一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法

    公开(公告)号:CN107230606B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201610168591.2

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法,包括铯源激活和氧源激活,其激活步骤如下:1、开启铯源,光电流逐渐上升,光电流达到峰值后下降;2、当光电流下降速率小于0.2μA/min时,开启氧源,并保持铯源开启状态,光电流转为上升;3、当光电流再次到达峰值时关闭氧源,光电流先小幅上升然后立刻下降;4、重复步骤2和3,直到光电流的峰值电流不再增加时,先后关闭氧源和铯源,结束激活过程。通过上述方式,本发明可以得到稳定性更好、量子效率更高的砷化镓光电阴极,同时由于操作步骤简单,为实现计算机自动控制激活提供了一种更好的激活方法。

    多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109801820A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201811601638.5

    申请日:2018-12-26

    Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法,该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层,其中,所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1-xAs层、p型GaAs层、p型Ga1-yAlyAs层。在发射层中,InxGa1-xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05,GaAs层掺杂方式为变掺杂分布,Ga1-yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术,一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度,帮助光生电子向发射表面迁移,更有利于光生电子的发射。

    一种含有未知参数的主从机械臂系统的同步控制方法

    公开(公告)号:CN109397284A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201810563066.X

    申请日:2018-06-04

    Abstract: 本发明公布了一种含有未知参数的主从机械臂系统的同步控制方法,包括步骤1:分析含有未知参数的主从机械臂系统的结构;步骤2:建立主从机械臂系统的误差状态模型;步骤3:设计一种控制器,实现主从机械臂系统的同步控制。本发明与现有技术相比,其显著优点在于:(1)本发明涉及的是两个机械臂系统,实现的是主从机械臂的同步控制,更具有应用价值;(2)考虑到了系统参数的不确定性以及有界的外部扰动,更切合实际,具有一般性。

    一种忆阻神经网络的网络化同步控制设备和获取方法

    公开(公告)号:CN108762067A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810397178.2

    申请日:2018-04-28

    CPC classification number: G05B13/042

    Abstract: 本发明给出了一种忆阻神经网络的网络化同步控制方法,考虑如右图所示的网络化同步控制结构示意图,包括驱动系统、响应系统、传感器、控制器和缓冲器。其中驱动系统和响应系统为相应的忆阻神经网络;传感器1采样驱动系统的状态向量,通过一般的通信网络将数据传输给控制器;传感器2采样响应系统的状态向量并高速存入缓冲器;控制器根据接收到数据包的信息,从缓冲器中寻找合适的状态向量并计算出相应的控制信号作为响应系统的输入。由于数据经过网络传输,需要考虑网络中存在的网络诱导时滞、数据包丢失以及外部随机干扰特性。本发明就是在此基础上构造了一个合适的控制器,使响应系统和驱动系统的状态实现指数均方同步。

    一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法

    公开(公告)号:CN108646566A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810600284.6

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本发明给出了一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法,包括以下步骤:步骤1:分析基于网络通信的双边遥操作系统的结构、网络通信中存在的非对称的时变时延和如何降低传输能耗问题;步骤2:针对网络通信中存在的非对称的时变时延和降低传输能耗问题,设计一种有效的基于采样的双边遥操作系统从转矩反馈的控制方法保证透明性与同步性能;步骤3:通过仿真实例对所得分析结果进行验证。

    一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法

    公开(公告)号:CN107230606A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201610168591.2

    申请日:2016-03-23

    CPC classification number: H01J9/12

    Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法,包括铯源激活和氧源激活,其激活步骤如下:1、开启铯源,光电流逐渐上升,光电流达到峰值后下降;2、当光电流下降速率小于0.2μA/min时,开启氧源,并保持铯源开启状态,光电流转为上升;3、当光电流再次到达峰值时关闭氧源,光电流先小幅上升然后立刻下降;4、重复步骤2和3,直到光电流的峰值电流不再增加时,先后关闭氧源和铯源,结束激活过程。通过上述方式,本发明可以得到稳定性更好、量子效率更高的砷化镓光电阴极,同时由于操作步骤简单,为实现计算机自动控制激活提供了一种更好的激活方法。

    浮栅式GaAs阴极真空三极管
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105845753B

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201610211928.3

    申请日:2016-04-06

    Abstract: 本发明涉及一种浮栅式GaAs阴极真空三极管,由光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金和陶瓷管组成,所述光电阴极组件与第一可伐合金通过铟封材料连接,第一可伐合金通过陶瓷管与第二可伐合金相连,三极管内部为真空,第一可伐合金作为光电阴极组件的管脚,第二可伐合金作为三极管收集电子的阳极以及管脚,所述光电阴极组件包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层和玻璃层。本发明在现有的GaAs阴极真空二极管结构的基础上增加一层控制浮栅层结构,很好地解决了现有GaAs阴极真空二极管只有在外加电压下才能工作的问题,更有利于实验的测量。

    浮栅式GaAs阴极真空三极管
    70.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105845753A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610211928.3

    申请日:2016-04-06

    CPC classification number: H01L31/0224 H01L31/112

    Abstract: 本发明涉及一种浮栅式GaAs阴极真空三极管,由光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金和陶瓷管组成,所述光电阴极组件与第一可伐合金通过铟封材料连接,第一可伐合金通过陶瓷管与第二可伐合金相连,三极管内部为真空,第一可伐合金作为光电阴极组件的管脚,第二可伐合金作为三极管收集电子的阳极以及管脚,所述光电阴极组件包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层和玻璃层。本发明在现有的GaAs阴极真空二极管结构的基础上增加一层控制浮栅层结构,很好地解决了现有GaAs阴极真空二极管只有在外加电压下才能工作的问题,更有利于实验的测量。

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