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公开(公告)号：CN105185801B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201510540844.X
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN108337459B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810153221.0
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/235 , H04N5/353
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。图像拾取装置执行多个像素的曝光时段相互一致的全局电子快门动作。在像素中的至少一个的光电转换单元存储电荷的第一时段中，基于存储于像素的保持单元中的电荷的信号被依次输出到输出线。在终止从像素输出信号之后的第二时段中，像素的保持单元保持电荷。
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公开(公告)号：CN104485340B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102637711B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN102301476B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080006235.1
申请日：2010-01-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN102301475B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080006232.8
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L27/14689 , H01L31/062
Abstract: 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。
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公开(公告)号：CN102714212A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080058034.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/1465
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。
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公开(公告)号：CN102301476A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006235.1
申请日：2010-01-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN100590479C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710108170.1
申请日：2007-05-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
IPC: G02F1/13 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F1/1362
Abstract: 一种液晶显示器和液晶投影机。将多个液晶调制电极以矩阵形式布置在半导体基板28上，将具有透明电极23的透光基板47与半导体基板层压在一起并在两者之间夹置液晶，半导体基板连接到电连接到外部的柔性印刷板25，透明电极不通过半导体基板而连接到柔性印刷板的布线，而布线连接到半导体基板，由此透明电极电连接到半导体基板。半导体基板28提供有防静电保护电路，并且透明电极通过布线连接到防静电保护电路。
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公开(公告)号：CN101388311A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149745.9
申请日：2003-06-13
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供了一种电子发射设备、电子源及图像显示装置。所提供的一种电场发射型电子发射设备，利用它电子束的斑点较小，电子发射区域较大，可能以低电压实现高效电子发射，并且制造过程容易。所述电子发射设备包括一个层2，它电连接到一个阴极电极5，以及多个粒子3，每个粒子包含一种材料，该材料的电阻系数低于组成层2的一种材料的电阻系数，并且其中层2中的粒子3的密度大于或等于1×1014/cm3并且小于或等于5×1018/cm3。
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