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公开(公告)号：CN109904308A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910191517.6
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米线环结构实现电操控磁读写存储功能的方法，首先，在衬底上利用光刻和刻蚀技术定义所需要的纳米线引导生长沟道的图案；通过金属液滴引导的生长模式，顺延引导台阶边缘生长纳米线形成纳米环结构；然后，在样品表面蒸镀或者涂布一层磁性薄膜材料，仅保留纳米环附近的磁性薄膜材料；在纳米线两端利用制备电极；最后，通过在纳米线中通过适当电流，可在纳米环中产生感应磁场，使得磁性薄膜中的磁畴发生定向翻转，从而实现对磁性介质的电操控“写入”操作，反之亦可实现相应的擦除；本发明由于消除了对移动读写磁头的需求，此电操控磁读写单元可以在垂直方向上实现多层堆叠，从而实现高密度的3D存储应用。
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公开(公告)号：CN109850843A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910193940.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬空纳米线机械手批量制备方法，包括：基于IPSLS生长模式制备得到生长于光刻定义的坡面台阶边缘的纳米线阵列，而后在生长有硅纳米线的衬底上旋涂一层氧树脂胶体，并进行光刻图案的操作，再用湿法刻蚀除去衬底表面的非晶硅介质层，使得粘住纳米线阵列的环氧树脂胶体薄膜悬浮于溶液表面，与乙醇充分置换后利用干燥技术，即可制备得到自组装的悬空纳米线机械手阵列。本发明利用转移技术和临界点干燥技术将纳米线阵列转移至已光刻的可自支撑衬底，消除溶液表面张力的影响，保持纳米线机械手的原貌，最后得到可操作的悬空纳米线机械手阵列，可广泛应用于纳米机器人、生物医学的细胞检测和生物传感器等多种领域。
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公开(公告)号：CN108217591A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810006832.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了利用异质交替叠层台阶引导生长三维坡面纳米线阵列的方法，1)采用晶硅、玻璃、聚合物或者介质层薄膜覆盖的金属薄膜作为衬底，在衬底上淀积异质交替的介质薄膜层；2)利用光刻、电子束直写或掩模板技术实现平面图案，利用电感耦合等离子体刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE刻蚀整个淀积层形成刻蚀面；3)对所形成的刻蚀面进行刻蚀处理，形成凹凸交替的陡直侧壁台阶或多级倾斜坡面台阶结构；4)在坡面台阶，利用光刻、蒸发或者溅射金属淀积工艺，制备催化金属层；5)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下，整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线相应非晶半导体前驱体薄膜层；再将温度提高到适当温度以上，使得纳米金属颗粒重新融化，在前端开始吸收非晶层，而在后端淀积出晶态的纳米线。
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公开(公告)号：CN102491252A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN119833705A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510099744.1
申请日：2025-01-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01M10/052 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M10/058 , H01M4/13 , H01M4/139
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线间隙结构的微纳电池，包括衬底，所述衬底表面原位生长有正、负电极，所述正、负电极的相对端部及间隙间设有液态或固态电解质，所述正、负电极的外端部分别沉积有金属集流体。本发明通过原位生长技术定位纳米线电极，实现纳米到微米尺度的精确电极间距控制，显著减小了电池尺寸，适合微纳电子器件功能与大规模高密度微电池集成应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119822319A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411933426.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电晶硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1、利用光刻和刻蚀在氧化硅片或柔性衬底表面制备引导沟槽，随后利用光刻和蒸镀在所述引导沟槽末端制备催化剂金属条带；步骤2、在PECVD设备中，利用氢等离子体处理，将催化剂金属还原成液滴，随后沉积非晶硅，并在真空中加热退火生长晶硅纳米线阵列；步骤3、利用氢等离子体刻蚀残余非晶硅，并通过450℃低温热退火处理脱氢，获得高导电晶硅纳米线阵列。本发明方法制备的高导电晶硅纳米线具有优异的电学特性、形貌和位置精确可控、易于集成的特点，且制备温度低、无需额外掺杂工艺。形成的温度传感单元具有尺寸小、灵敏度高、成本低和易大面积集成的优势。
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公开(公告)号：CN117939999A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410108528.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯交叉纳米条带的柔性霍尔传感器件，制备方法包括在淀积二氧化硅的柔性衬底上诱导生长直径均匀的硅纳米线；将一个柔性衬底样品上的硅纳米线转移到另一个带有硅纳米线的柔性衬底样品上，并保持两个柔性衬底样品上的纳米线相互交叉垂直；将生长于铜网上带有光刻胶的石墨烯清洗后转移至淀积有钝化层的柔性衬底上；将制备的具有交叉硅纳米线的薄膜覆盖到覆盖有石墨烯的柔性衬底上，定义需要刻蚀的长方形区域，得到需要制备交叉垂直石墨烯纳米条带的区域；以垂直交叉纳米线为模板，刻蚀掉未被垂直交叉纳米线掩盖区域的石墨烯，被掩盖区域得到垂直交叉石墨烯纳米条带。
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公开(公告)号：CN116854021A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310575260.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳尺度机械互锁结构，包括至少一根设置于衬底上的具有预设深度的微纳米立柱，及至少带有一个钩状结构的微纳米硅线，所述微纳米硅线的钩状结构与微纳米立柱的形状、数量匹配，且与所述微纳米立柱嵌套互锁。本发明的互锁微纳米线结构由传统硅材料制成，制备过程简单且可与成熟的硅工艺兼容，且获得的互锁结构使得微纳米线结构可承受大的外力而不发生脱落。
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公开(公告)号：CN113130325B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110404186.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据需要选择性刻蚀纳米线超晶格结构区域的晶体锗或者晶硅，在源漏电极之间留下纳米片状的晶体硅或者晶体锗作为导电沟道；然后淀积一层栅介质，最后通过光刻或EBL的方法在源漏电极之间做栅电极即完成制备Fin‑FET。
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公开(公告)号：CN113175992B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110451210.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米锥光谱分析器件，包括衬底、平放于衬底上的纳米锥台及分布于所述纳米锥台上的一组电极；所述纳米锥台的顶半径记做r1，为入射光入射端口半径；所述纳米锥台的底半径记做r2，为纳米锥台的底端半径，所述纳米锥台的长度记做L；所述顶半径长度r1及底半径长度r2的数值均为数百纳米以内，长度L为数微米长，所述顶半径长度r1至多为底半径长度r2的二分之一。本发明由于其自身结构就能够将不同波长的光约束在不同位置，具备了分光能力，且硅纳米线自身也具有良好的光吸收能力，展示了纳米线自身腔模式色彩分辨能力以及线上集成宽光谱探测的潜力。
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