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公开(公告)号：CN113210158B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110480614.4
申请日：2021-04-30
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： B05B12/08
摘要： 本发明公开了一种印刷制备高均匀器件膜层的压电控制系统及方法，该系统包括：中央控制装置、主压电喷射装置和墨液调节装置，主压电喷射装置、墨液调节装置分别与中央控制装置连接；中央控制装置设有主控制器和压电驱动装置，主控制器用于生成并传输印刷指令进行控制墨液、电喷头的印刷处理，压电驱动装置用于驱动主压电喷射装置；墨液调节装置设有第一分液装置、第二分液装置，第一分液装置、第二分液装置调整溶剂的输送速率并设置总流量维持恒定值。本发明通过第一分液装置、第二分液装置分别改变第一溶剂、第二溶剂输送量进行控制不同时间段内喷射墨滴的溶剂挥发量，使得前后喷射的墨滴呈现沸点梯度差异，进一步提高成膜均匀性的技术效果。
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公开(公告)号：CN113459671A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110717843.3
申请日：2021-06-28
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于电磁耦合作用的柔性可变尺寸微压电喷头及调节方法，该喷头包括：流体输入管、螺纹直插头、固定密封组件、流道、压电主体、底座、强电螺纹管主体、喷嘴固定座和喷嘴主体；流体输入管同轴插入螺纹直插头内，压电主体在流道中产生按需式喷墨；强电螺纹管主体包括芯柱和强电螺线管，强电螺线管同轴围绕在芯柱上；喷嘴主体包括弱电螺线管、内侧柔性壁和喷嘴，弱电螺线管同轴围绕内侧柔性壁，弱电螺线管的内壁与内侧柔性壁的外壁贴合，弱电螺线管与强电螺线管处于同条轴线上；调节强、弱电螺线管的电流方向与大小，完成喷嘴尺寸大小调节。本发明实现传统压电喷头无法印刷的亚微米尺寸目标，并将同型号压电喷头拓宽至不同印刷场合。
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公开(公告)号：CN109553126B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910002046.X
申请日：2019-01-02
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C01G19/02
摘要： 本发明属于半导体材料领域，公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料，放置于管式炉中心加热区，将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体，放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空，然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积，在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染，形状规则。
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公开(公告)号：CN113223791A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110467238.5
申请日：2021-04-28
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法；所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。将基底清洗和干燥处理，然后采用电流体打印将纳米银溶胶在基底上打印压敏器件，将打印的压敏器件退火固化，得到窄线宽金属型低压压敏器件。所述压敏器件的压敏电阻稳定，非线性系数较大，漏电流小，微观均匀性较好；工艺简单，烧结温度低。
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公开(公告)号：CN113211984A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110430630.2
申请日：2021-04-21
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种印刷高质量OLED显示膜层的压电控制系统及方法，系统包括上位机、压电驱动系统、运动控制系统、水平静墨系统和墨滴监测系统，打印时，压电驱动系统的压电喷头、水平静墨系统和墨滴监测系统随着运动控制系统移动且压电喷头喷射带电墨滴，带电墨滴喷出后由水平静墨系统消除水平方向初速度，使其竖直下落撞击至基板上并向四周均匀铺展开，实现均匀成膜。墨滴监测系统采集基板上墨滴的图像并上传至上位机以统计出墨滴溅射产生的杂散点数量，上位机自动调控喷射高低来减小高度对杂散点的影响，使杂散点数量始终维持在阈值范围内。整个打印过程高度自动化，且提高了显示膜层成膜质量和印刷制备OLED器件工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN109524469B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
摘要： 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108777250B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108336135B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112768140A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011608047.8
申请日：2020-12-30
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用。所述方法如下：将退火处理后的银纳米线透明导电膜作为阴极，铂电极作为阳极，银|氯化银电极作为参比电极，含九水合硝酸铝的溶液作为电解液，通过三电极系统恒电压模式在银纳米线透明导电膜上电沉积氧化铝保护层，漂洗，退火得到氧化铝防护银纳米线透明电极。本发明通过控制反应速率改良电沉积工艺，将氧化铝精准沉积在银纳米线表面，不影响透光区域，并通过沉积过程促进银纳米线之间的接触，以高平整度的表面避免了包覆层的光吸收，实现了稳定性与光电性能的提升，极大简化了银纳米线防护工艺与柔性透明电极的制备成本，促进了柔性电子的发展。
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公开(公告)号：CN112652716A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011442474.3
申请日：2020-12-11
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述有机薄膜晶体管结构自下而上依次为衬底、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；或自下而上依次为衬底、铝、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；所述有源层材料为PDQT。本发明以半导体聚合物材料PDQT为有源层，并用OTS修饰绝缘层，可显著提高有机薄膜晶体管对载流子的传输特性，为制备全溶液的全有机薄膜晶体管器件阵列提供参考。
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