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公开(公告)号：CN112542767A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910894514.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法，所述激光器芯片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次设有外延层和P面管芯结构，所述GaAs衬底远离外延层的一侧镀有N面电极，所述GaAs衬底与N面电极接触的端面上设置有粗糙区。本发明工艺设计合理，不仅有效提高了芯片的整体厚度，芯片的弯曲度和翘曲度明显小于常规抛光工艺处理后的薄芯片，避免了镀膜不均匀和磨料渗入管芯P/N面的情况；同时粗糙区能够提高衬底与N面电极的接触面积，降低了半导体与N面电极之间的接触电阻，有效降低激光器管芯的体电阻，从而减低激光器的阈值电流，提高了电光转换效率，提高了N面电极与GaAs衬底之间的粘附性，避免出现N面电极脱落的情况。
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公开(公告)号：CN111323118A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811543961.1
申请日：2018-12-17
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种避免光串扰的探测半导体激光器出光的装置及其安装方法，属于半导体光电子技术领域，包括绝缘底座，所述绝缘底座的上表面设置有两块相互绝缘的第一金属区和第二金属区，所述第一金属区固定连接有光电二极管，所述第二金属区通过金线与所述光电二极管上表面的P电极相连，所述绝缘底座上方设置有一上盖框，在所述上盖框的前端设置有一窗口片，所述窗口片上镀有单点增透膜，只允许特定波长的光通过而隔绝其他波长的光。在多个波长的半导体激光器封装在一个模块中时，本发明可有效避免其他波长的光对光电二极管形成串扰。
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公开(公告)号：CN106300012B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610832109.0
申请日：2016-09-19
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明涉及一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；腐蚀阻挡层为GaInP材料；有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为AlGaInP材料，第一上限制层为AlGaInP材料，上波导层和下波导层采用GaInP；第二上限制层为AlGaAs材料，欧姆接触层为GaAs材料。本发明能够较容易的实现材料生长，由第二上限制层和欧姆接触层组成的结构能够实现高选择性的化学腐蚀结果，能够有效控制脊型波导的台阶腐蚀深度、台阶对称性，提升半导体激光器的性能。
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公开(公告)号：CN108666866B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710197708.4
申请日：2017-03-29
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明涉及一种便于半导体激光器光纤镀膜和整形的装置，其特征在于，包括：光纤固定架，用于固定光纤；和隔离板，位于光纤固定架下面，并与光纤固定架以可拆装方式连接；隔离板包括两侧连接板和固定在两侧连接板之间的若干相互平行的隔离条，隔离条与光纤固定架上固定的光纤基本是相互垂直关系，用于在整形时支撑光纤。将光纤设置在光纤固定架上完成光纤的镀膜，镀膜完成后，将光纤固定架下部组合连接隔离板，用于激光器光束的整形，避免了光纤的二次转移，操作简便，生产效率高。
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公开(公告)号：CN110224300A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810176096.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器结构及其制备方法。所述半导体激光器结构包括由下至上依次设置的N-金属层、N-电流阻挡层、衬底、外延材料层、P-电流阻挡层及P-金属层；所述衬底下表面有设置有周期性排列孔洞和N-电流阻挡层。本发明在衬底减薄后设置孔洞及电流阻挡层，释放外延片内部应力，N面焊接封装时增大与焊料接触面积，键合牢固，缓冲热应力，同时限制电流注入区域，提高光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994402A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711487993.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明涉及一种半导体研磨板上芯片清洗容器及其使用方法，属于半导体芯片界面清洗处理的技术领域，装置包括带把手的容器本体、卡槽单元和可活动的载板台，在容器本体内设置有对称一定周期重复的卡槽单元，卡槽单元内设计载板台，将带有芯片的研磨板放置于载板台台面上，载板台两侧位于卡槽单元内，载板台两侧沿容器本体内壁上卡槽单元的空间下移，载板台的外侧一端顶在卡槽单元的底部上，载板台连同研磨板一起没入容器本体的容腔内。本发明不仅提供研磨板及其板上芯片界面清洗/腐蚀工艺处理容器，而且提供了研磨板的装载装置，提高了生产效率的同时，保证界面的清洗腐蚀处理。
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公开(公告)号：CN104777619B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410020211.1
申请日：2014-01-09
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明提供一种光纤耦合输出激光器光斑匀化的装置，包括轴向穿过柔性管的光纤，在所述柔性管外部设置有与所述光纤共轴安装的保护管。本发明通过对柔性管加热，使得柔性管受热收缩，相当于给套在柔性管内的光纤施加应力，从而致使光纤发生均匀、连续的形变，该形变会改变光纤内部激光能量在各个模式中的分布，使光在多模光纤各个模式的分布更加均匀，从而使输出光束的光斑更加均匀，改善带环、散斑现象。本方法操作简单、适用性强，尤其适用于光纤耦合输出半导体激光器。
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公开(公告)号：CN108666869A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710198215.2
申请日：2017-03-29
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种红光大功率激光模组及其组装方法，包括底板、多个MCC小单元、顶块、绝缘紧固部件，通过绝缘紧固部件将底板、多个MCC小单元、顶块从下至上依次连接，MCC小单元包括MCC热沉、红光半导体激光器巴条、绝缘片和负极片，MCC热沉上表面一端设有红光半导体激光器巴条，MCC热沉与负极片之间设置绝缘片，本发明结构简单，采用20个芯片并联的方式可实现单巴条20W的红光功率输出，再通过将多个MCC小单元串联的形式可实现几十瓦甚至上百瓦的连续红光功率输出。采用冷却效果较好的MCC热沉封装，解决了红光激光器散热的问题，可保证模组在高功率输出的同时具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN108666866A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710197708.4
申请日：2017-03-29
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明涉及一种便于半导体激光器光纤镀膜和整形的装置，其特征在于，包括：光纤固定架，用于固定光纤；和隔离板，位于光纤固定架下面，并与光纤固定架以可拆装方式连接；隔离板包括两侧连接板和固定在两侧连接板之间的若干相互平行的隔离条，隔离条与光纤固定架上固定的光纤基本是相互垂直关系，用于在整形时支撑光纤。将光纤设置在光纤固定架上完成光纤的镀膜，镀膜完成后，将光纤固定架下部组合连接隔离板，用于激光器光束的整形，避免了光纤的二次转移，操作简便，生产效率高。
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公开(公告)号：CN105576498B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610118763.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/00 , H01S5/22 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括：首先在外延片的表面使用第一块光刻掩膜版光刻出一定宽度的图形光刻胶，其中在外延片表面的特定区域上面光刻出一定的图形刻度，然后使用第二块光刻掩膜版，利用光刻掩膜版特定区域上面的图形刻度和外延片表面一次光刻制备出图形刻度相对应，光刻出符合尺寸要求的图形，最后经过腐蚀、生长电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。采用本发明的方法，一方面可以不使用昂贵的设备就可以实现小尺寸图形的光刻，同时掩模光刻胶还可以作为掩蔽膜进行外延片图形的腐蚀；另外，可以不采用套刻的方式使电流阻挡层覆盖到脊条图形的侧面，有利于发光效率和输出光功率的改善，可有效的提高了激光器的性能。
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