-
公开(公告)号：CN1288680C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道和金属锰源-HCl管道，对金属锰源-HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3-6sccm，Ar气流量为100-300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820-860℃，反应区域温度，即蓝宝石α-Al2O3衬底所在位置的温度；生长时间为8-20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
-
公开(公告)号：CN1599033A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
-
公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
-
公开(公告)号：CN1381870A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
-
公开(公告)号：CN1077607C
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN98111554.3
申请日：1998-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置，将α-Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗，然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内，抽真空；衬底在H2气氛下高温退火，通入TMG和NH3生长GaN缓冲层，生长GaN外延层，本发明利用光辐射促进了NH3分子分解，有利于抑制GaN外延层中的N空位，得到了近乎完美的单晶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146639A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN95112707.1
申请日：1995-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/775
Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。
-
公开(公告)号：CN1024236C
公开(公告)日：1994-04-13
申请号：CN90105603.0
申请日：1990-01-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/00 , C23C16/00
Abstract: 本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。
-
公开(公告)号：CN1083266A
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2—40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作，设备无须大的变动。
-
公开(公告)号：CN106381523A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610810916.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/10 , C30B25/14
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，反应腔体由腔体管和多支气体导管组成，反应源气体和负载气体的气体导管位于腔体管的上部入口部份向下延伸，用于将反应气体送至生长区的石墨支托上的外延生长衬底处，真空装置的吸入口接反应腔体一个出口，使反应腔体内保持0.1-1个大气压；腔体内2-3种反应源气体进气气体导管采用非同轴结构分布于腔体管的中心轴线两侧。
-
公开(公告)号：CN104897598A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.021 seconds)
