负型光阻组合物及使用该负型光阻组合物的图案形成方法

    公开(公告)号:CN101900939A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010194426.7

    申请日:2010-05-28

    CPC classification number: G03F7/0382

    Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物,其至少包含:(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合;(B)酸产生剂;(C)作为碱性成份的含氮化合物,其中,作为该基质高分子,是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子,或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子,且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元,源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔%以上。

    光阻组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN101625524A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200910140187.4

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0382 Y10S430/114 Y10S430/128

    Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物,其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物,但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此,可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法,该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中,可赋予高解像性,同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN119472171A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411069502.X

    申请日:2024-08-06

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可以形成能够形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、对显影液的残渣缺陷的影响受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂,(A)基础聚合物,包含含有特定的含酚性羟基的单元、特定的含芳香环的单元及特定的经酸不稳定基团保护的含酚性羟基的单元的聚合物,(A)基础聚合物中包含的重复单元,全部为具有芳香环的重复单元,构成(A)基础聚合物的重复单元中包含的卤素原子的数量,为3以下。

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