公开(公告)号：CN116536048B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211739279.6

申请日：2022-12-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 黄菲 ,  黄征 ,  田建军

IPC: C09K11/88 ,  H01L31/032 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种尺寸、化学组分可调的CuInSe2/CuInS2核壳结构量子点合成方法及应用，属于纳米材料和能源器件领域。采用热注入法可控合成、尺寸、化学组分可调节的CuInSe2/CuInS2核壳结构量子点，并通过电泳沉积方法将其沉积到介孔TiO2薄膜上，制得光阳极；其与对电极、参比电极和电解液共同组成光电化学电池，在标准测试条件下，可获得8 mA/cm2以上的光电流密度，表明电子‑空穴可有效分离和传输，在光电催化分解水产氢领域展现出较高的应用潜力。该方法具有操作简单、可重复性高等优势，量子点尺寸、化学组分的变化影响能带结构与电荷分离，从而可获得较高的电荷分离和传输效果，减少复合，提升光电器件性能。

公开(公告)号：CN115467026B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202211228536.X

申请日：2022-10-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张林兴 ,  涂杰 ,  刘旭东 ,  李航任 ,  席国强 ,  田建军

IPC: C30B29/22 ,  C30B25/06 ,  C30B25/16 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜及其制备工艺。该Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜的分子式为BixSm1‑xMeO3，其中，x的取值为：0.5，Me为过渡金属元素。具体制备过程为：通过磁控溅射法，使用Sm基陶瓷靶材，在调控衬底温度范围为500‑700℃的生长条件下，制备成分可调控的BixSm1‑xMeO3薄膜。本发明的有益效果是：本发明的薄膜通过该工艺可以调控Sm基室温铁电外延薄膜的A位元素Sm与Bi的相对比例，得到典型的双钙钛矿薄膜，其分子式为Bi0.5Sm0.5MeO3。所述调控和制备方法过程简单，工艺可控，可重复性强，靶材可多次重复使用。

公开(公告)号：CN114409395B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111563632.5

申请日：2021-12-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张林兴 ,  程昕蕊 ,  席国强 ,  田建军

IPC: H01L31/0445 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于功能薄膜和储能信息科技领域，涉及一种极化和带隙可调的铁电光伏薄膜及其制备方法。该铁电光伏薄膜为铁电极化层‑光吸收层‑铁电极化层交替的同质“三明治”结构，其中铁电层和吸光层为同质成分Bi1‑xRexFeO3基薄膜，其中，Re为镧系盐类，制备方法采用化学溶液‑旋涂法合成该结构的铁电多功能薄膜。配制摩尔浓度为0.1‑0.4 M的前驱体溶液，经过旋涂及热解，最后在550℃‑750℃的加热炉中退火20‑30 min，通过共退火的优化，得到铁电和带隙可控的薄膜。本发明采用器件结构设计和溶胶‑凝胶合成法研制的一种新结构铁电薄膜，前驱体成分精确可控，且合成条件简易，最终获得性能优异的高质量铁电薄膜。

公开(公告)号：CN113735594A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110982679.9

申请日：2021-08-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 秦明礼 ,  王月隆 ,  田建军 ,  吴昊阳 ,  贾宝瑞 ,  张智睿 ,  章林 ,  曲选辉

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。

公开(公告)号：CN113636844A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110984168.0

申请日：2021-08-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 秦明礼 ,  王月隆 ,  田建军 ,  吴昊阳 ,  贾宝瑞 ,  张一铭 ,  章林 ,  曲选辉

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN111115592B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202010023793.4

申请日：2020-01-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王月隆 ,  田建军 ,  秦明礼 ,  吴昊阳 ,  贾宝瑞 ,  张智睿 ,  章林 ,  曲选辉

IPC: C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氮化硅粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：(1)将正硅酸四乙酯、硝酸铵和水溶性有机物按照一定比例配制成混合溶液；(2)将混合溶液在不高于100℃的温度下加热搅拌至粘稠浆料；(3)将浆料在100℃‑400℃的非氧环境中反应得到前驱物；(4)将前驱物于1300℃‑1500℃的氮气气氛中反应1‑10h，得到氮化硅粉体；(5)随后在空气中除去多余碳。本发明工艺简单，效率高，成本低，得到的氮化硅粉体颗粒球形度好，粒度小于100nm。

公开(公告)号：CN111416006B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202010124203.7

申请日：2020-02-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张林兴 ,  丁佳麒 ,  杨倩倩 ,  田建军

IPC: H01L31/032 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于凝聚态物理、功能薄膜和纳米科技领域，涉及到一种二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜及其制备工艺。所述二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜的分子式为：yBi2Ox‑BiMeO3，其中，2≤x≤4；1≤y≤4；Me为过渡族金属。该类钙钛矿结构Bi2Ox和钙钛矿结构BiMeO3的晶体结构相似且晶格常数匹配，具有稳定的类四方相超胞结构。制备工艺为：先调制Bi与Me的比值为1‑6的摩尔浓度为0.1‑0.4M的前驱体溶液；经过旋涂、干燥及热解，退火，得到二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜。本发明采用晶体结构设计和溶胶‑凝胶合成法研制新结构薄膜，前驱液成分精确可控且合成条件简易，最终获得性能优异的高质量铁电薄膜。

公开(公告)号：CN111500917B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202010391778.5

申请日：2020-05-11

Applicant: 北京科技大学 ,  北京北冶功能材料有限公司

Inventor： 安宁 ,  孙亚楠 ,  惠希东 ,  田建军 ,  李振瑞

IPC: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明公开了一种高强韧性中熵高温合金及其制备方法，其合金化学成分按重量百分比为：Cr 28.5～32.5％，Co 31.5～33.4％，Ni 32～35％，Al 0.5～6％，Ti 0～6％，Ta 0～3％，C 0.02～0.12％，B 0.002～0.015％，Zr 0.005～0.12％，RE 0.005～0.15％，2％≤Al+Ti+Ta≤6％，其中RE为Ce、La和Y中任一种稀土元素。该合金的制备工艺为将原材料按照比例配料熔炼，锻造电极棒进行重熔，而后进行锻造，制备成合金棒材，合金棒材进行固溶和时效热处理。该合金具有合理的成分配比、宽的热加工窗口及热处理制度，所制备合金棒材具有高的高温强度、良好的热加工和抗氧化性能，是航空发动机和工业燃气轮机热端部件的候选材料。

公开(公告)号：CN110943178B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201911167918.4

申请日：2019-11-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 田建军 ,  毕成浩 ,  姚志伟

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管，属于纳米科技和发光显示领域。本发明二极管是由透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、多维量子阱结构CsPbX3纳米晶发光层EL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成。本发明首先采用化学合成法制备自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶溶液，再采用旋涂技术在TOC上依次旋涂空穴传输层材料HTL、CsPbX3自组装多维量子阱纳米晶溶液、电子传输层材料ETL，最后通过真空蒸发技术在ETL上沉积金属阴极CL。本发明可以通过调控自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶的维度和成分就可以实现400～700纳米可见光发光范围内任意发光谱；而且多维量子阱结构CsPbX3纳米晶的荧光量子产率高、缺陷少；电致发光二极管发光效率和外量子效率高、稳定性好、寿命长。

公开(公告)号：CN111170745A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010025210.1

申请日：2020-01-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王月隆 ,  田建军 ,  秦明礼 ,  吴昊阳 ,  贾宝瑞 ,  刘昶 ,  章林 ,  曲选辉

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  C04B35/582

Abstract: 本发明公开了一种高导热氮化硅基板的制备方法。属于陶瓷材料制备技术领域。本发明采用氮化硅粉末为原料，添加稀土氧化物和碱土金属氧化物作为混合烧结助剂，加入量为6wt％～10wt％，加入高分子化合物并在有机溶剂中球磨混合形成浆料。经流延成形为坯体，在氮气中1400℃～1600℃下预烧结1-5h，再在气压烧结炉中1800℃～2000℃保温2-10h，其氮气压力为0.5-3MPa。本发明使用的氮化硅粉末为高纯α相氮化硅，具有很高的比表面积和高的烧结活性，能够有效降低致密化温度。加入的高分子含碳化合物为多组元，在惰性气氛中进行脱脂和预烧结，可提高制品热导率。制备的氮化硅陶瓷基板热导率不低于90W/m·K，抗弯强度不低于800MPa。