向中心延伸的且轴向上厚度小于托盘主体厚度的凸台，所述凸台的远离所述安装导向面侧配置有凸起，所述凸起与所述托盘的主体间设有凹槽，所述凹槽以容纳部分衬底。这样设备运行时产生的沉积物会先堆积在凹槽内，不容易对衬底放置造成影响，且对位简单，精度好，对传动部件的精度要求可以降低，可节省设备成本。
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公开(公告)号：CN213895991U
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202023045818.5
申请日：2020-12-17
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本实用新型公开了一种抽气装置，包括：反应器、石墨托盘、支撑筒、升降杆、升降板和外筒，外筒包括第一竖直段、倾斜段和第二竖直段，倾斜段的两端分别与第一竖直段和第二竖直段连接，第一竖直段的直径小于第二竖直段的直径，倾斜段沿水平方向和石墨托盘相对设置；抽气口，设置在反应器的侧壁下端，且与反应腔连通。本实用新型实际使用时，当从抽气口对反应器的反应腔进行抽气时，外筒具有倾斜段，气流中夹带的颗粒物碰到倾斜的外筒内壁后会往下部方向反弹，不会回弹到衬底表面，大大减少了颗粒物造成的材料生长的缺陷。
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公开(公告)号：CN217899156U
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202222160120.0
申请日：2022-08-17
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： F16L23/16 , F16L23/036
摘要： 本实用新型公开了一种法兰辅助安装装置，属于法兰安装工具技术领域。法兰辅助安装装置用于法兰的安装，法兰包括两个法兰盘和设置于两个法兰盘之间的密封垫片，法兰辅助安装装置包括两个可拆卸连接的半弧形的定位块和定位支撑部。两个定位块连接后能够围设形成圆环，两个定位块的内壁能够贴合卡接于法兰盘的外壁。每个定位块的内壁均设置有定位支撑部，定位支撑部的厚度H1小于两个法兰盘连接后之间的间隙H2。定位块的内壁卡接在法兰盘的外壁后，定位支撑部能够将密封垫片和法兰盘同心定位。本实用新型能够在法兰连接的过程中对密封垫片与法兰盘进行同心定位，操作更方便，能够提高安装效率。
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公开(公告)号：CN216688314U
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202220263829.0
申请日：2022-02-09
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , H01J37/32
摘要： 本申请提供了化学气相沉积设备的晶圆承载装置。该化学气相沉积设备的晶圆承载装置包括用于容置所述晶圆的内架圈。所述内架圈包括形状为环形的主体部及位于所述主体部内侧的置入口。所述晶圆能够从所述置入口置入所述内架圈中，所述内架圈还包括与所述内架圈的主体部一体形成的补偿部，所述补偿部从所述主体部朝向径向内侧延伸。在所述晶圆置入所述内架圈的状态下，所述补偿部与所述晶圆形状互补，使得所述晶圆和所述补偿部一起形成的结构为圆形。本申请通过设置补偿部来补偿晶圆由于定位边或定位槽而产生的缺口，利于避免晶圆上气体的紊流，使外延层的生长更均匀。
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公开(公告)号：CN216473581U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202220012029.1
申请日：2022-01-05
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请提出一种用于碳化硅外延设备的石墨快拆装置和碳化硅外延设备，所述碳化硅外延设备内容纳有石墨组件，所述石墨组件包括上石墨件和下石墨件，其特征在于，所述石墨快拆装置包括：固定架圈，所述固定架圈为圆环状，所述固定架圈的内周部设置有卡槽；以及快拆架圈，所述快拆架圈为圆环状，所述快拆架圈位于所述固定架圈的径向内侧，所述快拆架圈的外周部设置有卡接部，所述快拆架圈用于支撑所述碳化硅外延设备内的所述下石墨件，其中，所述卡接部和所述卡槽对准时，所述快拆架圈能够穿过所述固定架圈的中心孔，所述卡接部和所述卡槽错开时，所述快拆架圈无法穿过所述固定架圈的中心孔，从而所述固定架圈能够支撑所述快拆架圈。
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公开(公告)号：CN213925010U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023008627.1
申请日：2020-12-14
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本实用新型公开了一种具有迷宫式密封结构的旋转装置，包括：具有反应腔的反应器、旋转轴、旋转盘、支撑筒、石墨托盘和加热组件，加热组件包括加热器、电极板和电极；密封板，设置在电极板的下端；其中，密封板与旋转盘之间形成第一迷宫密封结构，旋转盘与反应器的底壁之间形成第二迷宫密封结构。本实用新型通过在电极板的下端设置密封板，密封板与旋转盘之间形成第一迷宫密封结构，旋转盘与反应器的底壁之间形成第二迷宫密封结构，从而可以避免沉积物从密封板与旋转盘之间的间隙以及从旋转盘与反应器的底壁之间的间隙进入旋转机构内部而造成旋转机构的损坏。
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公开(公告)号：CN214004780U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023005228.X
申请日：2020-12-14
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本实用新型公开了一种旋转装置，包括：具有反应腔的反应器；壳体，设置在反应器的底部，壳体包括容纳腔，容纳腔和反应腔相连通；旋转轴，绕自身轴线可转动地设置在壳体的容纳腔内，且旋转轴的一端伸至反应腔内；旋转盘，和旋转轴伸至反应腔的一端连接；石墨托盘，支撑在旋转盘上；加热组件，设置在反应腔内，用于对石墨托盘加热；无框电机，包括转子和定子，定子固定设置在壳体上，转子套设在旋转轴的外侧壁上且对应设置在定子的内部。本实用新型由于采用无框电机直接驱动旋转轴转动，对旋转轴仅仅施加旋转的力矩，而无侧向力，使得旋转装置的旋转更为平稳和可靠。
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