公开(公告)号：CN100458712C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380108597.1

申请日：2003-11-12

申请人： FEI公司

发明人： J·特施马 ,  D·E·帕丁 ,  J·E·胡森

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31745 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中，它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别，然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后，为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后，对带电粒子束切割所暴露的表面成像，以获得关于缺陷的附加信息。

公开(公告)号：CN101346803A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049162.8

申请日：2006-12-06

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 拉塞尔·J·罗 ,  乔纳森·G·英格兰 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/15 ,  H01J37/18 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/1503 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/266

摘要： 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。

公开(公告)号：CN101238538A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028482.5

申请日：2006-06-02

申请人： 艾克塞利斯技术公司

发明人： J·范德波特 ,  Y·Z·黄

IPC分类号： H01J37/244

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

摘要： 本发明提供一种用于减轻与离子注入有关的污染的系统、方法、以及装置。本发明提供离子源、终点站、以及设置在离子源与终点站之间的质量分析器，其中由离子源形成离子束，且根据射束阻挡组件的位置，选择性地经由质量分析器将离子束传送至终点站。该射束阻挡组件选择性地防止离子束进入和/或射出质量分析器，因此将转换期间例如离子注入系统开机期间与不稳定离子源有关的污染最小化。

公开(公告)号：CN101114131A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138457.9

申请日：2007-07-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 冲野刚史 ,  樱井正敏

IPC分类号： G03F7/20 ,  G11B5/84

CPC分类号： G11B5/855 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/30472

摘要： 本发明其课题在于可降低电子束描绘装置的旋转系统对描绘带来的不稳定因素，同时能够稳定地获得所需的图案。本发明的电子束描绘方法，采用电子束描绘装置对感光性树脂膜照射电子束来描绘由多个位所组成的图案，该电子束描绘装置包括：使载置有形成了感光性树脂膜的基片的工作台以一固定角速度旋转的旋转机构；使所述工作台在1个水平方向上移动的移动机构；以及对所述感光性树脂膜照射电子束的电子束照射部，其中，以所述电子束对所述基片其中距离旋转中心为半径r处与位图相当的区域进行曝光时，在与所述位图相当的区域的曝光中设置所述电子束的OFF状态，以便其曝光量为对作为基准的描绘范围其最外圆周半径rout处进行曝光时的r/rout倍。

公开(公告)号：CN1891854A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610004409.6

申请日：2006-02-10

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李民镛

IPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/56 ,  H01J25/50 ,  H01J37/317 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01J37/3172 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3171 ,  H01L21/26513

摘要： 本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。