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公开(公告)号：CN108345752B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN108446416A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201711478362.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种芯片热仿真温度定位的方法，将热仿真软件输出的文本格式的温度分布文件转化为芯片版图工具可以识别的GDS格式文件，从而将芯片温度定位在芯片版图中。该方法能够将芯片温度很好定位到芯片的版图位置，让芯片设计者更加直观分析出芯片温度的薄弱位置。
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公开(公告)号：CN108345752A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107808058A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711089861.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108828430B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN108091561B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN108828430A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN108267348A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711479741.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，包括如下步骤：S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，得到待研磨样品，对待研磨样品进行初步观察，并对待测区域进行标记；S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理，得到粗磨样品；S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；S4.若样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理；S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，得到待FIB处理样品；S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中，调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高，精度高，截面样品辨识度可达纳米级。
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公开(公告)号：CN107449379A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710692585.1
申请日：2017-08-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G01B17/02
Abstract: 本发明公开了一种用于SIM卡芯片的无损测量方法，SIM卡芯片置于SIM卡模块内部，该无损测量方法包括以下步骤：S1，将SIM卡模块放置在超声扫描显微镜的试验台上；S2，将超声扫描显微镜开启正面扫描模式，直接对SIM卡模块进行检测；S3，将超声扫描显微镜开启反射扫描模式生成超声波图像和波形曲线；S4，对波形曲线进行图形分析；S5，根据公式计算出SIM卡芯片的厚度值；S6，根据步骤S5中计算得到的SIM卡芯片的厚度值与规定的厚度值范围进行比对。本发明的SIM卡芯片测量方法为无损检测手段，不会破坏芯片，不影响后续使用，且简单易操作、准确度高、可以大大节省测量时间和成本，有利于大批量、快速的样品检测。
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