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公开(公告)号：CN102610644A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110436081.6
申请日：2011-12-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中在半导体体区引入两个防止泄漏通道产生的隔离保护层，该隔离保护层位于半导体体区中埋氧层的正上方，分别紧临源区和漏区。本发明中的隔离保护层的禁带宽度远远大于硅材料的禁带宽度，所以反型电子在源区和漏区间移动需要克服较大的势垒高度，背栅反型的导电通道很难形成，抑制了辐射时背栅泄漏电流的产生。本发明基于SOI器件的常规工艺，制作方法简单，不需要引入额外的光刻版，且由于隔离保护层并未延展至整个背栅沟道，减小了对前栅阈值电压的影响。
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公开(公告)号：CN102136428B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110026949.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0895 , H01L29/41783 , H01L29/517 , H01L29/66643 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN102593142A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068321.6
申请日：2012-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用透明的选择管作为驱动管，选择管的双向导通的特性实现了电路对存储单元的重复擦除与写入，并解决了串扰问题。选择管作为存储阵列的驱动管，解决了晶体管占用面积大、二极管单极性操作的限制，可以适应器件按比例缩小的进程，而且，选择管的制备工艺简单，节省成本。本发明的材料均采用柔性透明的材料，柔性透明存储阵列把“柔性透明电子系统”、“驱动管”以及“阻变存储器”三者结合在一起，它除了具有阻变存储器本身的特性外，还具备柔性、透明等优点，尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题，制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522424A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110436842.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/32 , H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/823878 , H01L27/0921 , H01L29/32
Abstract: 本发明公开了一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区。该附加隔离区的材料为多孔硅等，由于多孔硅是一种通过电化学阳极氧化单晶硅片形成的海绵状结构的功能材料，多孔硅的表面层内存在大量的微孔和悬挂键。这些缺陷会在多孔硅的禁带中央形成缺陷态，缺陷态可俘获载流子，导致电阻增大，且随着腐蚀电流密度的增大，孔隙率增大，多孔硅中的缺陷增多。本发明中利用多孔硅中缺陷态俘获载流子的特性可减小重离子引起的电荷共享效应，浅沟道隔离STI区和下方隔离区的形成只需要一次光刻，工艺简单，且可以极大地提高集成电路的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN101635262B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910090737.6
申请日：2009-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/338 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种锗基肖特基晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该方法包括：首先在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；淀积一金属薄膜；然后进行第一次热处理，快速热退火使金属薄膜层与位于其下方的锗层反应形成金属锗化物；去除未反应的金属薄膜层；在反应生成的金属锗化物层中掺入杂质；第二次热处理，退火使得上述掺入的杂质激活驱入；最后形成接触孔、金属连线。本发明通过在第一次退火形成镍锗化物以后，又进行杂质掺杂和激活驱入退火，可有效调控金属半导体接触的势垒高度，同时还可以改善锗化物表面形貌。
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公开(公告)号：CN101298315B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810056421.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管悬壁梁阵列的方法，该方法包括：制备一对或一对以上电极，电极的阴极和阳极交错分布；将含有碳纳米管的有机溶液覆盖在上述电极之上；在电极上施加交流电或直流电后，碳纳米管垂直于上述电极边沿平行排布；待有机溶液蒸发后，将上述电极边沿的碳纳米管切断，形成由碳纳米管组成的悬壁梁阵列。本发明利用碳纳米管自组装技术可以克服光刻技的限制，可获得大规模的悬壁梁阵列而且可控；同时，由于直接利用碳纳米管，可利用其优异的物理特性，将声、电、光、磁等引入悬壁梁体系以实现新颖的纳米机电器件。
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公开(公告)号：CN102386929A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110283531.2
申请日：2011-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明为一种能增大输入信号范围提高精度的低线路敏感性Sigma-Delta调制器，包括：第一模拟减法器、第一增益单元、至少一个辅助量化器、第二增益单元、第二模拟减法器、内部Sigma-Delta调制模块、移位寄存器、数字减法器和反馈DAC。本发明在提高精度的同时，不仅降低了对组件非理想性的敏感，而且大大增加了输入信号水平。
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公开(公告)号：CN102381718A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010269030.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C23C22/34 , C23C22/73 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/28255 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/306 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用氟化铵溶液作为钝化剂对锗基器件进行表面预处理的方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明使用氟化铵水溶液对锗基器件进行表面预处理，可以减小界面态并且能够有效抑制自然氧化层的再次生成和锗基衬底材料的外扩散现象，还可以提高金属锗化物的热稳定性。本发明简单有效地改善了锗基器件的界面特性，有利于提升锗基晶体管的性能，在不增加工艺复杂性的情况下对锗基器件进行表面钝化预处理，非常有利于工艺的集成。
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