公开(公告)号：CN117279446A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311226858.5

申请日：2023-09-21

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 崔容豪 ,  玄丽燕 ,  王明 ,  王安君 ,  赵策

IPC分类号： H10K59/50 ,  H10K59/80 ,  H10K59/12 ,  H10K50/856 ,  H10K50/805 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60

摘要： 本申请公开了一种显示面板、显示装置及其制备方法，其中，显示面板包括钝化层，钝化层设置有多个凹槽，凹槽自槽口至槽底逐渐缩小；平坦化层，设置于钝化层上，平坦化层对应于各所述凹槽分别设置有通孔，通孔自远离所述钝化层的一端至靠近钝化层的一端逐渐缩小，且，在所述平坦化层的正投影中，槽口位于通孔靠近所述平坦化层一端的孔口内，一一对应设置的所述通孔与所述凹槽形成阶梯槽；第一电极层包括多个第一电极图案，各所述第一电极图案的至少部分随形的设置于所述阶梯槽内；所述第一电极层透光，且至少所述阶梯槽的内侧面反光；或者，所述第一电极层反光。上述方案至少提高了显示面板的开口率。

公开(公告)号：CN117202698A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311260439.3

申请日：2023-09-26

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王安君 ,  赵策 ,  王明 ,  苏同上 ,  宋嘉文

IPC分类号： H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

摘要： 本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备，其中的制造方法包括提供衬底基板，衬底基板包括阳极区、辅助电极区以及阳极区与辅助电极区之间的间隔区；在衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层；第一透明导电层位于阳极区和辅助电极区，第二透明导电层位于阳极区、间隔区和辅助电极区，第一金属层位于辅助电极区；刻蚀掉位于间隔区的第二透明导电层；在间隔区、第一金属层和位于阳极区的第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；刻蚀掉位于间隔区的第三透明导电层和第二金属层，获得位于辅助电极区的辅助电极结构和位于阳极区的阳极结构。该方法能够降低显示串色的几率。

公开(公告)号：CN117157767A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280000584.5

申请日：2022-03-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 王明 ,  倪柳松 ,  仵康康 ,  胡迎宾 ,  许晨

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H10K59/121

摘要： 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，该薄膜晶体管，包括：基底以及在基底上叠设的遮挡层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和导电层；其中，导电层包括：栅电极、源电极和漏电极；有源层包括：沟道区域、位于沟道区域两侧的源过渡区域和漏过渡区域、位于源过渡区域的远离沟道区域一侧的源连接区域、以及位于漏过渡区域的远离沟道区域一侧的漏连接区域；源过渡区域和漏过渡区域均包括：依次连接的第一子区、第二子区和第三子区，第一子区位于第二子区的远离沟道区域的一侧，第三子区位于第二子区的靠近沟道区域的一侧，第二子区的厚度为沟道区域的厚度的k倍，k为0.8至1.5。

公开(公告)号：CN111834381B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202010751811.0

申请日：2020-07-30

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王明 ,  宋威 ,  胡迎宾 ,  宋星星

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12

摘要： 本申请涉及显示领域，提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法，该阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个子像素单元，每个子像素单元包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、绝缘层及栅极层，且至少一个薄膜晶体管的有源层与绝缘层之间设置有第一缓冲层，第一缓冲层用于增大有源层与栅极层之间的距离。应用本申请，可以减少或避免产品在进行电学补偿后出现线性不良的现象，提高顶栅产品的良率。

公开(公告)号：CN113707831B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202111005610.7

申请日：2021-08-30

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  倪柳松 ,  王明 ,  仵康康 ,  张海风 ,  张冬冬

IPC分类号： H10K50/856 ,  H10K50/844 ,  H10K50/805 ,  H10K59/124 ,  H10K71/00

摘要： 公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于避免显示面板出现的暗点不良的现象。该显示基板包括衬底和多个子像素。多个子像素位于衬底的一侧；一个子像素包括：像素驱动电路、应力释放层和反射电极。应力释放层位于像素驱动电路远离衬底的一侧，应力释放层远离衬底的一侧表面上具有凹陷结构。反射电极位于应力释放层远离衬底的一侧，且与像素驱动电路连接；反射电极包括反射金属层，反射金属层覆盖凹陷结构的至少部分。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，能够提升显示面板的显示效果。

公开(公告)号：CN112786707B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202110120488.1

申请日：2021-01-28

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  王明 ,  丁远奎 ,  王庆贺 ,  仵康康 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

摘要： 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度，使得沟道区的宽度增大，从而在沟道区长度保持一定的情况下，能够增大沟道区的面积，能够提高薄膜晶体管中电子迁移率，进而能够提高薄膜晶体管中开态电流，能够保障薄膜晶体管的工作性能。

公开(公告)号：CN113066803B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202110304206.3

申请日：2021-03-22

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王海涛 ,  王明 ,  成军 ,  周斌 ,  汪军 ,  黄勇潮 ,  苏同上 ,  王庆贺

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本申请公开了一种显示面板的制造方法、显示面板以及待切割显示面板，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成第一静电保护电路以及源漏导电图案；去除位于目标切割区域中的源漏导电图案；在衬底基板上形成上层结构，以形成待切割显示面板；在目标切割区域对待切割显示面板进行切割。本申请通过在制造显示面板的内部结构时，仅去除目标切割区域的源漏导电图案，而保留目标切割区域中的静电保护电路，进而静电保护电路就可以在显示面板的内部结构形成的过程中始终起到静电防护的功能，提高了显示面板的制造良率，可以解决相关技术中显示面板的制造良率较低的问题，实现了提高显示面板的制造良率的效果。

公开(公告)号：CN111244115B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202010159284.4

申请日：2020-03-09

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 倪柳松 ,  赵策 ,  王明 ,  胡迎宾 ,  宋威 ,  王庆贺 ,  李广耀 ,  刘宁 ,  李伟 ,  刘军

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示装置，能够避免第一导电层和第二导电层在交叠区域产生短路。包括衬底基板；设置在衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。第一导电层包括至少一条第一走线，第一走线包括多个走线段和位于相邻两个走线段之间的间断部，第二导电层包括至少一条第二走线，第二走线在衬底基板上的正投影与第一走线在衬底基板上的正投影相交叉，交叉的区域位于间断部在衬底基板上的正投影内；设置于第一导电层远离第二导电层的一侧的第三导电层，以及设置于第三导电层与第一导电层之间的第二绝缘层，第三导电层包括多个连接图案，一个连接图案将一个间断部两侧的两个走线段通过第二绝缘层上的过孔电连接。

公开(公告)号：CN110707107B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201911153866.5

申请日：2019-11-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 王明 ,  王东方

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板、栅极材料层、层间介质层、源漏材料层和钝化层，其中，衬底基板设置有显示区和外围区；栅极材料层设于衬底基板的一侧，且栅极材料层在外围区设置有第一数量的第一引线；层间介质层设于栅极材料层远离衬底基板的一侧，且覆盖显示区和外围区；源漏材料层设于层间介质层远离衬底基板的一侧，且源漏材料层在显示区设置有第一数量的源漏引线，各个源漏引线与各个第一引线一一对应地通过第一过孔电连接；钝化层设于源漏材料层远离衬底基板的一侧，且覆盖显示区和外围区。该阵列基板可以提高制备良率。

公开(公告)号：CN110514652B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201910803782.5

申请日：2019-08-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 倪柳松 ,  胡迎宾 ,  宋威 ,  刘冲冲 ,  王明 ,  赵策 ,  闫梁臣

IPC分类号： G01N21/76 ,  H01L27/144

摘要： 本发明涉及检测设备技术领域，公开了一种PH传感器及其制备方法，该PH传感器包括：衬底基板，依次形成于衬底基板一侧的有机磷光材料层、遮光金属层、缓冲层、薄膜晶体管器件层、钝化层、平坦层、阳极、发光层、阴极和封装层，其中，与有机磷光材料层相对的部位的薄膜晶体管器件层为光敏薄膜晶体管器件层，衬底基板与光敏薄膜晶体管器件层相对的部位形成有多个气体进入通道；衬底基板背离有机磷光材料层的一侧设置有用于激发有机磷光材料层的光源。该PH传感器实现了对环境空气的PH值的可视化检测，且该PH传感器检测方便，操作简单。