公开(公告)号：CN108154004A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711432502.1

申请日：2017-12-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  王杨 ,  代兵 ,  孙侨阳 ,  刘康 ,  舒国阳 ,  高鸽 ,  赵继文 ,  刘本建 ,  杨磊 ,  韩杰才

IPC: G06F19/00 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。

公开(公告)号：CN107400923A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710607290.X

申请日：2017-07-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  赵继文 ,  代兵 ,  杨磊 ,  韩杰才 ,  舒国阳 ,  刘康 ,  高鸽 ,  吕致君 ,  姚凯丽 ,  王强 ,  刘本建

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02

CPC classification number: C30B28/14 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。