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公开(公告)号：CN102593340A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210055797.6
申请日：2012-03-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种白光LED发光装置。该发光装置包括LED芯片、散热基板、荧光LTCC薄片、反光杯和电极框架；所述LED芯片键合于散热基板上；荧光LTCC薄片套设于所述LED芯片上并包覆所述LED芯片的上表面和四个侧面；反光杯套设于所述荧光LTCC薄片周围；LED芯片通过引线连接至电极框架；荧光LTCC薄片的材质为CaO-B2O3-SiO2:RE体系或BaO-TiO2-SiO2-B2O3:RE体系。本发明具有以下优点：仅采用简单结构-荧光LTCC薄片就能够将LED芯片侧面大量的光输出加以利用，并且由于荧光LTCC薄片为陶瓷材料，其具有稳定光线并控制光散射的作用；其次，由于荧光LTCC薄片本身具有较高的热导率2～5W/(m·K)，荧光LTCC薄片的使用实现了芯片全表面的散热通道，改善了产品的散热性能。
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公开(公告)号：CN101857423A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010171857.1
申请日：2010-05-07
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/626 , C03C10/00
Abstract: 本发明提供了一种发光低温共烧陶瓷粉和其制备方法、及由其制备的发光低温共烧陶瓷，所述发光低温共烧陶瓷粉由含有15～20mol％的CaCO3、60～70mol％的Si(OC2H5)4、10～25mol％的B2O3、3～11mol％的光激活剂和0.9～3.2mol％的敏化剂以及相当于光激活剂和敏化剂总含量的电荷补偿剂的凝胶经煅烧制备所得。本发明的低温共烧陶瓷粉烧结温度低，介电损耗小，机械强度高，发光强度强。其可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装材料领域以及白光LED封装材料领域。
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公开(公告)号：CN101242021B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810056856.5
申请日：2008-01-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于磁性材料的磁场负磁导率材料电磁响应行为调控方法属人工周期性材料领域。本发明步骤：通过理论计算或者计算机软件模拟，设计所需频段的开口谐振环；制备开口谐振环，并按照一定晶格排列成为负磁导率材料；将磁导率在负磁导率材料发生电磁谐振的频段、磁场可调的磁性材料加工成片状或棒状；将磁性材料引入到开口谐振环阵列的间隙当中或作为开口谐振环基板，制备得到引入磁性材料的开口谐振环负磁导率材料；通过磁铁或电磁铁向上述引入了磁性材料的负磁导率材料施加垂直于开口谐振环所在平面法线与电磁波传播方向构成平面的不同强度磁场，得到磁场可调负磁导率材料。本发明能大范围内调控负磁导率材料的电磁响应行为，并使负磁导率频段拓宽。
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公开(公告)号：CN100553030C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710176727.5
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于铁电陶瓷颗粒的电场可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由两块平行设置的金属电极板，设置在两电极板间的多块层叠的聚四氟乙烯模板、铁电陶瓷颗粒和直流电源组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用电场对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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公开(公告)号：CN1304335C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510076888.8
申请日：2005-06-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料，含有下述重量份数比的组分：Bi2O340—80，B2O35—20，SiO25—30，助熔剂0—2，陶瓷材料1—50。其制备方法包括如下步骤：(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新研磨成粉末；(2)将所得粉末在500—600℃下煅烧2—4小时，研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低于700℃；烧结收缩率可控制在0—20%；(2)介电常数在5—20(1GHz)之间；(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用；(4)可以应用于高频电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1134031C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN00130004.0
申请日：2000-10-20
Applicant: 清华同方股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种电感材料及其制备方法。其特点是，它的配方成分为：主料为镍锌铜铁氧体，分子式Ni0.2Cu0.2Zn0.6，辅料助烧剂为氧化铋。配方主料含量99～99.75%，辅料含量0.25～1.0%。通过合成柠檬酸先驱体经热处理，得到粒度均匀、烧结活性高的铁氧体。粉料经球磨、造粒、成型和烧结过程。同现有技术相比，本发明可使低温烧结的电感材料提高磁导率，降低成本，缩小元件尺寸。其配方、工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1052577C
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN97104483.X
申请日：1997-06-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电体－半导体纳米微粒复合材料薄膜的制备方法，该方法由高介铁电体基体和ZnS、CaS等发光半导体纳米微粒弥散相构成。其制备采用溶胶－凝胶法。首先配制铁电体基体前驱体溶液，然后配制半导体化合物水溶液，将上述溶液以一定摩尔比相混合后，在基片上形成溶胶薄膜，然后在还原气氛中烘干、热处理，最后制备成复合材料薄膜。该薄膜可用于电致发光元件，以很低的驱动电压下实现电致发光。
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公开(公告)号：CN1215038A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN98124799.7
申请日：1998-11-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , H01L41/16
Abstract: 本发明属于电容器材料技术领域。该材料的主料成分为BaTiO3,改性添加剂为氧化钴和氧化铌及稀土氧化物和氧化锰。制备工艺为固相合成法及化学合成法。利用本发明的配方和工艺可以获得性能优良的X7R型MLCC材料,无需加入助烧剂,可以显著降低合成及烧成温度。材料的室温介电常数高达4400,容温变化率≤±15%。电阻率高>1012-13Ω·cm,击穿电压>11KV/mm。烧结温度≤1240℃。
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公开(公告)号：CN1167662A
公开(公告)日：1997-12-17
申请号：CN97104024.9
申请日：1997-04-18
Applicant: 清华大学
IPC: B23K1/20
Abstract: 本发明涉及一种电镀后性能可恢复的片式元件的端电极，该端电极包括内层的银层和中间的镍层，还包括外层的金属层，该金属层为银、金、铂、钯中的任何一种。其制备方法是首先在烧有银层的电极上电镀镍，再在镍层上电镀银、金、铂、钯中的任何一种金属，最后将电镀样品在氧化气氛中热处理。本发明研制的端电极，最外层为熔点较高的可焊性良好的金属，因而可使片式元件能够在电镀后进行氧化热处理，以消除电镀产生的不利影响。
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公开(公告)号：CN120078401A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202411448792.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 清华大学
IPC: A61B5/055 , G01R33/36 , G01R33/48 , G01R33/565
Abstract: 本发明提供了一种用于磁共振信成像的自适应可穿戴超构表面器件，包括：多个具有弧形镂空结构的超材料单元，多个超材料单元拼接在一起，以形成具有圆柱形结构的自适应可穿戴超构表面器件；至少一个结构电容，设置在所述弧形镂空结构上；所述结构电容包括两个具有梳齿结构的导线，且两个导线的梳齿结构互相啮合；其中，所述梳齿结构由所述导线弯曲形成，且具有伸缩性。本发明实施例所提出的用于磁共振信成像的自适应可穿戴超构表面器件，具有舒适性高、信噪比增强性能强、通用性好的有益效果。
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