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公开(公告)号:CN110983280A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911353350.5
申请日:2019-12-25
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要: 本发明公开一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法,包括以下步骤:a、采用单晶硅片为衬底,清洗衬底,去除衬底表面的污垢;b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内,离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶;c、启动离子束辅助沉积系统,先使用钨靶,在衬底表面沉积氧化钨薄膜;然后使用锆靶,在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜;d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉,在1000℃的氧气气氛中退火3小时,使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散;然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜;该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备,并且不需要另外制作混合靶材,方法简单、可控性强。
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公开(公告)号:CN110911525A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911123062.0
申请日:2019-11-16
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/073
摘要: 本发明公开一种柔性CdTe薄膜太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:取柔性基底,采用离子束溅射工艺清洁柔性基底;在柔性基底上依次制备下阻隔层、微结构层、透明导电层、上阻隔层、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层;下阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜;微结构层为为单分散SiO2小球薄膜;透明导电层为BZO、AZO、GZO、IGZO或ITO薄膜;上阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜;最终得到柔性CdTe薄膜太阳能电池;本方法制备得到的薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率,增强薄膜太阳能电池的整体性能。
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公开(公告)号:CN110894592A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201911352670.9
申请日:2019-12-25
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要: 本发明公开一种自旋半导体ZrO2薄膜的制备方法,包括以下步骤:a、清洗衬底,去除衬底表面的污渍;b、将衬底置于磁控溅射腔室内,采用金属锆作为靶材,在衬底表面沉积ZrO2薄膜;c、采用离子注入机,以O2为氧源,对准ZrO2薄膜进行氧离子的注入,使氧过量,得到自旋半导体ZrO2薄膜;该方法利用ZrO2进行磁性改变,工艺简单,可控性、操作性强,且整个过程不会引入其他杂质。
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公开(公告)号:CN110808299A
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201911123061.6
申请日:2019-11-16
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号: H01L31/0392 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要: 本发明公开一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层,吸收层为CdTe薄膜,前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、微结构层、透明导电层与上阻隔层;微结构层为单分散SiO2小球薄膜,SiO2小球直径为100~500 nm;缓冲层的厚度为40~120nm;吸收层的厚度为1500~2500nm;背接触层的厚度为5~30nm;保护层的厚度为10~40nm;该薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率,增强薄膜太阳能电池的整体性能。
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公开(公告)号:CN109448922A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811441772.3
申请日:2018-11-29
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要: 本发明公开一种柔性可弯曲电子信息玻璃的制备方法,包括以下步骤:S1、采用经过羟基化处理的柔性基底,在柔性基底表面制备预制导电层;S2、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在预制导电层表面制备第一透明导电膜层;S3、在第一透明导电膜层表面制备高透减反层;S4、在高透减反层表面制备超导层;S5、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在超导层表面制备第二透明导电膜层,得到所述柔性可弯曲电子信息玻璃;本发明方法能够制备出的柔性可弯曲电子信息玻璃具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的优点。
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公开(公告)号:CN108707865A
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201810560536.7
申请日:2018-06-04
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要: 本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质;S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备,离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源,线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源;将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中,开启离子束沉积设备,使氩离子轰击钨靶,同时开启线性离子源沉积设备,进行碳源的注入,钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜;整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作,不相互干扰,工艺参数各自设定;整个过程碳与钨简单的进行反应,无其它离子存在,工艺简单,可控性较强。
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公开(公告)号:CN107502868A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710795449.5
申请日:2017-09-06
申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要: 本发明公开了一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)选用超白高透玻璃作为衬底材料,并进行超声波清洗,达到去除衬底表面油污和灰尘的目的;2)清洗后的衬底材料置于样品架上,送入溅射腔室,通入Ar气,使C靶起辉,进行预溅射以去除表面的氧化物和杂质,预溅射完毕,通入N2气,通过与C靶的反应在衬底材料上制备出第一层CN薄膜,断开N2气,样品架转向W靶,W靶起辉溅射、镀膜,在第一层CN薄膜上制备出一层金属W膜,而后重复上述第一层CN薄膜的工艺进行第二次CN薄膜的制备,镀膜完成后得到高透、高阻W掺杂CN薄膜。本发明工艺参数简单,可变参数较少,重复性好,W的掺入进一步提高了CN薄膜的润滑性,使CN薄膜的应用领域进一步扩大。
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公开(公告)号:CN107425124A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710796096.0
申请日:2017-09-06
申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜,包括由下至上依次设置在柔性基底的下SiO2膜层、Ag膜层与上SiO2膜层,所述上、下SiO2膜层的厚度均为15~60nm,所述Ag膜层的厚度为6~20nm;所述柔性基底为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜;Ag薄膜在可见光区具有优异的反射性能,利用诱导透射原理,通过合理的SiO2匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果,成为SiO2/Ag/SiO2透明导电复合薄膜,且成本低廉,适于柔性基底使用。
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公开(公告)号:CN114384325A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111609916.3
申请日:2021-12-27
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号: G01R27/02
摘要: 本发明涉及一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法,包括:在金属基底上制备固态电解质薄膜,在金属基底上留出空白空间作为测试电极,在固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极;或在非金属基底上制备底层金属薄膜,在底层金属薄膜上制备固态电解质薄膜,底层金属薄膜留出空白空间作为测试电极,于固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极。利用电化学工作站分别以电解质薄膜的上下层金属作为电极与对电极,采用交流阻抗A.C Impedance的测试方法,得到Z’阻抗实部与‑Z’’阻抗虚部的曲线,通过计算得到电解质薄膜的离子电导率。本发明具有测试方法简单、测试效率高即精度高的优点。
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公开(公告)号:CN114345662A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202111546871.X
申请日:2021-12-16
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要: 本申请提供一种增透膜及其制备方法、增透膜制备装置,增透膜制备方法包括以下步骤:(1)配制基础溶胶,基础溶胶中包含正硅酸乙酯、乙醇和水;(2)然后向基础溶胶内通入氨气,得到含饱和氨气的溶胶;(3)将溶胶涂覆在基片的表面形成膜层;(4)使膜层处于温度为T1的含有氨气、乙醇和水的饱和蒸汽中,同时使基片远离膜层的表面的温度为T2,陈化处理2h至72h;其中,0℃<T1≤10℃,30℃<T2≤60℃,T1和T2的差值30℃≤ΔT<60℃;(5)在120℃至250℃的空气中干燥固化;(6)在450℃至750℃热处理后得到增透膜。上述制备方法简单,得到的增透膜也具有良好的增透效果。
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