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公开(公告)号：CN113324461A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110193455.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 信越石英株式会社
IPC: G01B5/14
Abstract: 本发明的目的在于提供一种测量夹具，其在将用于通过CZ法培育硅单晶锭的有底筒状的石英坩埚配置在有底筒状的石墨坩埚的内部时，能够容易地测量石英坩埚的外表面与石墨坩埚的内表面之间的间隙的间隔。该测量夹具在为了利用CZ法培育硅单晶锭而将有底筒状的石英坩埚配置在有底筒状的石墨坩埚的内部时，用于对所述有底筒状的石英坩埚的外表面与所述有底筒状的石墨坩埚的内表面之间的间隙的间隔进行测量，所述测量夹具具备间隙板，所述间隙板具有剖面形状部，在包含所述石墨坩埚的中心轴的纵剖面中，所述剖面形状部形成为至少包含底部的区域的所述石墨坩埚的内表面的剖面形状。
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公开(公告)号：CN113145578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110084725.3
申请日：2021-01-21
Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。
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公开(公告)号：CN111936678A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980024394.5
申请日：2019-02-19
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 马场裕二
Abstract: 本发明提供一种石英玻璃坩埚，其由底部、弯曲部及直体部构成，其中，所述石英玻璃坩埚具有由含有气泡的不透明石英玻璃构成的外层与由透明石英玻璃构成的内层，所述外层由相同种类的原料粉末、或两种以上不同种类的原料粉末制成，并具有两个以上以所述气泡的含有密度进行区分的部位，关于所述外层中相邻的两个部位的气泡含有密度，将所述气泡的含有密度大的部位a的气泡含的有气密泡度含设有为密d度a(设pc为s/dmbm(3p)c、s将/m所m3述)时气，泡所的述含相有邻密的度两小个的部部位位中b的气泡含有密度的差D＝(da‑db)/db为10％以上。由此提供一种石英玻璃坩埚的外层中的各个部位可具备不同功能的石英玻璃坩埚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110139837A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780080125.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 信越石英株式会社 , 贺利氏石英玻璃有限两合公司
Abstract: 本发明提供一种制造中空多孔石英玻璃基底材料的方法，和一种制造合成石英玻璃圆筒的方法，其中即使在以大的重量和高容积密度制造所述中空多孔石英玻璃基底材料(烟灰体)时，仍能保持目标取出的容易性并且稳定地进行目标取出，并且能够制造大的重量的烟灰体。所述制造中空多孔石英玻璃基底材料的方法包含：制备耐热衬底的步骤，所述耐热衬底具有圆柱状或圆筒状并且具有供沉积SiO2粒子的外表面，所述外表面具有表面粗糙度，其中最大高度Rz小于9μm并且算术平均粗糙度Ra小于1μm；旋转所述耐热衬底并在所述耐热衬底的所述外表面上沉积SiO2粒子以形成玻璃微粒沉积物的步骤；以及从所述玻璃微粒沉积物中取出所述耐热衬底以产生中空多孔石英玻璃基底材料的步骤。
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公开(公告)号：CN102898004B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210323953.2
申请日：2012-07-24
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 , 信越石英株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/095 , Y02P40/57
Abstract: 一种用于制造熔融石英坩埚的模具，包括具有内孔的圆柱形罐。石墨内衬容纳于该孔内，并具有适合形成坩埚的下表面的上表面，该罐的内孔形成坩埚的侧壁。当模具旋转时，石英颗粒沉积在该模具中。在熔融过程中，形成在内衬之上的罐中和内衬中的孔抽吸空气通过石英。
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公开(公告)号：CN103502513A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280017718.0
申请日：2012-11-08
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直胴部、弯曲部及底部，其特征在于，前述直胴部的OH基浓度为30～300质量ppm，前述底部的OH基浓度为30质量ppm以下，前述直胴部与前述底部的OH基浓度差为30质量ppm以上。由此，提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减少提拉后的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN102224113B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102224113A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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