一种贮氢合金粉
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101123306A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200610109568.2

    申请日:2006-08-10

    发明人: 刘波

    IPC分类号: H01M4/24 H01M4/38 C01B6/24

    摘要: 一种贮氢合金粉,其中,该贮氢合金粉包括粒子直径小于38微米的贮氢合金粉和粒子直径为38-75微米的贮氢合金粉,以贮氢合金粉的重量计,粒子直径小于38微米的占20-40重量%,粒子直径为38-75微米的占60-80重量%。本发明提供的贮氢合金粉具有优异的大电流放电性能,其中相同测试条件下的放电容量比以现有技术中的贮氢合金粉的放电容量提高10%左右;同时本发明提供的贮氢合金粉还具有优异的活化性能,以0.2C充放电达到最高放电容量的活化次数由现有技术的6次降低至4次以下,降低幅度高达33%。

    一种配位氢化物催化可逆贮氢材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101108331A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200610089786.4

    申请日:2006-07-17

    IPC分类号: B01J20/02 C01B6/24

    摘要: 本发明涉及一种新型高容量贮氢材料:配位氢化物,化学式A(MH4)n,本产品就是在典型的配位氢化物氢化铝锂和氢化铝钠中通过氢压保护下的高能球磨法加入钛基催化剂Ti(OC4H9)4或TiCl3·1/3AlCl3,从而达到可逆贮氢。该配位氢化物催化可逆贮氢材料的制备方法为将配位氢化物(LiAlH4或NaAlH4)、钛基催化剂(Ti(OC4H9)4或TiCl3·1/3AlCl3)和钢球密封在不锈钢球磨罐中,在氢压保护下高能球磨。该材料作为一种高容量贮氢材料,在150℃可逆吸氢量可达4.0wt%以上,对0.1MPa氢压可逆放氢量也能达到3.0wt%以上。

    氢化铝锂的合成方法
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1033610A

    公开(公告)日:1989-07-05

    申请号:CN87101196

    申请日:1987-12-23

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C01B6/24

    CPC分类号: C01B6/243

    摘要: 本发明属于无机试剂(氢化铝锂)的合成方法,目前国外是以金属锂为原料,在高温(680°-720℃)或高压(340atm)下进行氢化以制备氢化锂,后者与AlCl3反应制备氢化铝锂。此法在生产过程中能耗大,设备要求高且有潜在的危险性。本发明所用的主要原料与上法相同,但在溶剂和催化剂下进行反应,使整个反应能在常温常压下进行。

    一种新型钙钛矿结构氢化物材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118529695A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410515376.X

    申请日:2024-04-26

    IPC分类号: C01B6/24

    摘要: 本发明公开了一种新型钙钛矿结构氢化物材料及其制备方法,属于含能材料技术领域。用于解决现有的钙钛矿氢化物材料样品种类少、氢含量较低的问题。本发明的新型钙钛矿结构氢化物材料的化学式为AeNiH3,其中Ae为Sr或Ba。本发明的新型钙钛矿结构氢化物材料的氢含量较高,提高了钙钛矿氢化物材料的能量密度,进一步拓宽了含能材料的材料体系。

    一种制备储氢材料的方法
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112299366B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201910687151.1

    申请日:2019-07-29

    发明人: 曹湖军 陈萍

    摘要: 本申请公开了一种制备储氢材料的方法,所述方法包括:将含有金属废渣料的原料在气氛中发生反应,获得所述储氢材料;其中,所述气氛包括纯氢气、纯氨气、氢气和氨气混合气体。此法可以安全、廉价、大规模制备金属基储氢材料,使金属基储氢材料的制备成本大幅度降低。同时该法还可有效对金属废渣料进行回收利用转变为高附加值产品,从而减轻金属废渣料对环境和金属过渡开采过程中的污染。廉价储氢材料的制备和金属废渣料的回收利用双剑合璧有利于进一步推进绿色能源的开发利用和减轻环境污染,因此利用金属废渣料为原料直接廉价规模合成储氢材料极具重要实用价值。

    一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法

    公开(公告)号:CN110713172B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201810765217.X

    申请日:2018-07-12

    申请人: 天津大学

    IPC分类号: C01B6/24

    摘要: 本发明公开一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法,将Ga粉、Ge粉和Li片封装于真空石英管中,于充满氩气的真空管式炉中退火得到LiGaGe晶体前驱体,取出前驱体置于管式炉中暴露在H2环境中,再次退火得到二维材料前驱体LiGaGeH,用四氟胶带反复撕粘,即可得到二维材料2D‑LiGaGeH。其体相材料具有0.06eV光学带隙,随材料层数的逐渐减少,带隙逐渐增大,在光电器件、光催化等方面具有较大应用前景。