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公开(公告)号：CN101924322A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010198689.5
申请日：2010-06-08
申请人： 索尼公司
发明人： 大野智辉
IPC分类号： H01S4/00
CPC分类号： G01N21/554 , B82Y20/00 , H01S5/1046
摘要： 本发明提供了表面等离子体激元产生装置及其制造方法。表面等离子体激元产生装置包括：有源层，包括形成在一侧的n型区域和形成在另一侧的p型区域，n型区域和p型区域彼此接触以在其间形成pn结；第一阻挡层，与有源层的第一表面接触；第二阻挡层，与有源层的第二表面接触，第二表面与第一表面相反；以及金属体，设置在有源层的pn结的上方，在金属体和有源层之间具有第二阻挡层和绝缘层。
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公开(公告)号：CN107678080A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711178193.X
申请日：2017-11-23
申请人： 广西师范大学
CPC分类号： G02B5/008 , H01S5/1046
摘要： 本发明公开了一种可调谐的石墨烯纳米激光器，其特征是，包括自下而上顺序叠接的硅基底层和金属介质层，所述金属介质层分为介质层与金属层两部分，其中介质层的上表面覆盖有石墨烯层，所述介质层为类金刚石DLC材料层。这种激光器制备简单、能够提高更强的局域化约束、具备为表面等离子激励电路提供基本单元器件，从而实现更大的带宽超快数据传输。
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公开(公告)号：CN101933168A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880126069.1
申请日：2008-01-30
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/46 , H01S5/1042 , H01S5/1046 , H01S2301/145
摘要： 本发明的实施方式涉及发光二极管。在本发明的一个实施方式中，发光二极管包括夹在第一本征半导体层和第二半导体层之间的至少一个量子阱。n型异质结构设置在第一本征半导体层的表面上，且p型异质结构设置在第二本征半导体层的与n型半导体异质结构相对的表面上。二极管还包含设置在发光二极管的表面上的金属结构。沿着金属结构和发光二极管表面之间的界面形成的表面等离子体激元偏振扩展到该至少一个量子阱，这增加了从该至少一个量子阱发射的电磁辐射的横向磁场分量的自发发射率。在某些实施方式中，可以以约10Gb/s或更快的速率调制该电磁辐射。
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公开(公告)号：CN101083383B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710108180.5
申请日：2007-05-30
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/227 , B82Y20/00 , H01S1/02 , H01S5/1046 , H01S5/12 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S2302/02
摘要： 一种激光器装置，包括：具有增益的增益介质；用于传播电磁波的波导；以及由所述波导构成的谐振结构。增益介质沿着电磁波的传播方向延伸，并在其厚度方向上于顶面和底面处被夹在由负介电常数介质制成的第一覆层和第二覆层之间。增益介质配备有在和电磁波的传播方向以及厚度方向垂直的宽度方向上与其至少一个侧面相邻的横向结构。该横向结构包括正介电常数介质，该介质在其厚度方向于其顶面和底面处被夹在负介电常数介质之间。波导由增益介质、横向结构、第一覆层和第二覆层构成。
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公开(公告)号：CN100460905C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610141251.7
申请日：2006-09-29
申请人： 株式会社东芝
发明人： 古山英人
CPC分类号： G02B6/12004 , H01S5/0028 , H01S5/0608 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1025 , H01S5/1046 , H01S5/1203 , H01S5/20 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： 一种激光诱导光布线装置包括：衬底(11)；第一和第二光反射构件(18a、18b)，彼此分离地设置在所述衬底上；光波导(13)，设置在所述衬底(11)上，用于光耦合所述第一和第二光反射构件(18a、18b)，以形成光谐振器；第一光增益构件，设置于所述光波导(13)，并且与所述第一和第二光反射构件(18a、18b)一起形成激光振荡器；以及第二光增益构件，与所述第一光增益构件分离地设置于所述光波导(13)，并且与所述第一和第二光反射构件(18a、18b)一起形成另一激光振荡器。
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公开(公告)号：CN103403984A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068429.9
申请日：2011-08-03
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 大西俊一
CPC分类号： H01L33/505 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01S5/1046 , H01S5/18386 , H01S5/18394 , H01S5/32341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 发光元件(10)具备如下:发光部(14)，其具有通过外加电压而发光的活性层(17);金属薄膜(11)，其配置在发光部(14)上的所述光的照射区域。在金属薄膜(11)上设有多个孔部(12)，该孔部拥有比所述光的波长小的直径，在各孔部(12)配置有至少一个荧光体(13)。
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公开(公告)号：CN101682162B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880014089.X
申请日：2008-08-27
申请人： 佳能株式会社
发明人： 关口亮太
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/1046 , H01S5/20 , H01S5/3402
摘要： 提供了一种长波长激光器，其工作点是稳定的并且其激光振荡是稳定的。该长波长激光器包括提供给表面等离子体振子波导中的表面电流为极大值的部分的电阻器元件，以使表面等离子体振子波导中的第一包层和第二包层之间的电位差稳定。
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公开(公告)号：CN101910935A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123844.8
申请日：2008-11-19
申请人： 哈佛大学的校长及成员们
IPC分类号： G02F1/29
CPC分类号： H01S5/1082 , B82Y20/00 , G02B5/008 , H01S5/005 , H01S5/1046 , H01S2301/14 , H01S2301/18
摘要： 一种对辐射进行准直的设备可包括亚波长尺寸的孔以及在金属膜上限定的邻近的一组槽，该金属膜与发射辐射的有源或无源装置一体形成。在激光器或其他辐射发射装置的端面上集成光束准直仪提供了光束准直和极化选择。与现有激光器的输出相比，光束发散度可减小一个以上数量级。具有孔槽结构的有源光束准直仪可与多种光学装置集成，例如半导体激光器(例如量子级联激光器)、发光二极管、光纤以及光纤激光器。
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公开(公告)号：CN101730961A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880016230.X
申请日：2008-03-14
申请人： 哈佛大学 , 德克萨斯A&M大学系统
发明人： 米哈伊尔·A·贝尔金 , 费德里科·卡帕索 , 阿列克谢·别利亚宁
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , G02F1/3534 , H01S5/0604 , H01S5/0608 , H01S5/1046 , H01S5/1096 , H01S5/187 , H01S5/3402 , H01S2302/02
摘要： 用于通过差频产生(DFG)产生辐射的设备和方法。在一个示例性实现中，量子级联激光(QCL)具有整合在所述QCL的有源区中的显著的二阶非线性极化率(x(2))。所述QCL被配置为基于来自于所述非线性极化率的差频产生(DFG)来产生第一频率ω1的第一辐射、第二频率ω2的第二辐射，以及第三频率ω3＝ω1-ω2的第三辐射。一方面，所述QCL可以被配置为在室温下产生明显的THz辐射。
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公开(公告)号：CN101682162A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880014089.X
申请日：2008-08-27
申请人： 佳能株式会社
发明人： 关口亮太
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/1046 , H01S5/20 , H01S5/3402
摘要： 提供了一种长波长激光器，其工作点是稳定的并且其激光振荡是稳定的。该长波长激光器包括提供给表面等离子体振子波导中的表面电流为极大值的部分的电阻器元件，以使表面等离子体振子波导中的第一包层和第二包层之间的电位差稳定。
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