公开(公告)号：CN1751384A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004782.0

申请日：2004-02-20

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

摘要： 一种等离子加工装置包括：处理室；具有靠谐振形成微波的第1驻波的内部空间(20)的引入波导管(4)；在内部靠谐振形成微波的第2驻波的介质(5p、5q)；以及具有使微波从内部空间(20)通向介质(5p、5q)用的缝隙(6a)的缝隙天线(6)。缝隙(6a)设置成近似位于将形成第1驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点和将形成第2驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点一致的地点。根据本发明，能提供一种通过提高穿过缝隙天线开口部的微波的传播效率、从而将微波的能量高效地引入处理室的等离子加工装置。

公开(公告)号：CN1592957A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1484852A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN100455158C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02826884.9

申请日：2002-10-11

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32238 ,  H01J37/32192

摘要： 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。

公开(公告)号：CN1296975C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01142940.2

申请日：2001-11-30

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  C23C16/513

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32211

摘要： 一隙缝天线板(7)放置在一用来将微波辐射入一加工腔(13)内的第二电介质(5)上，所述隙缝天线板(7)设置在第二电介质(5)的那一面朝着所述腔室内部(13)的侧面上。隙缝天线板(7)由导体制成，并且包括用来使微波从其中通过以进入腔室内部(13)的各隙缝(7a)。以此方式，可以提供一种藉助微波来产生等离子体的等离子体加工设备，所述等离子体加工设备能对用于待加工材料的离子辐射能很方便地进行调节，以在所述材料的平面内对所述材料进行均匀的等离子体加工。

公开(公告)号：CN1291461C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1236657C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN03110402.9

申请日：2003-04-09

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本達志 ,  平山昌树 ,  大見忠弘

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192

摘要： 披露了在不需要增加功率电源所需输出条件下能够改善等离子体处理均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：使用等离子体进行处理的处理腔室(1，2)；和三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15)，它连接着处理腔室(1，2)，将电磁波引入到处理腔室，使得提供给处理腔室的反应气体进入等离子体状态，其特征在于：对位于接近所述处理腔室(1，2)区域内的所述三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15)的每两个相邻部件的组合来说，在形成一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X1，Y1)不同于在形成另一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X2，Y2)。

公开(公告)号：CN1228819C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN01130253.4

申请日：2001-12-13

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC分类号： B23K10/003 ,  B23K2101/40

摘要： 在暴露于空气的微波入口窗(4)的一边，设置带有槽(11a)和谐振单元(3)的槽板(11)。槽板(11)和谐振单元(3)相对于加工室(6)整体放置，可通过线性导轨(12、13)滑动。用这种方法，可以设置等离子加工设备，它实现高度均匀的等离子加工，并具有极好的等离子发生特性。

公开(公告)号：CN1165969C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

申请人： 夏普公司 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

摘要： 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：处理室(1、2)；微波发射构件(5)；以及反应气体供给装置(14、15、21、22)，反应气体供给装置包含反应气体供给路(15)，该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件(16)，该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1450847A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110402.9

申请日：2003-04-09

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本達志 ,  平山昌树 ,  大見忠弘

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192

摘要： 披露了在不需要增加功率电源所需输出条件下能够改善等离子体处理均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离于体处理装置包括：使用等离子体进行处理的处理腔室(1，2)；和三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15)，它连接着处理腔室(1，2)，将电磁波引入到处理腔室，使得提供给处理腔室的反应气体进入等离子体状态，其特征在于：对位于接近所述处理腔室(1，2)区域内的所述三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15)的每两个相邻部件的组合来说，在形成一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X1，Y1)不同于在形成另一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X2，Y2)。