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公开(公告)号：CN107675141A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/303
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN104815805B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510120826.6
申请日：2015-03-19
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置，自动载物台可在计算机的控制下沿XYZ轴运动，具有承载LED芯片、自动切换检测对象和自动聚焦的功能，光学检测机用以采集、显示和分析LED芯片的荧光图像，正常LED芯片和正向漏电流不良LED芯片会出现不同的荧光强度和颜色差异，据此光学检测机可判断LED芯片是否合格并输出相关信息，芯片拾取装置用以完成LED芯片的筛除工作。该筛选系统和筛选方法可自动检测并筛除正向漏电不合格的LED芯片，且该筛选系统及筛选方法无需接触LED芯片，不会给芯片造成二次损伤。
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公开(公告)号：CN106910804A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784208A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611036779.8
申请日：2016-11-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个材料生长衬底；层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。
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公开(公告)号：CN104347762B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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公开(公告)号：CN104362224B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410483424.8
申请日：2014-09-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构，通过在基板支撑材料表面制备合金准备层，并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层，从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面；通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力，以解决基板弯曲问题，并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。
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公开(公告)号：CN105742450A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN105428486A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510978891.2
申请日：2015-12-24
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，特征是：半导体叠层中的发光有源层及P-N结具有非平面的三维结构。本发明的发光有源层有效发光面积较常规LED的二维平面有源区大，可降低有源区内载流子浓度，因此具有抑制俄歇复合、降低载流子泄漏等优点，可大幅改善效率骤降现象。另外，芯片内部存在三维结构可减少全反射的形成，有利于提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN103952685B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
申请人： 南昌大学
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN104347762A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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