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公开(公告)号：CN101304251A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810018339.9
申请日：2008-05-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/0944
摘要： 本发明公开了一种用于片上长线互连的差分接口电路，主要解决片上长线互连的功耗问题。其电路结构包括发送器、长互连线和接收器，该发送器由一个反相器(A1)和一个MOS电流模逻辑电路构成，用于将芯片上的全摆幅信号转换为低摆幅信号；该接收器采用灵敏放大器(G)与第二反相器(A2)和第三反相器(A3)连接构成，用于将长的互连线上的低摆幅的信号恢复至全摆幅信号。本发明在不需要引入外加参考电压的条件下，能有效降低片上长线互连的功耗，可用于集成电路设计中片上系统SoC的长线互连。
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公开(公告)号：CN117559925A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202410046488.5
申请日：2024-01-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种多模高效率功率放大器，属于集成电路设计技术领域，包括输入匹配分路网络、第一共源放大网络、自适应线性偏置网络、第二共源放大网络以及输出匹配合路网络；本发明采用共源放大网络和一种新型四路合成结构实现高功率输出，遏制了传统功率合成结构放大器各分路之间的阻抗牵引现象，简化了输出匹配网络，使得放大器可以实现多种功率等级输出的多模式工作，同时还可以兼顾阻抗匹配和输出低插损，具有多模工作、高效率、高功率输出能力、高功率增益、良好的输入输出匹配特性等优点。
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公开(公告)号：CN116032227A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310030932.X
申请日：2023-01-10
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种双极化高功率收发多功能芯片，属于集成电路技术领域，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。本发明提出一种双极化高功率收发多功能芯片，目的是通过一体化电路设计，实现大功率双刀双掷开关、功率放大器和低噪声放大器一体化集成，简化功能单元之间的匹配和互联电路。
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公开(公告)号：CN115293399A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210684371.0
申请日：2022-06-16
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于时空图卷积网络的交通流量预测方法，包括S1)：利用道路传感器收集目标区域的交通流量数据并进行预处理；S2)：收集额外信息并进行编码，所述额外信息包括气候数据、当天是否为工作日以及节点周围的公共场所的种类和数量；S3)：根据步骤S1)得到的预处理后的交通流量数据生成时间序列数据；S4)：构建两个自适应向量ES,ET作为节点的空间嵌入表示，生成空间相关性矩阵；S5)：构建基于DSGRU单元的DSRNN网络模型，将步骤S3)得到的时间序列数据作为输入和标签，再将步骤S2)得到的额外信息向量输入到模型中，辅助模型对目标区域的交通流量进行预测，可更好捕捉交通流量数据的动态空间依赖，并达到更好的预测效果。
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公开(公告)号：CN114548379A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210196122.7
申请日：2022-03-01
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种预测卷积神经网络训练时间的方法，包括如下步骤：S10、进行基准测试，收集随机参数的CNN网络层的执行时间数据，其中CNN为卷积神经网络；S20、训练网络模型，以收集的数据建立分层的网络模型并进行模型训练；S30、预测训练时间，预测各层网络层执行时间，组合各层网络层的执行时间，得到整体网络的预测时间。具有高效性，不需要对不同的卷积神经网络模型多次执行来获取数据集，仅需要执行不同的网络层来获取数据，显著缩短了预测所需要的机器资源与时间成本。
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公开(公告)号：CN111969047A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010876214.0
申请日：2020-08-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明提出了一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、p型掺杂氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由第一铝镓氮区域和第二铝镓氮区域横向排列而成的复合背势垒层且这两个铝镓氮区域存在铝组分差异，通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入第一铝镓氮区域与第二铝镓氮区组成的复合结构，可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布，从而提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN111711576A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010610460.1
申请日：2020-06-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H04L12/803
摘要： 一种基于高效交换机迁移的控制器负载均衡系统与方法，系统中包括交换机，代理，增设有负载测量、交换机选择、目标控制器选择及交换机迁移模块的控制器和子域网络。方法是通过控制器收集各子域网络的负载信息，判断控制器负载状态，输出超载控制器和轻负载控制器集合，通过最小化迁移成本选择待迁移交换机，将交换机从超载控制器控制的交换机集合中迁移到轻负载控制器控制的交换机集合中，实现控制器负载的均衡分布。本发明用于数据中心互连的弹性光网络中，控制器负载均衡效果显著。
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公开(公告)号：CN108878524B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810685086.4
申请日：2018-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的；同时，横向肖特基二极管的存在还可以在阻断状态下承受一定反向电压，在正向导通状态下避免栅极加正压时栅极产生过大的泄漏电流，保证了器件的正向电流能力；此外，本发明相比场板结构不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106485728B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610814028.8
申请日：2016-09-09
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种条形主变油位计的自动度量方法，属于机器视觉仪器仪表智能检测技术领域，解决成像过程中存在逆光拍照、光照不均匀等，无法实现自动度量的问题。利用方向梯度直方图特征和支持向量机，对条形主变压器的油位计进行初步定位，再利用颜色分割和Canny边缘提取方法对油位计进行定位得到只含有完整油位计的灰度图像f1(x,y)，利用膨胀、孔洞填充和腐蚀等去除油位计的黑色外边框得到只含有完整观察窗的灰度图像f2(x,y)，利用Otsu阈值分割方法，得到油位计指示线的位置，指示线位置和图像f2(x,y)中油位计上下界可计算得到油位计百分比并标注。用于变电站条形主变油位计的自动度量和读数。
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公开(公告)号：CN108878524A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810685086.4
申请日：2018-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的；同时，横向肖特基二极管的存在还可以在阻断状态下承受一定反向电压，在正向导通状态下避免栅极加正压时栅极产生过大的泄漏电流，保证了器件的正向电流能力；此外，本发明相比场板结构不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，提高了器件的可靠性。
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