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公开(公告)号：CN110148601B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201910468906.9
申请日：2019-05-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上依次层叠设置的遮光金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层；栅极所在的第一金属膜层还包括栅线，源漏极所在的第二金属膜层还包括数据线；栅线在与数据线相对区域的表面具有氧化物金属层。本发明通过在与数据线具有相对区域的栅线的表面设置氧化物金属层，由于氧化物金属层的介电常数和击穿电压较高，可以极大的降低栅线和数据线在交叠区域发生短路的可能性。因此采用本发明实施例提供的阵列基板能够解决相关技术中栅线和数据线之间的交叠区域易发生短路，而造成面板良率下降的问题。
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公开(公告)号：CN115377317A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210908258.6
申请日：2022-07-29
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。该显示基板包括：基板；阳极层，位于基板的一侧；辅助阴极结构，设置在基板上并与阳极层位于基板的同一侧，且辅助阴极结构在基板上的正投影与阳极层在基板上的正投影无交叠；阴极层，位于基板的一侧；其中：阴极层覆盖阳极层和辅助阴极结构，辅助阴极结构将阴极层断开，阴极层的断开端与辅助阴极结构连接。本申请实施例解决了现有技术存在的阳极厚度较大，容易诱发大量的暗点/亮点不良，导致Panel(面板)品质下降的技术问题。
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公开(公告)号：CN114005882A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111266630.X
申请日：2021-10-28
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G02F1/136
摘要： 本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底；有源层，位于所述衬底的上方，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；源漏金属层，位于所述有源层的上方，通过过孔与所述导体化区的有源层搭接；防刻层，位于所述导体化区的有源层与所述衬底之间，所述防刻层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层与所述源漏金属层的搭接区在所述衬底上的正投影。使用本申请提供的一种薄膜晶体管及其制备方法，可以避免将有源层刻穿后继续向衬底刻蚀，以避免有源层与衬底接触所带来的短路问题，且源漏金属层与防刻层之间上下搭接，也降低了搭接不良的风险。
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公开(公告)号：CN113593468A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110951056.5
申请日：2021-08-18
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 本发明提供了一种像素驱动方法及显示装置，涉及显示技术领域。其中，该方法包括：首先从多个子像素中，确定在目标帧中灰阶为非0的第一子像素，也即被点亮像素，目标帧为当前帧或下一帧，然后在包括第一子像素在内的区域范围内，确定在目标帧中的灰阶为0的第二子像素，也即受到被点亮像素产生的NBTIS作用影响的未被点亮像素，进而将第二子像素在目标帧中的数据信号电压从负值调整为一个较小的正值。如此，可以对被点亮像素周边一定范围内的未被点亮像素进行驱动补偿，从而避免了未被点亮像素对应的氧化物薄膜晶体管在NBTIS作用下的负向漂移，改善了显示过程中的残像问题。
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公开(公告)号：CN108493197B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810326088.4
申请日：2018-04-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/336
摘要： 本申请公开了一种顶栅型阵列基板制备工艺，包括在栅极绝缘层上形成栅极层且不去除形成所述栅极层所用的第一光刻胶；在所述栅极绝缘层上需要刻蚀的位置之外设置第二光刻胶并进行刻蚀直至露出栅极层正投影下方之外的有源层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。根据本申请实施例提供的技术方案，在栅极层形成之后不进行第一光刻胶的剥离，接着在栅极绝缘层上设置第二光刻胶对栅极绝缘层进行刻蚀，能够顺利的对栅极绝缘层进行刻蚀，不会出现栅极绝缘层不同位置刻蚀程度不一致，对后续工艺产生影响的情况，能够有效提升屏幕的显示效果和产品质量。
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公开(公告)号：CN112018264A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010906721.4
申请日：2020-09-01
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及照明与显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法。用于进一步提高水汽隔离效果。一种发光基板，包括：衬底、设置于衬底上且位于隔离区的隔离部、设置于衬底上且位于发光区的第二绝缘图案层，设置于衬底上且覆盖发光区和隔离区的第一导电薄膜，隔离部包括：沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电图案层、第二导电图案层和第一绝缘图案层；第一导电图案层在衬底上的正投影位于第二导电图案层在衬底上的正投影的边沿以内，且二者之间具有第一间隙；第一绝缘图案层与第二绝缘图案层同层设置且之间具有第二间隙；第一导电薄膜位于第二绝缘图案层远离衬底的一侧，且第一导电薄膜在隔离部靠近发光区的一侧断开。
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公开(公告)号：CN109166823B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810966838.4
申请日：2018-08-23
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77
摘要： 本发明涉及显示器技术领域，提出一种阵列基板的制作方法，该方法包括：形成一初始栅极，其中，所述初始栅极的边沿具有坡面；对所述初始栅极边沿的坡面以及所述坡面向内延伸的部分平面进行预设厚底的刻蚀，从而减小所述初始栅极坡面的坡角。本公开通过对所述初始栅极边沿的坡面以及所述坡面向内延伸的部分平面进行预设厚底刻蚀，减小了初始栅极边沿坡面的坡角，从而减小了初始栅极与层间绝缘层之间出现断裂或空隙的概率。
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公开(公告)号：CN109884086B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910233026.3
申请日：2019-03-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01N22/04
摘要： 本发明公开了一种环境湿度的检测方法及装置，涉及检测技术领域，主要目的在于解决现有的湿度检测过程中，存在精确度较低的问题。本发明的方法主要包括：向预设湿度检测板发射微波信号，所述湿度检测板用于当处于不同湿度的环境时生成对应程度的褶皱，所述湿度检测板是由碳氮化合物薄膜层及石墨烯层相互层叠制成的；接收微波反射信号，所述微波反射信号为所述微波信号在经所述预设湿度检测板后反射的信号；根据所述微波反射信号与所述微波信号，确定所述预设湿度检测板所处环境的湿度信息。本发明适用于对环境的湿度进行检测的过程。
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公开(公告)号：CN110164873A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910464234.4
申请日：2019-05-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，对形成在平坦化层上的光刻胶层进行图案化处理，使薄膜晶体管漏极上方的部分第一通孔内没有光刻胶层、第一通孔的其它部分保留部分光刻胶层、色阻层上方的光刻胶层完全保留；在后续对钝化层进行干刻处理时，由于第一通孔的其它部分仅保留部分光刻胶层，相对现有技术中第一通孔的其它部分完全保留的光刻胶层较薄，本发明有利于在干刻钝化层时形成较好的干刻角度；另外本发明色阻层上方的光刻胶层厚度相对现有技术中色阻层上方的光刻胶层厚度较厚，在对钝化层进行干刻时，可以防止对色阻上方的平坦化层产生干刻损伤，避免使得后续有机发光层蒸镀异常以及有机膜透过率降低的可能。
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公开(公告)号：CN110148601A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910468906.9
申请日：2019-05-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上依次层叠设置的遮光金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层；栅极所在的第一金属膜层还包括栅线，源漏极所在的第二金属膜层还包括数据线；栅线在与数据线相对区域的表面具有氧化物金属层。本发明通过在与数据线具有相对区域的栅线的表面设置氧化物金属层，由于氧化物金属层的介电常数和击穿电压较高，可以极大的降低栅线和数据线在交叠区域发生短路的可能性。因此采用本发明实施例提供的阵列基板能够解决相关技术中栅线和数据线之间的交叠区域易发生短路，而造成面板良率下降的问题。
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