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公开(公告)号：CN109478595B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201780038047.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K85/60 , H10K71/00 , H10K10/46 , C07D471/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN112088528B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201980030931.7
申请日：2019-04-16
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种摄影系统，其包括多个移动式设备，所述移动式设备具备：获取部，当通过识别部识别为分配有摄影担当的任务时，获取通过基于摄影设备的摄影而得到的图像；配置控制部，当在通过所述获取部获取的图像内不存在预先设定的摄影对象和分配有摄影对象的任务的移动式设备中的至少一方时，进行用于在所述摄影设备的视角内配置所述预先设定的摄影对象和分配有摄影对象的任务的移动式设备的控制；及存储控制部，当在通过所述获取部获取的图像内存在所述预先设定的摄影对象和分配有摄影对象的任务的移动式设备时，进行将通过所述获取部获取的图像存储于存储部的控制，所述多个移动式设备包含至少各一台分配有摄影对象的任务的移动式设备和分配有摄影担当的任务的移动式设备。
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公开(公告)号：CN111108439B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201880061365.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03B27/32
Abstract: 提供能够抑制图像的模糊的图像曝光装置及图像曝光方法。图像曝光装置(10)具备：图像显示装置(20)，具有像素(21)；感光性记录介质支撑部，将记录图像显示装置(20)的图像的感光性记录介质(40)支撑为使感光性记录介质(40)的曝光面(40A)与图像显示装置(20)对置；准直部(50)，设置于图像显示装置(20)与感光性记录介质(40)之间，并将来自像素(21)的光设为平行光；及吸收层(60)，设置于图像显示装置(20)与感光性记录介质(40)之间，来自像素(21)的光的透光率为50％以下。
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公开(公告)号：CN109074505A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780008845.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社 , 凸版资讯股份有限公司 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 传感系统(10)具有电子标签(12)及与电子标签(12)进行信息的授受的读取装置(14)。读取装置(14)具有发送包含高频成分与低频成分的交流电波的传送部(62)，电子标签(12)不具有电源，而具有：接收部(21)，从交流电波的高频成分获得电源电压，从低频成分获得时钟信号；及回复部(38)，维持时钟信号的最大振幅，且与时钟信号一致地将信息作为回复信号而发送。读取装置(14)还具有处理部(44)，所述处理部(44)基于时钟信号对从电子标签(12)发送的回复信号进行解码。
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公开(公告)号：CN106104833A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014491.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0003 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5；Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7；含有Y和Z的环为芳香族杂环；R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合；R1、R2、R5～R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；m和n为0～2的整数)，该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号：CN102132173B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980132651.3
申请日：2009-06-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 宇佐美由久
CPC classification number: B23K26/0823 , B23K26/0661 , B23K26/0869 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L33/483
Abstract: 本发明提供一种用于图案形成体的制造方法，采用该方法可以在不使凹坑的形状变形的情况下容易地形成点状图案。提供了用于制造其上形成了点状图案的图案形成体的方法。此制造方法包括：制备步骤，其中制备具有光致抗蚀剂层的基板，所述光致抗蚀剂层在用电磁束照射并因此被加热时发生形状变化；和曝光步骤，其中用电磁束照射和扫描所述光致抗蚀剂层以去除光致抗蚀剂层的一部分，其中在所述曝光步骤中，将所述电磁束的发射时间调整为与形成于所述光致抗蚀剂层上的多个凹坑(21)在扫描方向上的间距相对应的扫描时间的10-40％。
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公开(公告)号：CN101785057B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880102843.5
申请日：2008-05-16
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B41M5/24 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种在无机物质制成的基板上直接且容易地形成凸凹(凹坑图案)的方法。用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法包括以下步骤：在由无机材料制成的基板(11)上形成记录材料层(21)，所述记录材料层能够进行热模式热变形；通过向所述记录材料层(21)照射会聚光，形成多个孔(15)；以及在所述基板中形成与所述多个孔(15)对应的多个凹坑(16)，其中所述多个凹坑(16)是通过使用其中形成所述多个孔的所述记录材料层(21)作为掩模蚀刻而形成的。
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公开(公告)号：CN101622725B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880007143.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明通过在发光面的表面简单地形成微细的凹凸形状，使发光元件的发光效率提高。作为发光体，准备例如LED元件(10)，在该LED元件(10)的发光面(18)上形成能以热致模式改变形状的记录材料层(12)。然后，通过对记录材料层(12)照射会聚的光，以LED元件(10)发出的光的中心波长的0.01～100倍的间距形成多个凹部(15)。
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公开(公告)号：CN101960383B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880127773.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 宇佐美由久
IPC: G03F7/20 , G03F7/36 , G11B7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2053 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B7/261
Abstract: 本发明公开了一种使用曝光装置(30)加工具有光致抗蚀剂层(12)的工件(10)的方法。将透明片(20)放置在曝光装置(30)的物镜(35a)与光致抗蚀剂层(12)之间，所述透明片(20)允许从所述曝光装置(30)发射的光透射，并且将所述光致抗蚀剂层(12)由通过所述透明片(20)的光曝光。
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公开(公告)号：CN101828228B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200880111779.7
申请日：2008-10-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 宇佐美由久
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/246 , G11B7/2492 , G11B7/253
Abstract: 提供一种用于在其形状可变的热模式记录材料层中形成凹部的凹部形成方法，所述方法包括：用从包括光源的光学系统会聚的光照射记录材料层以形成凹部的凹部形成步骤；在所述记录材料层中的所述凹部形成的过程中或之后，用检查光照射所述凹部的检查光照射步骤；检测从所述凹部反射或衍射的检查光的光量的检测步骤；和根据光量调节所述光源的输出使得所述光量达到预定值的输出调节步骤(S1-S4)。此外，提供使用上述方法的凹-凸制品制造方法、发光元件制造方法和光学元件制造方法。
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