一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110983280A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911353350.5

    申请日:2019-12-25

    IPC分类号: C23C14/46 C23C14/08 C23C14/58

    摘要: 本发明公开一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法,包括以下步骤:a、采用单晶硅片为衬底,清洗衬底,去除衬底表面的污垢;b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内,离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶;c、启动离子束辅助沉积系统,先使用钨靶,在衬底表面沉积氧化钨薄膜;然后使用锆靶,在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜;d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉,在1000℃的氧气气氛中退火3小时,使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散;然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜;该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备,并且不需要另外制作混合靶材,方法简单、可控性强。

    一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108707865A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201810560536.7

    申请日:2018-06-04

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/22

    摘要: 本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质;S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备,离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源,线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源;将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中,开启离子束沉积设备,使氩离子轰击钨靶,同时开启线性离子源沉积设备,进行碳源的注入,钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜;整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作,不相互干扰,工艺参数各自设定;整个过程碳与钨简单的进行反应,无其它离子存在,工艺简单,可控性较强。

    一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107502868A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710795449.5

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06

    摘要: 本发明公开了一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)选用超白高透玻璃作为衬底材料,并进行超声波清洗,达到去除衬底表面油污和灰尘的目的;2)清洗后的衬底材料置于样品架上,送入溅射腔室,通入Ar气,使C靶起辉,进行预溅射以去除表面的氧化物和杂质,预溅射完毕,通入N2气,通过与C靶的反应在衬底材料上制备出第一层CN薄膜,断开N2气,样品架转向W靶,W靶起辉溅射、镀膜,在第一层CN薄膜上制备出一层金属W膜,而后重复上述第一层CN薄膜的工艺进行第二次CN薄膜的制备,镀膜完成后得到高透、高阻W掺杂CN薄膜。本发明工艺参数简单,可变参数较少,重复性好,W的掺入进一步提高了CN薄膜的润滑性,使CN薄膜的应用领域进一步扩大。

    一种柔性多层透明导电氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN107425124A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710796096.0

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: H01L51/44 H01L51/52

    摘要: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜,包括由下至上依次设置在柔性基底的下SiO2膜层、Ag膜层与上SiO2膜层,所述上、下SiO2膜层的厚度均为15~60nm,所述Ag膜层的厚度为6~20nm;所述柔性基底为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜;Ag薄膜在可见光区具有优异的反射性能,利用诱导透射原理,通过合理的SiO2匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果,成为SiO2/Ag/SiO2透明导电复合薄膜,且成本低廉,适于柔性基底使用。

    一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法

    公开(公告)号:CN114384325A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111609916.3

    申请日:2021-12-27

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明涉及一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法,包括:在金属基底上制备固态电解质薄膜,在金属基底上留出空白空间作为测试电极,在固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极;或在非金属基底上制备底层金属薄膜,在底层金属薄膜上制备固态电解质薄膜,底层金属薄膜留出空白空间作为测试电极,于固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极。利用电化学工作站分别以电解质薄膜的上下层金属作为电极与对电极,采用交流阻抗A.C Impedance的测试方法,得到Z’阻抗实部与‑Z’’阻抗虚部的曲线,通过计算得到电解质薄膜的离子电导率。本发明具有测试方法简单、测试效率高即精度高的优点。