公开(公告)号：CN117577623A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202210929342.6

申请日：2022-08-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  钱蔚宏 ,  王西宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：若干中间电极层，每层中间电极层包括：第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干第一分割段和若干第二分割段；相邻上下层的第一分割段和第二分割段具有正对区域。由于第一分割段和第二分割段之间的间隙可通过光刻工艺控制在较小的范围，因此能够保证第一分割段和第二分割段之间、以及第一指状插塞和第二指状插塞之间具有较大的存储密度，以此提升电容器结构的存储密度。

公开(公告)号：CN117577622A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202210927850.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  钱蔚宏 ,  王西宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底；若干中间电极层，中间电极层包括：平行排布的第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干相互分立的第一分割段和第二分割段。由于第一分割段和第二分割段之间的间隙可通过光刻工艺控制在较小的范围，因此能够保证第一分割段和第二分割段之间具有较大的存储密度，以此提升电容器结构的存储密度。

公开(公告)号：CN117476611A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210823262.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  钱蔚宏 ,  王西宁 ,  黄曦

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电感结构及其形成方法，其中结构包括：位于衬底上且位于电感线圈下方的同心环绕设置的若干第一金属线圈，各第一金属线圈两端分别具有第三连接端和第四连接端，第三连接端和第四连接端互不相接，一个第一金属线圈和一个奇数线圈或偶数线圈分别自第一连接端和第三连接端电互连，自第二连接端和第四连接端电互连；位于电感线圈上方的同心环绕设置的若干第二金属线圈，各第二金属线圈两端分别具有第五连接端和第六连接端，第五连接端和第六连接端互不相接，一个第二金属线圈和一个偶数线圈或奇数线圈分别自第一连接端和第五连接端电互连，自第二连接端和第六连接端电互连，且第一金属线圈与第二金属线圈连接不同匝的电感线圈，提高电感品质因数。

公开(公告)号：CN117276252A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210655588.9

申请日：2022-06-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 曲俊凡 ,  王西宁 ,  王晓东 ,  钱蔚宏 ,  杨素素

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电容器结构，包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端，第一电极端和第二电极端之间具有第一区和若干第二区；分别与第一电极端连接的若干第三指状极板，第三指状极板位于第二区上；分别与第二电极端连接的若干第四指状极板，第四指状极板位于第二区上。通过增大第三指状极板和第四指状极板的宽度尺寸，使得电容器结构的整体面积增大，以此降低电容器结构的电阻，提升电容器结构的品质因数。另外，通过增大第二区内的第三指状极板和第四指状极板的面积，使得第三指状极板和第四指状极板的电阻减低，降低第三指状极板和第四指状极板上的电压，减小相邻第三指状极板和第四指状极板之间的绝缘层被击穿的风险，提升电容器结构的可靠性。

公开(公告)号：CN116417439A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111678885.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  刘凌 ,  钱蔚宏

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  H01L23/60 ,  H01L27/07 ,  H01L21/77

Abstract: 一种电感结构及电感结构的形成方法，结构包括：衬底，包括隔离区和环绕隔离区的保护环区；位于隔离区上的若干隔离单元，包括：若干第一栅极层及位于第一栅极层两侧的第一金属层；位于保护环区上的若干第二栅极层；位于第二栅极层两侧的第二金属层；位于隔离区上和保护环区上的第一介质层，第一金属层、第一栅极层、第二栅极层和第二金属层位于第一介质层内；位于第一介质层上的第二介质层；位于隔离区上第二介质层上的若干第三金属层；位于保护环区上第二介质层上的保护环结构；位于保护环区第二介质层内的电连接层，电连接层电连接保护环结构和第二金属层。所述结构使线圈结构和衬底之间的耦合电容减少，从而增加电感的品质因数Q。

公开(公告)号：CN2938404Y

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200620040258.5

申请日：2006-03-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  钱蔚宏 ,  朱辉 ,  赵芳芳

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本实用新型公开了一种测量PN结电流的测试装置，P+端与电压源相连，N+端与电流测试仪器相连。有益效果是，由于检测电流端由现有技术的连接到P+变为连接到N+，使得从N+端测得的电流才是客户需要的准确的PN结电流，即i1，实质上解决了现有技术中二极管结漏电流大的缺陷。

公开(公告)号：CN201311933Y

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200820155120.9

申请日：2008-11-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 黄威森 ,  钱蔚宏 ,  程仁豪 ,  包自意

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: 一种电容器，包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括E形结构和连接所述E形结构的中横线的直线结构，所述直线结构与所述E形结构的中横线构成T形；所述第二电极与第一电极的E形结构相互交错，并包围所述第一电极的E形结构。上述电容器可以构成阵列型电容器或堆叠型电容器。应用所述电容器、阵列型电容器或堆叠型电容器可以获得较大的电容量和节省布局面积。