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公开(公告)号：CN113067617B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110277258.6
申请日：2021-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林信通科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种独立增强型广义正交空间调制方法，通过在同相分量域和正交分量域激活可变数量的发射天线来扩展空间星座图，且同相分量和正交分量的空间星座图的扩展方式相同，从而可以携带更多的数据比特，在相同的误码率下可以传输相对于传统广义正交空间调制技术更多的比特数，也即实现更高的频谱效率。本发明利用激活不同数量的发射天线构建一种增强型广义正交空间调制实现高传输速率，这为构建节能、高速率的空间调制系统提供了一种有效方法，具有一定的参考价值。
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公开(公告)号：CN112129971B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011070554.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01P13/02
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的光栅尺实时辨向方法及系统，涉及光电信号处理领域。本方法包括以下步骤：使用两级D触发器分别对两路光栅尺数据信号进行过采样和延迟处理，基于过采样和延迟处理后的数据信号生成上升信号、下降信号和保持信号三种变化趋势信号以及静止信号；分别统计每一路数据信号的符号位以及变化趋势信号；当符号位和变化趋势信号符合设定的运动方向判据时，判定运动方向为有效的运动方向。本发明能检测出光栅尺被测量物体的运动方向，具有高实时性和可靠性。
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公开(公告)号：CN113114323A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110437926.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B7/08 , H04B7/0456 , H04B7/0413
Abstract: 本发明公开一种MIMO系统的信号接收方法，首先，信道估计避开对信道矩阵H的估计，接收端利用时间和频率的高度相关性将导频位置的信道估计拓展到整个信道传输矩阵；然后，信号检测采用干扰消除的方法，信号检测采用一组线性接收机，每个接收机检测并行数据中的一组数据，然后从接收端减去检测出的信号成分，使剩余的信号受到的更少的干扰，最终检测出全部信号。本发明主要适用于解决高速移动的通信场景中产生的延时和多普勒频移问题。
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公开(公告)号：CN111327277A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010120589.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。
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公开(公告)号：CN105958189B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610377083.5
申请日：2016-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种小型化宽带天线，包括辐射体、绝缘介质基板和金属背腔；金属背腔为1个下底面和2个左右相对的侧壁所构成的U形腔；绝缘介质基板覆盖在金属背腔的上顶面开口处；辐射体呈平面状印制于绝缘介质基板的上表面；辐射体由2个扇形单元和2条微带线组成；2个扇形单元的顶点形成辐射体的馈电点；2个扇形单元对称分布在绝缘介质基板的左右两侧，2个扇形单元的馈电点相对，并隔开一定距离；每条微带线均为弯曲状延伸的线形；微带线的两端分别接在2个扇形单元的同侧底端点上；2条微带线对称分布在绝缘介质基板的前后两侧。本发明能够减小天线的尺寸，满足系统对目标的探测要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
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公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN105842710A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410705123.5
申请日：2015-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于VRS差分原理的低轨双星时差频差精密修正方法，该方法利用地面合作辐射源在未知辐射源附近建立一个物理上并不存在的虚拟参考站，从而利用此虚拟参考站去修正未知辐射源的时频误差。本发明不仅扩大了现有方法的应用范围，而且利用本发明去对未知辐射源时差改正精度可以达到97%，频差改正精度可以达到95%。同时利用改正后的时频差对未知辐射源定位，其定位精度比传统的时差频差定位体制有大幅度提高。
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公开(公告)号：CN104986725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510414119.8
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法，包括：在基底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性微纳米光刻胶点阵图形，在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜，经过剥离后得到金属孔阵图形，再以金属孔阵结构为掩膜，采用湿法腐蚀技术形成二氧化硅的碗状阵列结构，最后除去金属掩膜。本发明制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
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公开(公告)号：CN104617019A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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