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公开(公告)号：CN106502042A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510567725.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明揭示了一种掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法。本发明提供的掩膜版的版图修正方法，包括提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。与现有技术相比，添加SRAF图形后，能够使得各个单元的图形密度变得接近。那么由此进一步获得的掩膜版，能够使得光罩整体的图形密度变得均匀，提高了光罩的合格率，基本上避免了报废。
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公开(公告)号：CN102339733B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010229224.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明的控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit-CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。
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公开(公告)号：CN102201336B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010136701.X
申请日：2010-03-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。
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公开(公告)号：CN101187779A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610118338.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种监测晶圆的零点标记散焦的方法，包括步骤：(1)实时扫描一批晶圆，获得包含每片晶圆的X扩张度和Y扩张度的第一表格；(2)计算第一表格中X扩张度或Y扩张度的最大值和最小值的差值，当该差值超过规范值时，判定该批晶圆包含存在零点标记散焦问题的晶圆。该方法自动实时检测出零点标记散焦问题，通过对检出的晶圆的修复，可避免晶圆良率的下降。
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公开(公告)号：CN102201336A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010136701.X
申请日：2010-03-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359180A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200710044553.7
申请日：2007-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘边缘平整度的检测方法。现有技术中无合适的检测方法来检测静电吸盘边缘的平整度，致使设置在其上进行曝光的晶圆出现边缘器件不良的现象。本发明的静电吸盘边缘平整度的检测方法先提供一具有多个特定图形的光罩，且将其设置在该扫描曝光机台中；再提供一平整且大小与该静电吸盘相当的检测晶圆，并将其放置在静电吸盘上；然后使用该光罩对该检测晶圆进行扫描曝光；接着测量检测晶圆边缘及中心区域的该特定图形的特征尺寸；最后依据检测晶圆边缘及中心区域的特定图形的特征尺寸判断该静电吸盘的边缘的平整状况。本发明的检测方法可准确快速的检测出静电吸盘边缘是否平整，从而避免了静电吸盘边缘不平整所造成器件不良。
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公开(公告)号：CN101211115A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610148811.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 一种评估显影能力的方法，包括下列步骤：在控片上形成光刻胶层；测量光刻胶层得到第一厚度；对光刻胶层进行显影；测量显影后光刻胶层得到第二厚度；将光刻胶层的第一厚度减去第二厚度，获得光刻胶层的厚度差，厚度差越大显影能力越强。经过上述步骤，评估显影机台显影能力的成本降低；同时不影响实际工艺中半导体器件的质量，成品率提高。
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公开(公告)号：CN101459099B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710094527.5
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/00
Abstract: 一种晶圆盒、半导体生产过程的监测系统和方法，所述半导体生产过程的监测系统包括：安装在晶圆盒的盒体上、在晶圆盒的震动强度超过预定的震动强度时输出报警信号的震动感应器；接收装置，接收所述震动感应器输出的报警信号，并输出晶圆盒的震动信息；记录装置，记录所述接收装置输出的晶圆盒的震动信息。所述晶圆盒、半导体生产过程的监测系统和方法可以降低晶圆的污染，提高半导体产品的良率。
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公开(公告)号：CN101286001A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710039477.0
申请日：2007-04-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种聚焦评估的方法，包括下列步骤：制作包含第一器件图形和第二器件图形的控片；依次测量控片上同一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形临界尺寸差值；在与控片同一批次的晶圆上形成第一器件图形和第二器件图形；测量晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸进行相减；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较。经过上述步骤，测量方便，花费时间少。
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公开(公告)号：CN101359180B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710044553.7
申请日：2007-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘边缘平整度的检测方法。现有技术中无合适的检测方法来检测静电吸盘边缘的平整度，致使设置在其上进行曝光的晶圆出现边缘器件不良的现象。本发明的静电吸盘边缘平整度的检测方法先提供一具有多个特定图形的光罩，且将其设置在该扫描曝光机台中；再提供一平整且大小与该静电吸盘相当的检测晶圆，并将其放置在静电吸盘上；然后使用该光罩对该检测晶圆进行扫描曝光；接着测量检测晶圆边缘及中心区域的该特定图形的特征尺寸；最后依据检测晶圆边缘及中心区域的特定图形的特征尺寸判断该静电吸盘的边缘的平整状况。本发明的检测方法可准确快速的检测出静电吸盘边缘是否平整，从而避免了静电吸盘边缘不平整所造成器件不良。
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