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公开(公告)号：CN107400923A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B28/14 , C23C16/01 , C23C16/0254 , C23C16/27 , C30B29/04
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107400923B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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公开(公告)号：CN107523828B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN108728798B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810597162.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石的加工方法，属于超硬材料加工技术领域。本发明解决了现有金刚石加工精细度不高的问题。本发明首先将带蒸镀掩模板的金刚石在蒸发镀膜机内进行铁镀膜，待膜层冷却后取出镀膜后的金刚石；将镀膜后的金刚石置于微波等离子体CVD仪器的CVD仓内；将CVD仓抽真空，然后通入氢气，打开微波源通入微波起辉，调节刻蚀温度、微波功率以及CVD仓内气压，开始刻蚀；刻蚀完成后，调节微波功率和CVD仓内气压，然后关闭微波，待冷却后，向CVD仓内通入空气，打开CVD仓取出刻蚀后的金刚石。本发明可用于金刚石精密加工。
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公开(公告)号：CN108728798A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810597162.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石的加工方法，属于超硬材料加工技术领域。本发明解决了现有金刚石加工精细度不高的问题。本发明首先将带蒸镀掩模板的金刚石在蒸发镀膜机内进行铁镀膜，待膜层冷却后取出镀膜后的金刚石；将镀膜后的金刚石置于微波等离子体CVD仪器的CVD仓内；将CVD仓抽真空，然后通入氢气，打开微波源通入微波起辉，调节刻蚀温度、微波功率以及CVD仓内气压，开始刻蚀；刻蚀完成后，调节微波功率和CVD仓内气压，然后关闭微波，待冷却后，向CVD仓内通入空气，打开CVD仓取出刻蚀后的金刚石。本发明可用于金刚石精密加工。
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公开(公告)号：CN107523828A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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