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公开(公告)号：CN106904953B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201710181323.9
申请日：2017-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子陶瓷封装材料技术领域，提供一种高密度封装用高热膨胀系数陶瓷材料及其制备方法，用以克服现有芯片封装材料热失配的问题；本发明陶瓷材料的组分包括：SiO2：55～70wt％，BaO：20～30wt％，B2O3：5～10wt％，Al2O3：2～5wt％，Y2O3：0.1～1wt％，及CrO2与ZrO2混合物：1～3wt％。本发明陶瓷材料热膨胀系数为12～15ppm/℃，与PCB板热膨胀系数(12～18ppm/℃)相匹配；抗弯强度高达170～240MPa，杨氏模量为50～70GPa，力学性能优异，能够完全克服热失配等问题；同时，材料介电常数小、损耗低，性能稳定，能够满足高密度封装的需求；另外其制备工艺简单成熟、节能高效，符合工业化生产的要求，便于批量生产以及推广应用。
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公开(公告)号：CN106707144B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710032461.0
申请日：2017-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/3183 , G01R31/3185
Abstract: 本发明根据反熔丝FPGA在产品研制以及测试过程中对测试向量的逆向分析，提出一种测试向量逆分析方法：先提取与测试向量相关资源参数，并将相关资源参数采取编号与参数信息对的方式归档入库，最后根据相关资源在测试向量上的体现进行对比提取，并形成测试逆分析报告，由于本发明基于自动化逆向分析思想，因此本发明极大地提高现测试向量逆向分析效率。
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公开(公告)号：CN110943705A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN202010000781.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明提出一种基于双极型工艺的单电源、低功耗、轨到轨输入与输出的运算放大器，属于模拟集成电路技术领域，具体包括：偏置电路、输入级、增益级、输出级和频率补偿网络。偏置电路采用双极型峰值电流源提供微安级偏置电流；输入级采用互补差分对结构实现轨到轨共模输入，利用交叉导通法实现输入级恒定跨导；增益级与输入级构成折叠式cascode结构，来自输入级的信号经过源极跟随器作为增益级差分对的输入信号；输出级采用AB类轨到轨输出，以提供扩展性的输出电流沉(sinking current)和输出电流源(sourcing current)能力；频率补偿网络为运放提供充足的相位裕度，实现稳定的单位增益带宽。
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公开(公告)号：CN110098251A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910298714.8
申请日：2019-04-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种新型ISFET器件及其制备方法，属于电子器件技术领域。本发明中设计的新型ISFET与传统ISFET不同的是，首先构建了新的FinFET结构，即设计了位于Fin结构两侧且对称的、沟槽状的第一栅极叠层和第二栅极叠层，栅极叠层和栅介质层共同构成了前栅，由两个前栅和一个背栅来共同控制沟道，使得其栅极的控制能力很强，其次由于负电容结构的存在，通过电压放大效应可以提高器件的灵敏度，其次还可以实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅，实现低功耗的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108594922A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810365623.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体提出了一种带有温度迟滞功能的过温保护电路。该电路包括启动电路、PTAT电流产生电路和过温保护电路。本发明利用PTAT电流的正温度系数特性，在低温漂电阻上产生与温度成正比的电压，当温度达到过温保护电路设置的阈值时，输出电压发生翻转，表示此时此温度下芯片不能正常工作。本电路设置的温度阈值分别为170℃和150℃，正常工作时过温保护模块输出电压为低电平，当温度超过170℃后过温保护模块输出高电平，使得整个电路停止工作，起到保护电路的作用。20℃的温度迟滞设计，可以避免输出电压在170℃的时候来回跳变，起到了保护芯片的作用。
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公开(公告)号：CN108448891A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810365621.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 本发明属于模拟集成电路电源管理技术领域，具体提出了一种基于电荷泵结构的芯片内部稳压电路。本电路发明包含：偏置电路、启动电路、控制电路、振荡器和电荷泵模块。输出电压由稳压二极管和晶体管的VBE钳位而成，当电源电压较低时通过电荷泵结构抬升其电压，并且由控制模块控制输出电压由此电路产生还是直接由外部电路提供，使得电路应用更加灵活。另外引入启动电路，使得在电源电压较低时让电荷泵正常工作。此电路不同于传统的LDO稳压电路，不需要频率补偿，响应速度更快，功耗较低，能够起到很好的稳压功能。
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公开(公告)号：CN107168440A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710423415.3
申请日：2017-06-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体提出了一种基于误差放大器的片内外可选方案的环路补偿电路。该电路包含选通逻辑使能电路、片内片外补偿电路、片外补偿方案的片内缓冲级、不同补偿方案下有不同性能的误差放大器电路。在应用条件不需要构架复杂、占用面积大的环路补偿方式时，可选择在片内集成预设好的片内补偿方式，简化电路，节省面积；在应用条件需要环路精确补偿，稳定性良好，可滤高频噪声的补偿方案时，可选择在引脚SEL片外部分挂接用户自定义的补偿电路。与传统的误差放大器的补偿方案相比，该发明可使电路适应面更广，灵活性更高，针对不同需求在不同的应用条件下工作。
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公开(公告)号：CN106904953A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710181323.9
申请日：2017-03-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/14
Abstract: 本发明属于电子陶瓷封装材料技术领域，提供一种高密度封装用高热膨胀系数陶瓷材料及其制备方法，用以克服现有芯片封装材料热失配的问题；本发明陶瓷材料的组分包括：SiO2：55～70wt％，BaO：20～30wt％，B2O3：5～10wt％，Al2O3：2～5wt％，Y2O3：0.1～1wt％，及CrO2与ZrO2混合物：1～3wt％。本发明陶瓷材料热膨胀系数为12～15ppm/℃，与PCB板热膨胀系数(12～18ppm/℃)相匹配；抗弯强度高达170～240MPa，杨氏模量为50～70GPa，力学性能优异，能够完全克服热失配等问题；同时，材料介电常数小、损耗低，性能稳定，能够满足高密度封装的需求；另外其制备工艺简单成熟、节能高效，符合工业化生产的要求，便于批量生产以及推广应用。
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公开(公告)号：CN106774615A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611165356.6
申请日：2016-12-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/267
Abstract: 本发明公开了一种带正负关断逻辑的电流源。该电路主要由一种带正负关断逻辑的启动电路模块、电流源模块和电流镜模块组成。这种带正负关断逻辑的启动电路模块由正逻辑启动模块、负逻辑启动模块、启动管和关断管共同构成。当给定启动信号时，电流源快速启动，并稳定地提供PTAT电流。当给定关断信号时，电流源快速进入零电流状态。
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