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公开(公告)号：CN104134604B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410158183.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场，控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔，从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数，获得上述电子源电子发射的定量化参数，为评价场发射电子源性能，优化场发射电子源制备工艺，完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
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公开(公告)号：CN105140419A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510387117.4
申请日：2015-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种基于低浓度有机无机杂化钙钛矿溶液的快速成膜方法，包括：用有机溶剂配制低浓度的有机无机杂化钙钛矿前驱体溶液，将基底保持特定温度状态，然后将前驱体溶液涂于基底上快速成膜。本发明通过低浓度的钙钛矿前驱体溶液，于特定温度下利用溶剂挥发的特点，在各种常见基底上快速制备毫米量级晶粒大小且致密均匀的钙钛矿薄膜。该方法原材料利用率高、成本低廉、污染较小，生产周期短，适用范围广，在实际应用中效果显著。
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公开(公告)号：CN104575869A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510013392.X
申请日：2015-01-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布一种透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极，包括步骤：制成待图案化的电极；其上制备图案化的保护层；置于刻蚀液或气体中刻蚀；置于清洗液中清洗去掉刻蚀产物和保护层。用本发明方法对金属纳米线进行网格状图案化，制备成一种网格状图案化的透明导电电极。本发明通过气体或较低浓度的刻蚀液对金属或金属纳米线薄膜实现快速、低成本且安全低毒的化学刻蚀，既可彻底刻蚀，也能无影刻蚀，且安全低毒、刻蚀速度快，在实际应用中效果显著。制成的网格状图案化透明导电电极综合纳米线和纳米网格透明电极的优点，在导电性损失极小的前提下大幅提高透明度，性能良好。
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公开(公告)号：CN104134604A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410158183.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场，控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔，从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数，获得上述电子源电子发射的定量化参数，为评价场发射电子源性能，优化场发射电子源制备工艺，完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
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公开(公告)号：CN103943437A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410158154.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体尖端塑形装置及其塑形方法。本发明的塑形装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统和电子束成像系统。本发明在场发射电子源发射体尖端加热发生钝化，并在阳极上加载临界电场形成场致发射，发射体尖端的表面张力和附加电场产生的电场力在表面达到平衡，实现塑形；经过场发射电子源发射体尖端塑形后，其发射体尖端形成稳定的发射面，稳定的发射面能使场发射电子源发射的电子束束流具有发射电流大，发射方向集中，角电流密度高，单色性好和稳定的束流发射等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118317658A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410444145.4
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种改性AgBiS2量子点薄膜及制备方法和应用、光电器件及制备方法。本发明提供的改性AgBiS2量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：将短链配体溶解于含有卤素的极性溶剂中，得到短链配体溶液；将AgBiS2量子点薄膜和所述短链配体溶液混合进行固相配体交换，得到改性AgBiS2量子点薄膜；形成所述AgBiS2量子点薄膜使用的AgBiS2量子点的表面配体为长链配体。以含有卤素的极性溶剂制备短链配体溶液在进行固相配体交换过程中能够很好的诱导短链配体与量子点中长链配体发生交换，所制备的改性量子点薄膜表面含有少量有机配体和缺陷，从而提高其在光电器件应用中的性能。
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公开(公告)号：CN118234349A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410241912.1
申请日：2024-03-04
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
Abstract: 本发明提供一种内嵌式超低电阻透明导电电极及其制备方法，涉及光伏技术领域，内嵌式超低电阻透明导电电极制备方法包括：在透明衬底的一侧沉积一层嵌入层；对所述嵌入层进行刻蚀，以得到图案化的凹槽；在所述凹槽内沉积金属栅线，所述金属栅线凸出于所述嵌入层背离所述透明衬底的一侧预定高度；在所述嵌入层背离所述透明衬底的一侧沉积金属联结层，以得到所述电极。通过利用透明衬底、嵌入层、金属栅线、金属联结层结合的方式极大的提升了透明电极的导电性。通过使金属栅线在嵌入层背离透明衬底的一侧微凸，可以进一步提升光线在钙钛矿电池内部的光散射并提升吸光层的比表面积。
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公开(公告)号：CN117976747A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311757088.7
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
Abstract: 本发明涉及太阳能光伏设备技术领域，尤其涉及一种适用于曲面光伏的叠层电池组件及其制备方法，叠层电池组件包括多组电池条和汇流条，通过将多个柔性叠层电池沿着曲面光伏的轴线方向经电连接件串联形成电池条，多组电池条同一方向的端部通过汇流条进行连接，形成叠层电池组件，保证曲面光伏轴向方向各电池单元的入射光强保持一致，保持较好电流匹配，提升电流稳定性，实现电流均匀分布，避免因电流不均匀而造成的能量损失，提升电池的稳定性和寿命。较薄的厚度使得其内部电场在薄膜内的分布更为均匀，产生更大的电场强度，导致更大的静电力，可以直接粘贴或使用少许压敏胶带即可贴合到曲面光伏衬底上，便于安装以及电池单元的更换。
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公开(公告)号：CN116317864B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310092164.0
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
IPC: H02S20/30 , E06B9/02 , E06B7/086 , E06B7/28 , H02S30/00 , H10K39/12 , H10K39/18 , H10K71/00 , H10K85/50 , H10K30/50 , H10K30/30
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，提供一种百叶窗发电集成装置及其制作方法。百叶窗发电集成装置包括多个钙钛矿太阳能电池单元、多根第一电流收集带、第一分区导电拉绳和第二分区导电拉绳，多根第一电流收集带与多个钙钛矿太阳能电池单元的底电极一一对应电连接；多根第二电流收集带与多个钙钛矿太阳能电池单元的顶电极一一对应电连接。第一分区导电拉绳和第二分区导电拉绳均具有导电段和不导电段，第一分区导电拉绳的导电段与多根第一电流收集带的第一端电连接。本发明提供的百叶窗发电集成装置能够有效提供能源输出，提供一个舒适的环境，降低供暖和空调成本，同时提升整体发电量，实现建筑光能利用扩大化，促进建筑零碳排放。
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公开(公告)号：CN117417743A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311270109.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液相配体交换的AgBiS2量子点及其太阳能电池的制备方法。本发明通过调节反应条件，实现了尺寸极其均匀的高度单分散AgBiS2量子点，这些高度单分散AgBiS2量子点导致了更高程度的液相配体交换，极大地促进了AgBiS2量子点之间载流子的分离与传输，从而能够构筑高性能的AgBiS2量子点太阳能电池；相比较于传统的层层旋涂固态制膜工艺制备AgBiS2量子点太阳能电池，本发明大大简化了AgBiS2量子点太阳能电池的制膜工艺，降低太阳能电池的构筑成本，并显著提升了AgBiS2量子点薄膜的导电性，极大降低了层层旋涂工艺对薄膜的破坏，能够更好的适应于高性能AgBiS2量子点太阳能电池工业化的生产。
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