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公开(公告)号：CN102762973A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009472.8
申请日：2011-02-07
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： L·特里波迪 , J·戈梅里瓦斯 , U·R·R·普法伊费尔 , P·G·哈林玻利瓦尔
CPC分类号： G01N21/3581 , G01N21/3563 , G01N21/553 , G02B6/1226
摘要： 提供了用于使用太赫频率范围的辐射来分析样品的设备。所述设备包括：发射器（3），所述发射器（3）包括用于生成电磁THz信号的THz信号生成器（5，6，7；51），所述THz信号生成器包括非线性传输线（7；52）。所述设备还包括表面等离子体偏振子生成单元（8），表面等离子体偏振子生成单元（8）适于将所述THz信号转换为表面等离子体偏振子。所述发射器（3）和所述表面等离子体偏振子生成单元（8）集成在一个公共的基底上或两个分开的基底上。
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公开(公告)号：CN102032945A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010506878.4
申请日：2010-09-25
申请人： 英特尔公司
发明人： B·A·布洛克
CPC分类号： G02B6/00 , B82Y20/00 , G02B6/12004 , G02B6/1226 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/1085
摘要： 本发明波导耦合表面等离子体激元光检测器。金属半导体金属(MSM)装置将光从波导中的光模式耦合到MSM装置的电极表面上的表面等离子体激元(SPP)模式。一旦在SPP模式中，半导体中光的吸收便能在极小的区域中发生。这可允许缩小活动检测器区域，并允许用于电载流子的极短传输距离、低电容以及允许极低电压装置和/或极高频率。
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公开(公告)号：CN101849203A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114858.3
申请日：2008-10-28
申请人： 朗讯科技公司
发明人： 弗拉基米尔·阿纳托利耶维奇·阿克休克 , 格尔什·布卢姆伯格
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/3536 , G02B6/3548 , G02B6/3596
摘要： 一种装置，包括：具有金属表面的基板、结构以及面对金属顶面的介电物体。该结构被配置为光学地产生在金属表面上传播的表面等离子体极化激元。介电物体可控制为，在沿着以及接近该金属表面的不同位置的阵列处，调整介电常数的值。
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公开(公告)号：CN1604409A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410080671.X
申请日：2004-09-29
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 畑雅幸
CPC分类号： H01L33/387 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/1226 , H01L33/405 , H01L2933/0083 , H01S5/0425 , H01S5/1046 , H01S5/18319 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 本发明涉及不仅能达成良好的电阻接触，还能达成表面等离子体激元效应的半导体发光元件。该半导体发光元件具有形成于发光层上的半导体层、形成于半导体层上的第1电极层、形成于第1电极层上的具有周期性结构的第2电极层。第1电极层与半导体层的电阻接触优于第2电极层好，第2电极层含有等离子体频率高于第1电极层的金属。
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公开(公告)号：CN108490536A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810166227.1
申请日：2018-02-28
申请人： 北京大学
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/107 , G02B6/1226 , G02B6/125
摘要： 本发明公开了一种多通道片上集成超快全光光强控制器及其控制方法。本发明通过设计一系列亚波长的分支波导作为输出通道，并将其通过侧面耦合的方式耦合到主波导的不同位置处，在主波导中激发出的两束对向传播的波导模式相干叠加产生驻波光场，通过主波导中对向传播波导模式间的初相位差 控制这些输出通道的输出光强，从而基于线性光学方法实现了一种纳米尺度的多通道全光光强控制器，原则上可以在任意低的光强下工作；并且全光光强控制器还具有飞秒级的超快响应；这种纳米尺度上的多通道全光光强控制器及其全光控制方法可能在纳米光子学领域中获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN105190991B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201480014273.X
申请日：2014-03-06
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/2031 , G02B6/1226 , H01P3/121 , H01Q9/045 , H01S5/1028 , H01S5/34 , H03B7/08 , H03B2200/0084
摘要： 提供种波导元件,包括:用于引导电磁波的波导;用于辐射或接收电磁波的共振天线,该共振天线被布置在波导的用于辐射或接收电磁波的部分处;以及用于将波导的阻抗与共振天线的阻抗匹配以将波导耦合到共振天线的阻抗匹配部。波导包括:第导体层和第二导体层,各自具有电磁波的负的介电常数实部;以及布置在第导体层和第二导体层之间的核心层。核心层具有电磁波的增益和用于电磁波的载波的非线性中的个。
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公开(公告)号：CN107422416A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710480808.8
申请日：2017-06-22
申请人： 天津职业技术师范大学
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00
摘要： 本发明公开了一种具有较强光场限制能力和低传输损耗的混合布洛赫等离激元光波导，包括嵌于包覆层中的金属纳米线、多层膜结构以及夹在金属纳米线和多层膜结构之间的低折射率介质缓冲层。与金属纳米线和多层膜结构紧邻的低折射率介质缓冲层区域的存在，可显著地缩小该波导结构的光场分布范围，实现对传输光场的二维亚波长约束；同时由于多层膜介质结构的存在，可以显著降低传输光场的传输损耗。所述混合光波导结构克服了现有表面等离子激元光波导及布洛赫表面激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾，解决了大尺寸、高集成度光波导器件中的损耗与干扰的问题，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
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公开(公告)号：CN107315222A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710404257.7
申请日：2017-06-01
申请人： 深圳凌波近场科技有限公司
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1225 , G02B6/1226
摘要： 本发明公开了一种表面波光子晶体。由金属平面上二维周期性排列的金属柱状结构构成，金属柱与柱之间的距离相等，且该距离小于表面波工作波长的二分之一。在所述的表面光子晶体上通过降低柱高引入缺陷使得缺陷处谐振频率正好处在周围光子晶体的禁带内可以构造表面波光子晶体功能器件。当引入的缺陷为线缺陷时，表面电磁波会被约束在线缺陷内并沿着线缺陷传播。当引入的缺陷为无弯曲半径的90度折角时，表面电磁波在通过该弯曲波导时可以实现无散射且无反射的高效率传输。在宽频及亚波长约束范围内，本发明能够实现表面电磁波在通过无弯曲半径的弯曲波导时既无反射也无散射的完美传输。此特性是传统人工表面等离子体波导及传统光子晶体波导所不具备的。本发明为未来大规模、亚波长太赫兹和光学集成电路的设计和应用提供了一种有效可行的解决方案。
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公开(公告)号：CN106873075A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710026073.1
申请日：2017-01-13
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1226
摘要： 本发明涉及一种实现超宽带激发表面等离子体波导模式的天线结构，包括上下结构的二氧化硅基底层和银层，银层通过磁控溅射镀膜机沉积在低折射率的二氧化硅表面，银层为一拍子形状，拍面为一矩形，手柄为等宽带状，形成一个带状的条形波导；用聚焦离子束刻蚀出两个顶点正对的等腰三角形构成蝴蝶结形天线结构，聚焦的高斯光束垂直照射在蝴蝶型天线结构上，从而激发表面等离子体。本发明解决了现有技术中表面等离子低效激发的问题，激发光涵盖了大部分可见光波段，一直到近红外范围。其独特的宽带特性，将在下一代等离子集成芯片和功能器件中大量应用。
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公开(公告)号：CN106569300A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610932141.6
申请日：2016-10-31
申请人： 东南大学
发明人： 吴旭峰
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1226 , G02B2006/12035
摘要： 本发明公开了一种基于氧化锌纳米管的表面等离子体光波导结构，包括由上到下依次设置的金属层一(1)、介质层(2)以及金属层二(3)；所述介质层(2)包括ZnO纳米管；所述ZnO纳米管的径向截面外形为六边形，而其内部空腔的径向截面也是六边形；所述金属层一(1)紧贴在ZnO纳米管外表的一个平面上；而该平面相对的另一个平面与金属层二(3)相紧贴；所述金属层一(1)、金属层二(3)以及ZnO纳米管均位于空气中，本发明能使光场集中在氧化锌纳米管空腔中，并约束在其中，形成类似于目前常用的光纤中的场分布，接近理想的场分布形式,并将光场约束到一个远小于衍射极限的区域。
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