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公开(公告)号：CN105742450B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN106498368A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611022509.1
申请日：2016-11-21
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45502
摘要： 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头，包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管，反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔，最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出，反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动，可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响，有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体，通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率，基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
摘要： 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7786
摘要： 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN107068818A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN108389894A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810270885.5
申请日：2018-03-29
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN108305920A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1-y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN107675141A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/303
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN106910804A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784208A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611036779.8
申请日：2016-11-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个材料生长衬底；层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。
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