公开(公告)号：CN118399776A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410477518.8

申请日：2024-04-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  王勇 ,  牛光辉 ,  要文波 ,  尹强 ,  肖超 ,  田俊 ,  杨毓龙 ,  黄凯 ,  刘凯志 ,  周宏宇

IPC分类号： H02M7/217 ,  H02M1/42 ,  H02M3/335 ,  H02M7/5387 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。

公开(公告)号：CN118248739A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410669075.2

申请日：2024-05-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 肖超 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  张泉 ,  田俊 ,  张文敏 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。

公开(公告)号：CN115064446B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN118248739B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410669075.2

申请日：2024-05-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 肖超 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  张泉 ,  田俊 ,  张文敏 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。

公开(公告)号：CN114441923A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210367078.1

申请日：2022-04-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  肖超 ,  张泉 ,  付振 ,  刘芳 ,  林国栋

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。

公开(公告)号：CN111367849A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010004154.3

申请日：2020-01-02

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 陈国富 ,  谷伟明 ,  贾晓光 ,  王翔 ,  崔虎宝 ,  袁佩娥 ,  肖超 ,  徐博

IPC分类号： G06F13/42

摘要： 本发明提供了一种高速串行总线数据同步的方法，包括：基于FPGA芯片搭建RapidIO高速通讯协议总线；将RapidIO高速通讯协议总线的数据包和同步控制指令通过交换机下发至多个级联设备；所述多个级联设备执行同步控制指令实现时钟同步；系统内多级设备同步采用参数控制延时方式实现设备内部所有终端的同步，同步误差更小，实现了高速串行总线通讯的系统同步，同步控制指令优先级更高，可以实时插入到数据帧中，提高了同步信号的实时性。由外部硬件同步改成内部软件数据总线协议类型同步，减少了系统内各设备内部各个终端的外同步接口，缩减了设备体积以及硬件成本。