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公开(公告)号：CN115287764B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210927240.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
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公开(公告)号：CN117107359A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310889356.4
申请日：2023-07-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶体A5Ga9Q16的制备方法及其作为非线性光学材料应用，其中，A选自K、Rb或Cs；Q选自S或Se。所述无机化合物晶体的结构由四面体GaQ接阴形离4通过共点或共边连成子三框维架[Ga，阳9离Q16子]A5‑+离子填充孔洞；属于单斜晶系，Pc空间群。NLO效应是商用AgGaS2的0.3～3.0倍；激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～30倍。可用于用于激光测距、激光制导或激光雷达。
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公开(公告)号：CN115862788B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211703386.3
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于材料细分领域，一种电子结构拓扑分析的方法，包括：通过实验或理论计算获得一个单胞中的电子密度ρ(i,j,k)和波函数其中，i，j，k为三维空间中的位置坐标，m为波函数的序号，ρ和在一个单胞三个方向的取值点个数分别为nx,ny,nz；通过电子局域函数ELF(i,j,k)，计算ELF(i,j,k)值；通过计算出分数维度FD，获取ELF‑FD曲线图，可以提取出电子结构，如电子密度、波函数的深层次的拓扑几何特征，用于分析材料电子结构与性能的关系和高性能材料的研究。
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公开(公告)号：CN115963131A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211708146.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01N23/207 , G06F17/10
Abstract: 本发明属于材料分析领域，一种X射线衍射多重散射校正方法,包括：步骤一、根据晶体的对称特性，获取等效衍射点，等效衍射点为衍射强度I(h，k，l)的点的集合；步骤二、是否满足异常点的判断依据；如果满足，删除；否则，保留；步骤三、是否满足删除比率，如满足，删除；否则，保留；步骤四、剩余的没有异常点的数据集I校正(h，k，l)用于进行后续的精修，校正后的I校正(h，k，l)更利于电子结构精修的准确性。
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公开(公告)号：CN115963130A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211703390.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明属于材料细分领域，一种X射线单晶衍射实验的高角度衍射数据非高斯偏差的校正方法包括：对斑点坐标系K(h，k，l)的衍射斑点W进行强度分布的校正；校正后，一个强度弥散的衍射斑点W校正为强度集中的衍射斑点W＇；通过直接积分I总＝∫f总(x,y)dxdy(其中,f(x,y)为斑点W在各坐标点位置点(x，y)的强度计算出总强度I总；通过高斯函数拟合出背景(其中a、c为拟合参数)，并通过积分I背景＝∫f背景(x,y)dxdy计算I背景；根据I信号＝I总‑I背景计算出校正后的I信号，本发明通过将分散的衍射点强度分布的数据图校正成集中的衍射点强度分布，确保X射线单晶衍射实验数据的准确性，更利于确保后续参与电子结构精修的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938519A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211703421.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于材料细分领域，尤其是一种电子结构精修模型的新方法，步骤包括：建立参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi参数的电子密度模型，计算出每个衍射点的理论结构因子Fk理论(P)；通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度，计算出实验结构因子；建立理论结构因子与实验结构因子的差值函数；采用最小二乘法计算出差值函数中的最小值，获得最优模型的参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi，通过本发明得到材料分析领域精修后的电子结构；后续依据该电子结构进行拓扑分析和材料设计更加精准。
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公开(公告)号：CN114232100B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202111166980.9
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述的分子式为[K4Cl][MGa9Q16]；M选自Cd、Mn或Fe中的一种；当M为Cd时，Q选自S或Se；当M为Mn或Fe时，Q为S；晶胞参数为α＝68.21(2)～68.76(5)°，β＝74.74(5)～74.92(3)°，γ＝84.93(2)～85.32(4)°，V＝723.64(8)～836.01(5)，Z＝1；所述晶体为非中心对称结构，属于三斜晶系，空间群为P1。
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公开(公告)号：CN114232099B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111166654.8
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用，化学式为[K3Cl][MnGa6S12]。具有非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为P31c。晶胞参数为α＝90.0°，β＝90.0°，γ＝120.0°，V＝638.0～638.1，Z＝1。
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公开(公告)号：CN114574972A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574971A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111591718.9
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于单斜相Ga2S3单晶的可视CVT晶体生长装置与方法，属于单晶生长技术领域。将含有Ga2S3多晶原料和ICl3的真空密闭容器在控温区内进行恒温加热；晶体生长结束后降温，得到所述单斜相Ga2S3单晶。生长装置中设计的观察视窗，可以实时观察晶体生长情况，并设定稳定的上升程序，使得晶体结晶界面始终处在恒定的温度点上，进而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸约为Φ10×20mm。
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