公开(公告)号：CN101093838A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610166930.X

申请日：2006-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金锡必 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L29/7887 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7923

Abstract: 提供了一种能够以多位模式工作的非易失性存储器件，以及所述非易失性存储器件的操作方法。所述非易失性存储器件包括：包括第一和第二鳍的半导体衬底以及设置于所述第一和第二鳍之间的掩埋绝缘层。所述控制栅电极覆盖所述第一和第二鳍的与所述掩埋绝缘层相对的侧面，并且跨越所述掩埋绝缘层延伸。在所述第一和第二鳍与所述控制栅电极之间设置栅极绝缘层。在所述第一鳍的部分内形成第一源极区和第一漏极区，在第二鳍的部分内形成第二源极区和第二漏极区，它们中的每者均与所述控制栅电极隔开。在所述第一鳍的一侧形成第一和第二存储节点层，所述控制栅电极插置于所述第一和第二存储节点层之间，在所述第二鳍的一侧形成第三和第四存储节点层，所述控制栅电极插置于所述第三和第四存储节点层之间。

公开(公告)号：CN1988177A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610101153.0

申请日：2006-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  玄在雄 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  李忠浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种具有GAA结构的Fin－FET，其能够利用鳍周围的整个区域作为沟道区。该具有GAA结构的Fin－FET包括具有体、一对支承柱和鳍的半导体衬底。该支承柱对从所述体向上突出，鳍与所述体间隔开并且具有连接到所述支承柱对并被其支承的两端。栅极电极完全围绕所述半导体衬底的所述鳍的至少一部分并与所述半导体衬底绝缘。栅极绝缘层置于所述栅极电极和所述半导体衬底的所述鳍之间。

公开(公告)号：CN1908702A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610125718.9

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勋 ,  金锡必 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  张丞爀

IPC: G02B5/12 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

Abstract: 一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。

公开(公告)号：CN1881091A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106080.4

申请日：2006-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张丞爀 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金锡必 ,  金勋

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70241 ,  G03F7/70941

Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2，R1s＝R1tcos2i1，R2s＝R2tcos2i2。

公开(公告)号：CN1811593A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510121654.0

申请日：2005-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  柳元壹 ,  金锡必 ,  金勋 ,  张丞爀 ,  金元柱 ,  朴永洙

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

Abstract: 用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。