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公开(公告)号：CN106252229A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510325365.6
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半；填充凹槽以形成具有平整表面第二阻挡层，并在表面之上形成第二图形；以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露待加工层，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形；以第一掩膜层图形为掩膜对待加工层进行加工。利用本发明提供的方法在套刻容差超过关键尺寸一半时，现有技术中套刻偏差而产生的缝隙，由于第一阻挡层的存在，能保护所述缝隙之下待加工层不受影响，从而能提升套刻的容差，有效的提高了关键图形的均匀性和准确性。
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公开(公告)号：CN105868449A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610173678.9
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种标准单元库的优化方法，在进行电路级别的光学仿真之前，先进行标准单元的版图布局，进而进行单一标准单元版图的光学仿真，这样，可以对标准单元先进行光学仿真的优化，减少了后续优化和流片的次数，大大提高了设计效率，降低优化难度，进而提高了设计的可靠性，尤其适用于新工艺节点下的标准单元库的设计和优化。
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公开(公告)号：CN105425532A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510810017.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光源掩模协同优化方法，包括：输入初始参数；选择部分输入版图参与优化；进行光源掩模协同优化，得到满足光刻工艺条件的优化光源；调整掩模可制造性规则，重新进行版图优化；根据能否满足工艺条件，确定成本最低的掩模可制造性规则；根据确定的可制造性规则，对所有的输入版图进行版图优化；获得最终的优化版图。该方法在进行光源掩模协同优化过程中，可以对掩模可制造性进行规则优化，使得优化后的掩模版制造成本以及缺陷数量降低，还减少了参与协同优化的掩模版图图形数量，提高了优化效率。
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公开(公告)号：CN119956326A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311475359.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及沉积工艺技术领域，提出了一种入射粒子通量分布计算方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：获取待沉积对象的结构信息；根据所述结构信息，确定入射粒子发射源的位置坐标和入射角的范围；将所述待沉积对象离散化成多个网格结构，并确定单个网格结构在一个反应周期内的入射粒子的通量分布函数；根据所述单个网格结构在一个反应周期内的入射粒子通量分布函数，确定所述待沉积对象的网格结构在一个反应周期内的总入射粒子通量分布函数。通过该技术方案，提高了入射粒子的通量计算的精度，从而便于后续计算相应位置的原子层沉积速率及衬底表面形貌的演化。
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公开(公告)号：CN119916648A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311432856.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种全局散射矩阵计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。确定多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层。初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中，可以根据初始散射矩阵直接确定第二目标膜层的第二散射矩阵。单独计算目标成像结构中和初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵，根据第一散射矩阵和第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵。通过直接利用初始散射矩阵就能够直接得到第二目标膜层的第二散射矩阵，无需单独计算第二目标膜层的散射矩阵，提高了全局散射矩阵的计算效率，仅需要利用较少的计算资源计算第一目标膜层进而得到全局散射矩阵，降低计算时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111539177B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202010324225.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/392 , G06V30/422 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种版图特征提取的超参数确定方法、装置及介质，方法包括：按照初始尺寸的采样窗口分别对版图上的N个样本点进行采样，对应获得N幅版图切片，N个样本点对应有N组属性参数；根据单像素物理尺寸分别对所述N幅版图切片进行特征提取，以转化为N个特征矩阵；基于N组属性参数，计算出N个特征矩阵的每个单像素位置对应的互信息值，获得互信息图；根据互信息图，确定出采样窗口的目标尺寸作为版图特征提取的超参数。本发明提供的方法、装置及介质，用以解决现有技术中对版图进行特征提取用于模型训练或模型应用时，存在选取的超参数不合适导致的运算速度和计算准确度均较差的技术问题。有效提高了运算速度和计算准确度。
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公开(公告)号：CN119414667A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411601579.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种数字光刻仿真方法和相关装置，获取数字微镜阵列的设计文件和阵列图；数字微镜阵列包括多个微镜；基于设计文件和阵列图，生成数字微镜阵列的灰度图；基于光学系统信息和灰度图，计算光在经过光学系统后的初始电磁场分布；基于初始电磁场分布和光刻胶结构，计算得到光刻胶潜像；光刻胶潜像包括光在光刻胶结构中的三维光强分布；基于光刻胶潜像和光强阈值确定残余光刻胶轮廓。通过上述仿真计算过程，能够得到设计文件对应的残余光刻胶轮廓，且仿真结果较为准确，无需人工手动进行试验，节省了大量人力物力，且提高了效率，提高了数字掩模灰度光刻的生产效率。
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公开(公告)号：CN119335823A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411751863.2
申请日：2024-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，获取套刻误差分布数据；套刻误差分布数据为套刻误差的绝对值的平均数与三倍标准差之和；套刻误差分布数据的多项式公式中，各项系数为补偿参数；基于套刻误差分布数据，通过预先建立的应力补偿模型，得到目标应力补偿方案；应力补偿模型包括多个应力执行器组各自对应的补偿应力与补偿参数的关联关系；基于目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力。由此，通过套刻误差分布数据得出补偿套刻误差所需要应力执行器执行的补偿应力，进而向掩模版施加补偿应力引起掩模版形变，实现了对光刻工艺中套刻误差的补偿，可以减小光刻工艺的套刻误差。
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公开(公告)号：CN114441925B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111631600.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/265 , G01R31/54 , G01N21/956 , H01L21/66 , G06T7/00
Abstract: 本发明涉及一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用。一种判断通孔开路缺陷的方法，包括下列步骤：OPC，计算出金属层和通孔层刻蚀后的轮廓；算通孔层刻蚀后的轮廓面积S，再任选将其模拟成等面积的规则多边形；以版图设计的坐标位置为圆点，分别计算x方向和y方向的潜在开路缺陷概率；分别x方向和y方向的重叠面积比例结果与安全阈值作比较，从而通过在套刻误差分布下开路的概率Px和Py；分别设定在x方向和y方向上发生通孔开路的概率安全阈值Psafe‑x与Psafe‑y，比较Px与Psafe‑x，Py与Psafe‑y，优化版图直至满足要求。本发明能够预测在套刻工艺波动的情况下一定范围内的开路风险。
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公开(公告)号：CN112817212B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110034008.X
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
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