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公开(公告)号：CN118223118A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410214618.1
申请日：2024-02-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种量产型类分子束外延设备的加热系统，包括：样品台装置、加热元件、热辐射防护组件、冷却装置；其中，样品台装置包括样品台旋转装置、连接杆、托盘、载片架；热辐射防护组件包括上隔热基板、反射罩、反射板、下隔热板、侧隔热筒。本发明提供的加热系统将加热元件环形排布在托盘上方两侧，加热元件为红外线辐射加热器，托盘为透明石英材质，该种排布方式加热元件与托盘距离最小可缩短至1cm且加热元件直接通过热辐射对衬底进行加热，极大减少热量因传播距离产生的损耗，提高了衬底最高可达温度。本发明解决了目前量产型类分子束外延设备加热系统热量耗散大、不能提供生长高质量InN、InGaN外延工艺所需的高温环境问题。
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公开(公告)号：CN107675141B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN114855270B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C14/54 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/58
摘要： 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
摘要： 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116463718A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310480473.5
申请日：2023-04-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开一种金属调制外延的设备及其制备氮化物薄膜的方法，该设备包括真空腔室、容性耦合等离子体源、束源炉、样品台、旋转装置、真空泵，其特征在于：样品台在空间上做公转运动，所述样品台公转轨迹在空间上形成一圆环；所述容性耦合等离子体源提供覆盖整个样品台公转轨迹的等离子体区，所述束源炉提供覆盖部分样品台公转轨迹的金属蒸发区。该设备的作用为：通过样品台的公转实现生长速率、金属蒸发时间占比可调的金属调制外延，除了拥有传统金属调制外延方法中降低薄膜的生长温度、抑制铟镓氮合金中的相分离的效果外，本发明还拥有更高的生长速率、更高的产能的优势。
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公开(公告)号：CN110197861A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN105742450B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN106498368A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611022509.1
申请日：2016-11-21
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45502
摘要： 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头，包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管，反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔，最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出，反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动，可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响，有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体，通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率，基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。
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公开(公告)号：CN118258492A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410219206.7
申请日：2024-02-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/102
摘要： 本发明公开了一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法。该方法针对单pn结多量子阱结构探测器，利用该探测器在光照下伏安特性曲线具有台阶或拐点的特性，结合台阶或拐点处的量子效率曲线，对探测器所测的伏安特性曲线进行数学处理，剥离重叠的光串扰信号，倒推出入射光的各波段信息，能够有效实现单色或多色探测。
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