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公开(公告)号:CN105807481A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610353739.X
申请日:2016-05-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC分类号: G02F1/133526 , G02B3/0006 , G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B3/14 , G02B27/00 , G02B27/0955 , G02B27/123 , G02F1/1335 , G02F1/133528 , G02F1/1333
摘要: 本发明实施例公开了一种虚拟曲面显示面板、其制作方法及显示装置。该方案中,由于在平面显示面板的像素单元上设置有正交密接且焦距相同的列柱状透镜和行柱状透镜,该正交密接的列柱状透镜和行柱状透镜可以等效成一个球状透镜,又由于一行像素单元对应的一行列柱状透镜的焦距以中央的像素单元为对称轴呈对称分布,且位于该对称轴同一侧的各列柱状透镜的焦距互不相等,那么,等效的各球状透镜的焦距也以中央的像素单元为对称轴呈对称分布,且位于该对称轴同一侧的各球状透镜的焦距互不相等,这样,各等效的球状透镜可以使得各个像素单元所成的像构成一个曲面,从而实现了虚拟曲面显示。
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公开(公告)号:CN103278124B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201310173164.X
申请日:2013-05-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 王灿
IPC分类号: G01B21/08
CPC分类号: G01B21/08
摘要: 本发明实施例公开了一种薄膜厚度的测试方法和装置,涉及测试领域,能够在保证测试精度的同时,降低测量薄膜的厚度的成本。该薄膜厚度的测试方法包括:将测试掩膜覆盖在基板的表面上,所述测试掩膜具有多个镂空;对所述覆盖有测试掩膜的基板进行溅射镀膜;移除所述测试掩膜,利用探针法进行测量。
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公开(公告)号:CN105161495A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510438266.9
申请日:2015-07-23
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1345
CPC分类号: H01L27/12 , G02F1/1345 , H01L21/77
摘要: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,解决了现有技术中连接电极的面积大导致显示单元的开口率小的问题。一种阵列基板,包括衬底基板;形成在衬底基板上的第一信号传输层;覆盖第一信号传输层的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的第一电极层;覆盖第一电极层的第二绝缘层;位于第二绝缘层上的第二电极层;第一信号传输层包括公共电极线;第一电极层包括公共电极;第二电极层包括连接电极;在对应公共电极线的同一位置处,具有贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔,在第一过孔处,至少公共电极线的上表面以及公共电极的侧面露出,连接电极在第一过孔分别与公共电极的侧面和公共电极线的上表面直接接触。
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公开(公告)号:CN102654672B
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201110369432.6
申请日:2011-11-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343
摘要: 本发明涉及显示结构技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板、彩膜基板及其制作方法。该彩膜基板包括透明导电保护层,该透明导电保护层主要由含有碳纳米管的透明树脂材料制成。本发明实施例采用含有碳纳米管的树脂材料制作透明导电保护层来代替原有彩膜基板中的平坦化层和公共电极,使得结构更为简单,简化了工艺流程;同时可有效解决由于有机树脂平坦化层和ITO公共电极之间的粘附性较差导致后续产品中容易发生掉胶现象,并且采用碳纳米管代替ITO材料,可进一步扩展彩膜基板的制作材质,节约铟能源,为后续代替ITO材料引导方向。
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公开(公告)号:CN104183605A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410384513.7
申请日:2014-08-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L27/12
摘要: 本发明涉及显示工艺技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括:有源层以及位于有源层上方的源漏电极,所述有源层包括第一有源层和第二有源层,所述第二有源层的含氧量小于第一有源层的含氧量;所述第二有源层处于源漏电极和第一有源层之间,且位于源漏电极与第一有源层接触的区域。本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法,可有效省掉刻蚀阻挡层的制作,并且可以增强有源层与源漏电极的接触电阻,提高界面接触性,减少氧化物中陷阱态的缺陷,增强氧化物半导体的信赖性,提高产品的良品率。
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公开(公告)号:CN102830595B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201210307188.5
申请日:2012-08-24
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G03F7/30
CPC分类号: G03G15/105 , G03F7/30 , G03F7/32
摘要: 本发明实施例提供一种显影液监控方法及设备,涉及液晶显示技术领域,可以有效准确地监控显影液的显影效果。该设备包括:显影液槽,放置待显影基板的基板支撑架;待显影基板上涂布有第一颜色的光刻胶;还包括:光检测单元,所述光检测单元在所述待显影基板浸入所述显影液后的规定时间内向所述待显影基板的显影区域发射检测光线;和与所述光检测单元电连接的处理单元,用于根据所述检测光线确定所述显影区域发生显影的时间间隔,若确定所述时间间隔不在预设时间范围内,则确定所述显影液失效。本发明实施例用于监控显影液的显影效果。
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公开(公告)号:CN103956386A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201410146083.5
申请日:2014-04-11
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/77
CPC分类号: H01L29/78606 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
摘要: 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法以及显示装置。一种薄膜晶体管,包括栅极、源极和漏极,其中,所述栅极的上方和/或下方设置有栅缓冲层,所述源极与所述漏极的上方和/或下方设置有源漏缓冲层,所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层采用氮氧化钼形成。该薄膜晶体管以及相应的阵列基板,采用具有较低电阻率的金属材料形成电极,且采用氮氧化钼形成隔离缓冲层,在保持较高导电性的同时,能改善电极与相邻层的附着性,并防止形成电极或引线的材料中金属离子的扩散。
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公开(公告)号:CN102830595A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210307188.5
申请日:2012-08-24
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G03F7/30
CPC分类号: G03G15/105 , G03F7/30 , G03F7/32
摘要: 本发明实施例提供一种显影液监控方法及设备,涉及液晶显示技术领域,可以有效准确地监控显影液的显影效果。该设备包括:显影液槽,放置待显影基板的基板支撑架;待显影基板上涂布有第一颜色的光刻胶;还包括:光检测单元,所述光检测单元在所述待显影基板浸入所述显影液后的规定时间内向所述待显影基板的显影区域发射检测光线;和与所述光检测单元电连接的处理单元,用于根据所述检测光线确定所述显影区域发生显影的时间间隔,若确定所述时间间隔不在预设时间范围内,则确定所述显影液失效。本发明实施例用于监控显影液的显影效果。
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公开(公告)号:CN102650588A
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201210072211.7
申请日:2012-03-16
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G01N21/17
CPC分类号: G01N21/59
摘要: 本发明提供一种监测溶液加工能力的方法及装置、刻蚀系统,监测溶液加工能力的方法其用于在溶液腐蚀被加工工件的流水生产线中监测所述溶液的加工能力是否满足工艺要求,包括以下步骤:在所述溶液腐蚀所述被加工工件的流水生产线的设定位置上,用光线照射所述被加工工件;获得设定位置处透过所述被加工工件的透射光的强度;根据透过所述被加工工件的透射光的强度评估所述溶液的加工能力是否满足工艺要求。该方法能够直观、准确地反应溶液的加工能力状况,从而可以避免因错误的判断而导致溶液的浪费。
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公开(公告)号:CN102628973A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201110202337.7
申请日:2011-07-19
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02B5/20 , G02F1/1335 , G03F7/00
摘要: 本发明提供一种彩膜基板的制作方法和彩膜基板,用以解决现有彩膜基板的制作工艺复杂、成本较高的问题。该方法包括:每次在基板上形成特定颜色的膜层后,进行成像显影操作,使得本次形成的膜层与所述特定颜色的子像素区对应的部分被完全保留以形成所述特定颜色的子像素,与其它颜色的子像素区对应的部分被完全去除,与黑矩阵区对应的部分被部分保留;所有膜层被部分保留的部分叠加形成所述黑矩阵。该技术方案降低了制作工艺复杂度,降低了制作成本。
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