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公开(公告)号：CN108010962B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率‑击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN111081702A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911128738.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737 , H01L21/82
Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
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公开(公告)号：CN108900175A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810697165.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。
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公开(公告)号：CN105071784B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510425313.6
申请日：2015-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 本发明提供一种宽频带、高Q值有源电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，有源反馈电阻，可变电容，第一电流源，第二电流源，分流支路。两个跨导放大器首尾连接构成回转器，回转器把第一跨导放大器的输入电容回转为等效电感。第一电流源为第二跨导放大器提供电流，第二电流源为第一跨导放大器提供电流。本发明在负跨导放大器采用电压调制的共射‑共基结构组成的复合管，增加了放大器的输出阻抗进而减小零点频率，拓展了带宽；采用有源反馈电阻和可变电容，提高了品质因子Q值和等效电感值以及它们的可调性。通过对各个晶体管栅极电压与可变电容电容值的协同调节，有源电感实现了宽频带、高Q值以及带宽和Q值的可调节。
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公开(公告)号：CN104953984B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510357707.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/30
Abstract: 本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，第一电流镜，第二电流镜，第三电流镜，反馈电容，可调电阻，第一可调电流源，第二可调电压源。其中：两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器能够把第二跨导放大器的输入电容回转成等效电感。可调电阻用于提高晶体管合成电感的等效电感值与品质因子Q值。第一电流镜中的一个MOS晶体管与第一跨导放大器中的一个晶体管连接构成电路复用的负阻网络，提高了Q值。采用反馈电容与三个电流镜构成的前向反馈电流源，改善了电感的1‑dB压缩点和总谐波失真。本发明电感可应用于放大器中，提高放大器的线性度，并且当输入信号的幅度变化时，放大器的增益稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106169498A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0607 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
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公开(公告)号：CN105680822A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610007381.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03H11/0422 , H03F1/565
Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极-共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。
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公开(公告)号：CN104898761A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510357334.9
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F3/28
Abstract: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。
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公开(公告)号：CN103532517A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503445.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，涉及射频集成电路技术，以解决现有的有源电感具有等效电感值和Q值较低，并且带宽较窄的缺点的问题。该发明包括输入输出端、Cascode结构和偏置电流源，其中，还包括有源电阻反馈和分流支路，所述有源电阻反馈包括无源电阻和第二NMOS管并联，并且所述有源电阻反馈两端分别与所述第二晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接；所述分流支路包括第一NMOS管，并且所述第一NMOS管的漏极与第三晶体管的发射极连接。本发明通过对有源电阻反馈和分流支路中的NMOS管电压的调节，实现了有源电感具有大的电感值、高的Q值以及对电感值和Q值的可调谐性。
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公开(公告)号：CN119765007A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411853896.8
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种二维集成半导体激光器阵列仿生水冷热沉，包括由进水口、出水口、水冷柱、腔内室、下螺纹孔、下密封凹槽和腔外壁组成的水冷腔，仿生拓扑导流槽和水冷台。水冷柱顶端包含多圈出水孔，其中每个出水孔均具有相同的半径，且其顶部与台板之间的距离均相等，同时同一圈上的出水孔到水冷柱中心的距离均随着从水冷柱中心向外侧对应的出水孔圈数的增加呈指数增大。仿生拓扑导流槽包含多圈凹槽，其中每个凹槽均具有相同的宽度，同时从每个凹槽中心到仿生拓扑导流槽中心的距离随着从仿生拓扑导流槽中心向外侧对应的凹槽圈数的增加呈指数增大。本发明可以实现对二维集成半导体激光器阵列的有效散热和快速响应，提升光学性能。
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