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公开(公告)号：CN211788996U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020939072.3
申请日：2020-05-29
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开一种垂直互连晶圆级封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。该垂直互连晶圆级封装结构包括裸硅基体及其双面多层再布线的钝化层和金属线路。通过晶圆级双面再布线后，通过划片技术分离成单颗垂直互连通道单元，此垂直互连通道单元可以替代TSV、TMV和TGV等通孔被应用在三维硅基扇出型封装和2.5D转接板，制备方法简单、成本低，适合大规模量产应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210224007U
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201921226336.4
申请日：2019-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本实用新型公开一种硅基扇出型晶圆级封装结构，属于集成电路封装领域。所述硅基扇出型晶圆级封装结构包括硅基，其第一面刻蚀有散热通道，散热通道上沉积有截止层；所述硅基的第二面刻蚀有凹槽并埋入芯片；所述芯片的焊盘通过第一层布线和微凸点与n层布线连接；所述n层布线连接有最后一层布线，所述最后一层布线上制作有阻焊层和凸点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212750883U
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202022098382.X
申请日：2020-09-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/498
摘要： 本实用新型公开一种引线键合和倒装焊混合集成结构，属于集成电路封装领域，包括有机基板、倒装焊芯片和引线键合芯片；倒装焊芯片通过金属凸点倒装焊接在有机基板上。引线键合芯片置于所述倒装焊芯片的顶部，并且引线键合芯片通过金线与所述有机基板互连。本实用新型不仅可以对集成电路芯片提供有效地保护，同时通过整合引线键合和倒装焊两种集成结构的优势，实现了多芯片的立体堆叠，达到了组件小型化、多功能化和高可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN210296300U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921627161.8
申请日：2019-09-27
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/485 , H01L23/31 , H01L25/18
摘要： 本实用新型公开一种3D扇出型封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述3D扇出型封装结构包括硅基、n层重布线和若干个异构芯片；所述硅基正面沉积有截止层，背面刻蚀有TSG（Through Silicon Groove）凹槽和TSV硅通孔，所述TSG凹槽中埋有芯片；所述n层重布线与所述芯片的焊盘相连；若干个异构芯片，通过微凸点焊接在所述n层重布线上；所述截止层制作有开口，并形成有n层再布线、阻焊层和凸点。本实用新型通过在硅基背面制作金属焊垫和通孔焊垫，大大增加了硅基单位面积的垂直互连密度，解决高密度I/O芯片三维扇出互连难题，增加了三维集成密度，制作方法简便，适合大规模量产使用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210296360U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921224997.3
申请日：2019-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片；所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接，所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接；所述硅基的第二面填充有真空压干膜，并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210296354U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921532939.7
申请日：2019-09-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基第一面设置有第一布线层和母芯片，所述第一布线层和所述母芯片通过再布线层和微凸点与第一组子芯片焊接相连；所述硅基第二面和所述母芯片背面埋置有第二组子芯片，并依次制作有n层布线、阻焊层和凸点。通过使用硅基实现双面芯片埋入，最大化的利用了硅基基体和母芯片基体，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216288432U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122833260.5
申请日：2021-11-18
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 本实用新型涉及集成电路高密度、高速互联封装技术领域，具体涉及一种基于转接芯片的高速互联封装结构，封装结构包括转接芯片、功能芯片、双面布线层、凸点/焊球；双面布线层通过上表面的焊盘与转接芯片和功能芯片的凸点A连接，转接芯片和功能芯片之间通过转接线路连接，双面布线层的下表面通过焊盘均匀布设有凸点B/焊球。本实用新型利用转接芯片结合双面布线层实现功能芯片间的高速互联，降低了封装方案对于基板内部线路的技术要求。本实用新型无需制作传统的基板，可通过结构灵活、互联密度高的双面布线层实现低成本集成电路封装。可以实现通用化，也可以根据产品的特点，调整转接芯片和再布线层的结构以满足定制化要求。
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公开(公告)号：CN210897278U
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201922278601.X
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本实用新型公开一种射频前端与天线一体化三维集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。该结构包括晶圆载体，所述晶圆载体的背面减薄后形成有布线层、钝化层和球下金属层；一部分球下金属层通过金属凸点与第二组件的正面倒装焊接，另一部分球下金属层生长有焊球凸点；基板，其散热金属面通过导热材料与所述第二组件的背面连接。本实用新型采用三维封装结构，有效实现了射频前端与天线封装的一体化和小型化。
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公开(公告)号：CN210296353U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921507743.2
申请日：2019-09-11
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本实用新型公开一种三维立体集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述三维立体集成封装结构包括基板和圆片，所述基板上形成有n层重布线，n≥1；所述n层重布线表面贴装有无源器件；所述圆片上电镀有不同高度的凸点，所述圆片通过凸点与所述基板焊接。通过晶圆上不同高度的凸点，解决了基体表面不在同一平面的三维立体封装难题，弥补了三维立体封装的局限性，增加了封装集成度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210223949U
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201921225002.5
申请日：2019-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/54 , H01L21/52 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本实用新型公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构，属于三维系统级集成电路封装领域。所述三维系统级集成硅基扇出型封装结构包括硅基，该硅基的第一面沉积有截止层；第二面刻蚀有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一层重布线，所述凹槽中埋有桥芯片；所述背面第一层重布线依次通过背面第二层重布线和微凸点与高密度I/O异质芯片焊接；所述硅基的第一面依次形成有正面重布线、阻焊层和凸点，所述正面重布线与所述背面第一层重布线连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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