公开(公告)号：CN117706312A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311436497.7

申请日：2023-10-31

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 黄凯 ,  付振 ,  张泉 ,  肖超 ,  尹强 ,  王勇 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种功率模块的循环试验装置及系统，属于半导体功率模块检测领域，该装置包括：控制装置，用于基于用户的触发指令生成升/降温控制信号；至少一个循环试验模块，每一循环试验模块包括：温度传感器，用于检测功率模块的温度，并输出模块温度信号；温控器，用于根据模块温度信号和升/降温控制信号，生成调温控制指令，并将调温控制指令发送至冷热板模块；冷热板模块，用于根据调温控制指令调节冷热板模块，使得设置在所述冷热板模块上的功率模块实现多个升/降温的温度循环。通过本发明提供的装置，能够准确控制升/降温度，使得试验温度达到试验要求，准确检测功率模块的可靠性。

公开(公告)号：CN117317025B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311589953.1

申请日：2023-11-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  尹强 ,  杨毓龙 ,  张文敏 ,  申占伟 ,  岳世忠 ,  朱晓钢 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

公开(公告)号：CN118399776A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410477518.8

申请日：2024-04-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  王勇 ,  牛光辉 ,  要文波 ,  尹强 ,  肖超 ,  田俊 ,  杨毓龙 ,  黄凯 ,  刘凯志 ,  周宏宇

IPC分类号： H02M7/217 ,  H02M1/42 ,  H02M3/335 ,  H02M7/5387 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。

公开(公告)号：CN117317025A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311589953.1

申请日：2023-11-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  尹强 ,  杨毓龙 ,  张文敏 ,  申占伟 ,  岳世忠 ,  朱晓钢 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。

公开(公告)号：CN115064446B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN115064446A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN115224113B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211124222.5

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊 ,  杨毓龙

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。

公开(公告)号：CN117637607A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202410099445.3

申请日：2024-01-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 田俊 ,  付振 ,  张泉 ,  肖超 ,  尹强 ,  张文敏 ,  王悦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构，所述方法包括：在第一内介质层、栅极层、栅极氧化层与体区对应的位置形成沟槽；在所述体区中形成源区；形成第二内介质层，所述第二内介质层覆盖所述第一内介质层上表面、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部；去除所述第一内介质层上表面和所述沟槽底部的所述第二内介质层，保留所述沟槽侧壁的所述第二内介质层，形成接触槽。本公开的方案可以在保证接触槽位于两个源区中间位置的基础上，省去一张接触槽工艺专用的光罩，解决传统接触槽形成工艺中光刻工艺的套刻偏离的技术问题，达到节省成本和提高超结半导体制造良品率的技术效果。

公开(公告)号：CN116646252A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310928114.1

申请日：2023-07-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 田俊 ,  付振 ,  张泉 ,  肖超 ,  尹强 ,  张文敏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；利用深沟槽光罩在外延层内形成深沟槽填充区，所述深沟槽填充区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；其中，所述深沟槽填充区与两侧的外延层形成超级结结构；在所述深沟槽顶部形成体区刻蚀沟槽；在所述体区刻蚀沟槽内填充具有第二导电类型的填充材料，形成体区；在所述体区两侧的外延层表面形成栅氧和平面栅结构，形成所述超级结器件。通过本发明提供的方法，形成浓度均匀，并且范围精确的体区，准确控制超级结器件沟道长度和阈值电压。

公开(公告)号：CN115267477A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210995289.X

申请日：2022-08-18

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  张泉 ,  王勇 ,  尹强 ,  肖超 ,  田俊 ,  杨毓龙 ,  黄凯 ,  周宏宇

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对所述电路中六个组成部件支路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且进行测评之前所述六个组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对测评充放电模块进行充电；控制所述测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得所述测评充放电模块进行放电；获取被测评的所述组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的所述组成部件的状态，以对被测评的所述组成部件进行测评。藉此，实现了无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。