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公开(公告)号：CN108628791B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810427403.2
申请日：2018-05-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网新疆电力有限公司检修公司
摘要： 本发明公开了一种基于PCIE接口的高速安全芯片架构和高速的数据处理方法。所述高速安全芯片架构将总线、CPU、安全存储单元、DMA、密码运算单元以及高速PCIE接口单元均集成在一个芯片上。只需要使用一颗芯片就可以完成安全芯片的全部功能。所述基于PCIE接口的高速安全芯片架构具有集成度高、面积小、成本低、功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN108762359B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandgap模块工作在主电源电压下，第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN110008154A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910304546.9
申请日：2019-04-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种提高处理器与访存总线时序的方法及内存属性预测器，该方法包括：将处理器中设置内存属性预测器，内存属性预测器包括多个存储内存属性的寄存器单元，每个寄存器单元的地址是内存空间的地址范围按照内存属性类别进行分类后的每一类别中的所有地址的tag位段；当处理器接收到访问指令后对内存属性进行预测，该预测过程包括：内存属性预测器根据所述访问指令中的访问地址找到该访问地址的tag位段从而找到其对应的区域，将该区域中的寄存器单元的内存属性作为预测的内存属性；处理器将该预测的内存属性输出。该提高处理器与访存总线时序的方法及内存属性预测器能够提高CPU与外围总线或设备的接口时序，从而提高MCU的性能。
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公开(公告)号：CN109831290A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910069790.1
申请日：2019-01-24
申请人： 上海交通大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 一种针对基于CAVE算法认证协议的侧信道分析方法，通过采集cdmaOne的认证协议在移动设备上运行时产生的包含CAVE算法执行信息的功耗曲线，从功耗曲线中解析出CAVE算法执行参数，从而恢复出cdmaOne的认证协议所使用的密钥。本发明利用简单功耗分析和相关性功耗分析作为基础攻击工具，根据CAVE算法结构，构造综合攻击方法，通过该方法恢复cdmaOne认证协议中使用的密钥A-key。本方法适用于任何使用基于CAVE算法认证协议的密码系统。
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公开(公告)号：CN109147862A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811003043.X
申请日：2018-08-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统，该NVM测试加速方法包括如下步骤：通过测试命令打入第一NVM操作指令，其中，第一NVM操作指令包括数据和地址信息；对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息；基于第一NVM操作指令，产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号，其中，基于第一NVM操作指令，第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器；基于第一控制信号，并根据数据和地址，进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据；以及基于第一NVM操作指令，对输出数据进行比较处理，并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间，从而降低测试成本，并显著提升测试效率。
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公开(公告)号：CN108762359A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandbap模块工作在主电源电压下，第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN108761236A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522093.2
申请日：2018-05-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： G01R31/003
摘要： 本发明公开了一种RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法。所述性能测试系统包括：热流罩高低温装置，用于对空气进行加热或制冷；热传导装置，通过第一导管与所述热流罩高低温系统相连接，将所述热流罩高低温系统产生的冷热空气进行传输；以及隔热装置，通过第二导管与所述热传导装置相连接，该隔热装置用于容纳所述RFID标签以对其进行高温或低温性能测试。根据本发明的实施方式的RFID标签在高低温条件下的性能测试系统，可以有效评测高低温环境对RFID标签性能的影响，对生产实践有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN108446416A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201711478362.1
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种芯片热仿真温度定位的方法，将热仿真软件输出的文本格式的温度分布文件转化为芯片版图工具可以识别的GDS格式文件，从而将芯片温度定位在芯片版图中。该方法能够将芯片温度很好定位到芯片的版图位置，让芯片设计者更加直观分析出芯片温度的薄弱位置。
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公开(公告)号：CN108345752A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN113253796A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110744854.0
申请日：2021-07-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F1/12
摘要： 本发明涉及芯片领域，提供一种异步输入信号的同步方法及装置、中央处理器、芯片。所述异步输入信号的同步方法用于双核锁步系统，所述双核锁步系统包括第一内核和第二内核，所述方法包括：将异步输入信号同时输入第一同步器和第二同步器；对所述第一同步器的输出信号和所述第二同步器的输出信号进行校验。本发明采用两个同步器进行对比检测，根据两个同步器的输出信号的对比校验结果信息可捕捉到任意一个同步器出现的故障，保障双核锁步系统的安全性和可靠性。
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