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公开(公告)号：CN108342700A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810237778.2
申请日：2018-03-22
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , B23K26/362
摘要： 本发明公开了一种图案可控的激光剥离金属薄膜的方法，包括如下步骤：步骤S1，依次采用丙酮、酒精、去离子水对玻璃基片进行超声波清洗；步骤S2，在清洗后的玻璃基片上沉积银膜层；步骤S3，利用激光器按照指定图形对银膜层进行刻蚀，使得刻蚀后的银膜层在玻璃基片上发生剥离形成银模板；步骤S4，在银模板上沉积金属或氧化物，步骤S5，并将其放入硝酸溶液中进行浸泡清洗，而后用无纺布擦拭留下所需位置的金属或氧化物的薄膜，其中，步骤S3中的激光器为Nd：YAG激光器，该激光器发出的激光的波长为1064nm，功率为3-7W，脉宽为200ns，激光脉冲频率为45KHz，束斑大小为0.01mm。
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公开(公告)号：CN106548929A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611121607.0
申请日：2016-12-08
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02521
摘要： 本发明提供了一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法，将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下，采用电子束蒸发法进行沉积镀膜，先后在石英基片上分别沉积ITO层和Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜；将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中，待真空室抽至一定真空度时，在一定功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面一定时间使其改性，冷却即可得到所述具有近红外波段透射增强特性的Cu/ITO复合薄膜。本发明制备的Cu/ITO复合薄膜表现近红外波段透射增强，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其近红外透过率，操作方法及流程简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN103943646B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410165934.0
申请日：2014-04-23
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： H01L27/148 , H01L21/339
摘要： 本发明提供了一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜，包括：镀在电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在荧光材料层表面的顶部反射镜，其中，顶部反射镜从荧光材料层向外依次由九层高折射率材料层和八层低折射率材料层交替重叠构成，底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成。本发明还提供了该光学薄膜的制备方法。本发明所提供的光学薄膜能够增强CCD的紫外响应能力，并且能够消弱荧光材料层的自吸收，增加荧光材料层的发光效率和CCD接收的有效发光能量，且该光学薄膜的制备方法较为简单，成本较低，易于实现批量生产，适合工业应用。
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公开(公告)号：CN106191797A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610649555.8
申请日：2016-08-10
申请人： 上海理工大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/087
摘要： 本发明提供了一种择优取向可调谐的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在室温下，直流反应磁控溅射设备中，以铜靶作为阴极溅射靶，以氩气作为溅射气体，氧气作为反应气体，石英基底作为阳极，在以一定速率自转的石英基底上溅射一定时间得到氧化亚铜薄膜。所述氧气和氩气的工作气压为10-2-10-1Pa；所述一段时间为5min；所述一定速率为5r/min；所述一定时间为5-30min。本发明方法制备的氧化亚铜薄膜具有单一相，择优取向明显，实现了制备氧化亚铜薄膜时(111)轴和(200)轴择优取向的可调谐转换。另外，本发明方法所制备的氧化亚铜薄膜沉积速率高、可控性强、附着性好，性能优异，尤其在异质结太阳能电池、光电器件等领域有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN105821379A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610409769.8
申请日：2016-06-13
申请人： 上海理工大学
CPC分类号： C23C14/087 , C23C14/0036 , C23C14/35
摘要： 本发明提供了一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法，在室温下采用直流反应磁控溅射的方法，以铜靶材作为溅射靶材，以氧气作为反应气体，以氩气作为溅射气体，在基底上沉积氧化亚铜薄膜，沉积氧化亚铜薄膜是在真空度为6.0×10?4Pa及以上的真空室中进行的；所述铜靶溅射功率为40?150W，所述沉积时间为1?30min；所述氧气流量为2?30sccm，所述氩气流量为5?100sccm。根据本发明的方法所制备的氧化亚铜薄膜透明导电、具有单一相、沉积速率高、可控性强且具有良好的附着性、均匀性和稳定性。在异质结太阳能电池、光电器件、气体感应材料、光催化剂、高温超导体材料、环境净化等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103398952B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310351191.1
申请日：2013-08-13
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： G01N21/17
摘要： 本发明涉及一种生物传感器检测中的导模共振滤波片反射率优化方法，在现有的滤波片最上层光栅层表面产生一层修正层，搭建简单光路，用宽带光源作为入射光垂直入射到滤波片上，然后通过耦合，将其反射光耦合进光纤通过光谱仪实际测试出其波峰的移动量和带宽，最后通过改变修改层的厚度，得到不同的波峰位置和带宽，直到得到所需波峰位置和带宽，将待测物质加在修正层上，生物分子间共价键的作用，待检测物质和修正层紧紧结合起来，达到很好的测试效果。此方法能够简单快速使滤波片达到所需要的窄带效果。具有很大的通用性，不仅实现待测物滤光片表面的有效吸附，同时还可以增加整个传感系统的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103162942B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310066793.2
申请日：2013-03-04
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 一种对下转换发光薄膜转换效率的测量方法，包括以下步骤：a.采用荧光光谱仪，得到荧光发射光谱波长范围内各发射波长下的发射光子数E(λ)；b.基于紫外分光光度计附件积分球的双光路探测模式，将入射光分成参考光和第二激发光，设定参考光能量对第二激发光能量的比例系数k，测得参考光能量Eref；c.对带通滤光片的透过率进行定标，得到所述带通滤光片的透过率曲线T(λ)；d.采用所述积分球，测得发射光能量EEmi；f. 基于转换效率CE的计算公式，得到所述特定波长光照射下发光薄膜的所述转换效率。
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公开(公告)号：CN104485546A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410708250.0
申请日：2014-11-28
申请人： 上海理工大学
CPC分类号： H01R13/2407 , H01R13/2492 , H01R13/44 , H01R13/46 , H01R13/6205 , H01R24/00
摘要： 本发明提供一种插头组件，其特征在于，包括：与用电器相连的插头；和与该插头相匹配，将插头和插座相连接的转接座；其中，插头含有：插头外壳，两个片形电极，两个片形磁铁，以及导电线，转接座含有：转接座外壳，两个金属接头，两个金属接触片，固定支架，两个柱形电极，两个柱形磁铁，以及两根导线，分别将一个金属接头与一个柱形电极相连，当片形磁铁与柱形磁铁相互吸引时，柱形磁铁通过固定支架带动柱形电极分别移动至与金属接触片相接触，从而使片形电极通过金属片与柱形电极相连。
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公开(公告)号：CN104230183A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410467546.8
申请日：2014-09-15
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： C03C19/00
摘要： 本发明涉及一种可调谐表面增强拉曼散射基底的制备方法，对K9玻璃基片进行清洗，去除基片表面的油污杂质；将K9玻璃基底放入离子束刻蚀系统，设定离子束轰击角度、刻蚀电流、加速电压、刻蚀时间，对基片进行离子束刻蚀，形成表面具有一定粗糙度的基底；将刻蚀后的基底清洗干净后置于真空沉积系统中进行烘干；把烘干刻蚀后的基底放入直流溅射沉积系统中，设定沉积工作功率和薄膜沉积时间，将货币金属均匀的沉积在被刻蚀的基底表面，形成表面增强层基底，将沉积好的薄膜基底取出。本发明不需直接糙化表面增强层，能够有效避免对表面增强层的污染；制作简单、生产周期短、成本低，适用批量化生产；本发明无毒无害，不会对操作人员造成伤害。
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公开(公告)号：CN103526171A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310497082.0
申请日：2013-10-21
申请人： 上海理工大学
摘要： 一种择优取向可调谐的掺铝氧化锌薄膜制备方法，包含以下步骤：将石英基底加热至一定温度；在一定的工作气体、工作气压以及真空度下，靶材进行一定时间的预溅射，得到预溅射靶材；将预溅射靶材通过直流磁控在以一定速率自转的石英基底上溅射一段时间以沉积并得到薄膜；将薄膜冷却至室温，得到掺铝氧化锌薄膜，一定时间为8-10分钟，一定速率为3-6转/分，一段时间为5-25分钟。本发明的制备方法实现了制备AZO薄膜时的a轴和c轴不同择优取向可控制的调谐或转换，且本制备方法还可以在同一基底上通过一定的遮蔽处理在不同区域制备不同生长取向的AZO薄膜，开发其潜在的应用价值。最终得到的AZO薄膜具有优异的性能，尤其在压电效应等领域有着潜在的应用价值。
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