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公开(公告)号：CN101799273B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010133464.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级尺寸结构测量方法及装置，可以同时测量纳米级尺寸结构宽度、深度、侧墙角等参数。本发明方法步骤如下：将白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面；采集样件表面反射信号，计算得到纳米级尺寸结构显微成像图；将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配，提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值。本发明所提供的纳米级尺寸结构测量装置，能为纳米制造技术如传统光刻和纳米压印等基于图形转移的批量化制造技术中所涉及的各种典型纳米级尺寸结构，如孤立线条阵列结构、密集型线条阵列结构提供一种非接触、非破坏性、低成本、快速测量手段。
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公开(公告)号：CN101131317A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710053292.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结构等效多层薄膜堆栈光学模型的理论反射光谱，利用模拟退火算法和基于梯度的优化算法，通过理论反射光谱对该测量反射光谱进行拟合，进而提取沟槽的深度及宽度等集合特征参数，实现了高深宽比深沟槽宽度和深度等尺寸的精确测量。本发明装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN118130390A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410074996.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于椭偏测量领域，并具体公开了一种椭偏测量系统校准方法、系统及椭偏测量方法，其包括：S1、通过椭偏测量系统对已知校准样品进行测量，得到探测光谱信号；S2、对椭偏测量系统进行建模，得到理论光谱信号与光弹调制器延迟量及谐波系数的关系；S3、基于探测光谱信号和理论光谱信号构建评价函数并求解，得到光弹调制器幅值延迟量及谐波系数；S4、根据求得的光弹调制器幅值延迟量及谐波系数，对椭偏测量系统参数进行校准。本发明可实现简单、快速、高精度地椭偏测量系统校准。
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公开(公告)号：CN117451632A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311301581.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于光学仪器测量相关技术领域，其公开了一种成像椭偏仪测量系统成像校准方法，包括：获取相机在多组曝光时间下采集的多组第一图像；对多组第一图像进行拟合获得光强对应的非线性因子，采用非线性因子对相机进行校正；采用校正后的相机进行拍摄获得第二图像，选取第二图像中的一像素点，以该像素点为中心向周边扩展获得多个像素点，对多个像素点的求平均，将像素平均值作为该像素点对应的目标光强值；以目标光强值为出射光强值反解成像椭偏仪测量系统的出射光强积分式获得成像椭偏仪测量系统的傅里叶系数，实现对成像椭偏仪测量系统的成像校准。本申请减弱了光路结构振动、光电转换非线性以光强积分时间偏差导致的误差，提高了校准准确性。
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公开(公告)号：CN113267130B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110658140.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种线扫描膜厚测量系统，包括：照射模块、光谱成像模块和数据处理模块；所述照射模块采用离散分布的光纤，用于产生离散的线性平行光束，垂直照射待测样品；所述光谱成像模块，用于采集待测样品被照射后表面形成的干涉光，生成具有位置维度和光谱维度的二维图像；所述数据处理模块，用于对二维图像进行功率谱分析得到待测样品膜厚。本发明照射模块采用离散分布的光纤，产生离散的线性平行光束，离散测量可以测得远多于单点测量所获得的膜厚，所得到的膜厚分布更接近真实分布。同时产生离散的线性平行光束，减少了膜厚叠加情况，进而可以提高测量精度。能够满足卷对卷加工工艺中大幅宽半导体薄膜的实时在线检测需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112730266A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011488791.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测试测量领域，并具体公开了一种偏振反射测量系统及结构参数测量方法，其包括从上至下同轴设置的光谱仪探测器、聚焦透镜、第一分光镜、第二分光镜、偏振片、反射式物镜和样品台，第一分光镜一侧设有照明光源、管镜和CCD相机，照明光源的照明光经过第一分光镜、第二分光镜、偏振片、反射式物镜、待测样品，然后原路返回，经管镜汇聚到CCD相机中成像；第二分光镜一侧设置有测量光源和准直透镜，测量光源的测量光经过准直透镜、第二分光镜、偏振片、反射式物镜、待测样品上，然后原路返回至第二分光镜，并由聚焦透镜导入光谱仪探测器中。本发明加入成像光路并调整偏振片位置，可精确表征测量区域，同时提高测量精度。
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公开(公告)号：CN112362592A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011187034.8
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测试领域，并具体公开了一种偏振反射测量系统及其检测方法。该系统包括从上至下依次设置的光谱仪探测器、聚焦透镜、第一分光镜、步进电机、偏振片、反射式物镜和样品台，同时该系统还包括设置在第一分光镜一侧的测量光源和准直透镜。该系统创造性地将光路系统中的偏振片从两片降低为一片，并将其放置在反射式物镜和第一分光镜之间，使得该偏振片既提供检偏器的功能，也同时起到起偏器作用，在不影响测量精度的同时既节约了成本，又大大降低了光学模型的校准误差，能够完成微米级大深宽比结构的测量，并且有效提高了测量系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN108709514B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810216877.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并具体公开了一种紧凑型滚转角传感器装置及测量方法，包括线偏振光产生模块、传感模块和集成检测模块，线偏振产生模块包括激光器和线偏振器，传感模块包括波片，波片与待测旋转元件相连并同步转动，集成检测模块包括圆偏振分束超透镜和光强探测器；所述方法采用所述装置进行测量，由激光器发出的准直单色光经线偏振器起偏为线偏振光，然后经波片调制为椭圆偏振光，再垂直照射至圆偏振分束超透镜，经偏振分离和会聚后，得到左旋圆偏振会聚光和右旋圆偏振会聚光，最后左旋和右旋圆偏振会聚光会聚到探测器感光面上不同的两点上，并由探测器测量其光强。本发明具有测量范围大、测量精度高、整体体积小、光路简单的优点。
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公开(公告)号：CN108036744B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711183118.2
申请日：2017-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种纳米薄膜制备过程的大面积动态测量装置及方法，其包括入射光路单元和反射光路单元，入射光路单元用于提供平行光束，平行光束经扩束镜组、反射镜、1/4波片、偏振分束器、1/4波片辐照在纳米薄膜表面并反射；反射光束经两分束器分成三束光，第一光束经1/4波片、偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，第二光束经1/2波片、偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，第三光束经第四偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，根据六个光强值计算出斯托克斯向量，并进行最小二乘拟合提取待测参数，以实现纳米薄膜制备过程的动态观测。本发明具有测量方便可靠、适用性强等优点。
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公开(公告)号：CN108036744A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711183118.2
申请日：2017-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/30
CPC classification number: G01B11/30
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种纳米薄膜制备过程的大面积动态测量装置及方法，其包括入射光路单元和反射光路单元，入射光路单元用于提供平行光束，平行光束经扩束镜组、反射镜、1/4波片、偏振分束器、1/4波片辐照在纳米薄膜表面并反射；反射光束经两分束器分成三束光，第一光束经1/4波片、偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，第二光束经1/2波片、偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，第三光束经第四偏振分束器分束被两成像模块测量获得两个光强值，根据六个光强值计算出斯托克斯向量，并进行最小二乘拟合提取待测参数，以实现纳米薄膜制备过程的动态观测。本发明具有测量方便可靠、适用性强等优点。
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