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公开(公告)号：CN101432656B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780015751.9
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2001/136281
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。
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公开(公告)号：CN101978504A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109552.3
申请日：2009-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , H01L27/1255
Abstract: 具备电容(61b)，其是使连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)和连接到栅极电极(64)的第2电容电极(64a)具有在面板厚度方向上隔着第1绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第1电容电极(62a)和连接到上述栅极电极(64)的第3电容电极(80a)具有相对于上述第1电容电极(62a)在与上述第2电容电极(64a)侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着第2绝缘膜而对置的区域而形成的。由此，实现能够抑制连接到TFT主体部的电容的占有面积的TFT。
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公开(公告)号：CN101589335A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880003167.6
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/133707 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其具有垂直取向型的液晶层(32)，像素电极(12)具有多个单位电极部(12a)，多个单位电极部(12a)分别具有导电膜、和形成在导电膜上的多个狭缝(13)。在像素电极与相对电极之间施加规定的电压时，形成与多个单位电极部的各个对应的液晶畴，液晶畴内的液晶分子为大致放射状倾斜的取向状态。由此，为宽视角且响应特性优良。
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公开(公告)号：CN101529318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038900.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553
Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。
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公开(公告)号：CN101432655A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015614.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599362B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201811125993.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板，提高开口率并且缓和台阶。阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。
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公开(公告)号：CN111580315A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010092392.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。
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公开(公告)号：CN110875336A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800912.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 一种有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法，能够实现具备有机绝缘膜(OIL)、以及被两层配线化的第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)的、成品率高的有源矩阵基板(1)。在有源矩阵基板(1)中，第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)中的、配置为离基板(2)更远的第2源极层(SSL1～SSL3)隔着第2无机绝缘膜(SINOIL)与有机绝缘膜(OIL)接触。
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公开(公告)号：CN110867453A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910682845.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。
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公开(公告)号：CN110521003A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880021738.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/32 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50
Abstract: 有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。
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