-
公开(公告)号：CN104779178A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410014457.8
申请日：2014-01-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02104 , H01L21/0337
Abstract: 本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。
-
公开(公告)号：CN104779156A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410015037.1
申请日：2014-01-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/321
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭示了一种铝残留的去除方法，包括提供前端结构，所述前端结构至少包括金属铝层；在所述金属铝层中形成多个沟槽，所述沟槽中具有铝残留；涂敷光阻，所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中；在对应所述沟槽的光阻处进行曝光，并进行显影，所述显影时间长于设定的标准显影时间。从而将沟槽中的铝残余去除掉，提高了产品质量。
-
公开(公告)号：CN102339733B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010229224.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明的控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit-CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。
-
公开(公告)号：CN102201336B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010136701.X
申请日：2010-03-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。
-
公开(公告)号：CN101546112A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810035089.X
申请日：2008-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种更替掩模版的方法，提高新掩模版替换旧掩模版进行曝光的良率。该方法是先制作新旧掩模版交替曝光的晶圆，然后进行晶圆上相邻小晶粒扫描，查找缺陷，并判断缺陷是否在误差阈值内，如果是，则新掩模版可投入使用；如果不是，舍弃新掩模版，另外制作一块新掩模版，对制作的另外一块新掩模版开始同样的流程。此方法，通过将新旧掩模版交替曝光在同一片晶圆上，在进行相邻小晶粒扫描时，可查出新旧掩模版之间的相异之处，找出新掩模版相对旧掩模版存在的缺陷或旧掩模版本身的缺陷，克服传统更替方法中不能准确判断新旧掩模版匹配度的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101458456A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094528.X
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 杨晓松
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种套刻精度的控制方法和装置，所述套刻精度的控制方法包括：获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前层光刻工艺的光刻工艺条件、计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值；根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光刻工艺。所述套刻精度的控制方法和装置可以减小晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，从而精确地控制套刻精度。
-
公开(公告)号：CN101315514A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710041576.2
申请日：2007-06-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种用于光刻制程的掩模版以及使用该掩模版调式光刻机的套刻精度的匹配方法，涉及半导体领域。本发明提供的掩模版上具有两种或两种以上不同类型的对准标记。使用该掩模版的光刻机具有与掩模版对准标记相匹配的对准系统模块及补正对准系统控制模块，调式套刻精度时，根据测试晶圆的对准标记，启动与晶圆对准标记相匹配的对准系统模块，与掩模版上相匹配的对准标记对齐，进行光刻步骤，对光刻图形进行匹配测试，若套刻精度不符合规格，调整补正对准系统控制模块的数据，循环进行匹配测试，直至套刻精度符合规格。与现有技术相比，本发明有效地缩短调试时间，提高产品的成品率。
-
公开(公告)号：CN114690567B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202011566642.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 中芯南方集成电路制造有限公司
Abstract: 一种套刻偏差的补偿系统及方法，包括：提供若干历史处理晶圆；根据若干历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，晶圆预测补偿数据库包括：历史处理晶圆对应的第一制程路径、每个历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；提供待补偿晶圆；获取待补偿晶圆的第二制程路径；根据待第二制程路径与晶圆预测补偿数据库进行对比，获取待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过晶圆预测补偿数据库能够提前预测待补偿晶圆的补偿值，有效提升了生产效率。另外，晶圆预测补偿数据库中将每个历史处理晶圆的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN117406551A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210789860.2
申请日：2022-07-06
Applicant: 中芯南方集成电路制造有限公司
Abstract: 本申请提供一种曝光方法及系统，所述方法包括：在曝光准备阶段，设备自动控制程序同时发送前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数据获取指令给曝光机台；将待曝光晶圆送入曝光机台；所述曝光机台根据所述获取指令同时获取所述前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数据，并对所述前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数据进行解析，并将解析后的前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数据转换为曝光工艺中的套准补偿数据；根据所述套准补偿数据对所述待曝光晶圆进行曝光。本申请提供一种曝光方法及系统，使用曝光单元级高阶补偿数据对套刻进行补偿，可以提高曝光工艺中套刻对准精度，且减少不同机台、不同批次晶圆之间的精度差异。
-
公开(公告)号：CN114609090A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011424765.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 中芯南方集成电路制造有限公司
Abstract: 一种套刻偏差的测量方法，包括：提供第一批次晶圆，第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组；采用第二波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组；获取第二测量值组与第一测量值组之间的偏差值组；提供第二批次晶圆，第二批次晶圆中包括若干第二测量点；采用第一波长光源对第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组；将第三测量值组与偏差值组相加，获取第四测量值组。使得第二批次晶圆在具有高测量效率的同时，测量精度也有效提升。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.058 seconds)
